一、瓷介电容器(CC)
1.结构
用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG)
);2 类电介质(X7R、2X1)和 3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。
2.特点
1 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。
2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大(最大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差。
3.用途
1类电容主要应用于高频电路中。
2,3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。
二、涤纶电容器(CL)
1.结构
涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。
2.优点
耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。
3.用途
一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。
三、聚苯乙烯电容器(CB)
1.结构
有箔式和金属化式两种类型。
2.优点
箔式绝缘电阻大,介质损耗小,容量稳定,精度高,但体积大,耐热性较差;金属化式防潮性和稳定性较箔式好,且击穿后能自愈,但绝缘电阻偏低,高频特性差。