MOSFET选型准则总结

MOSFET选型准则

MOSFET属于电压型工作器件，MOFET的作为开关使用情况较多，其工作在饱和区与截止区。

(1)MOSFET功能

MOSFET功能类型	MOSFET应用举例
PWM开关信号	通过控制MOSFET开关状态，提供输出
PMOS防反电路	用于电源防反，KL30电源电路的防反MOSFET
高低边驱动电路	驱动开关路
DC/DC开关电路	BUCK/BOOST电路中的储能控制开关
H桥驱动电路	四个MOSFET组合的H桥电路，用于驱动直流有刷电机
三相半桥逆变电路	六个MOSFET组合的逆变电路，逆变器用于驱动无刷直流电机
开关电源	电路中的开关控制单元
放大电路	利用MOSFET工作在放大区

(2)MOSFET参数

电气参数	说明
MOSFET类型	P型与N型：①P型MOS用在防反电路中，S极接电源端 ②N型MOS用在开关电路中③导通条件不同
VDS /漏源极电压限值	漏极与源极之间所能承受的最大电压值，在选型时需要考虑电路中加在漏极与源极之间的电压值，确保不超过该值。
VGS(th) /GS电压阈值，开启电压	MOSFET的开启电压值，N型MOSFET：当控制信号的电压高于该阈值时，MOSFET导通；P型MOSFET：当控制信号的电压低于该阈值时，MOSFET导通。
VGS /栅源电压限值	栅极控制电压，控制信号不能超过该值
ID /漏极电流值	MOSFET漏极端最大电流，会随着温度发生变化，在设计分析过程中需要考虑环境温度的影响。
Ptot /最大功耗	用于评估MOSFET所能承受的最大短时功率，过流能力。
Tj /结温	MOSFET内部结温限值，应用时应确保温升+环境温度 < 结温
EDS(AL)S /雪崩能量	用来评估MOSFET的瞬时VDS 过压能力，超过VDS 的极限值时MOSFET将处于雪崩状态。
RDSon /导通阻抗	MOSFET的导通阻抗：计算导通损耗时会用到， P = ID2 * RDSon ;诊断阈值的确定，需要用其计算导通压降U = ID* RDSon ①该值会随着温度改变，计算分析时候需要考虑环境温度的影响 ②该值与ID、VGS值均有关，分析时需要参考曲线，以此来确定导通阻抗。
Rth /热阻	用于计算MOSFET的温升；当MOSFET为PWM控制工作时，瞬态热阻需要通过瞬态热阻曲线获取。
Zth /瞬态热阻	当MOSFET施加脉冲工作时，其热阻是瞬态热阻，与脉冲周期、占空比均有关系，需要参考热阻曲线来计算温升。
	动态参数
QG(tot)/总电荷
QGS /GS充电电荷
QGD /GD充电电荷	QGS 与QGD 用于计算MOSFET的导通与关断的上升、下降时间，进而计算得到开关损耗
Ciss /输入电容
Coss /输出电容
Crss /反向传输电容	用于评估充电时间
td(on) /导通延迟时间	指从栅极-源极电压升高超过VGS的10%，到漏极-源极电压达到VDS的90%的时间。
tr /上升时间	指漏极-源极电压从VDS的90%降至10%的所需时间。
ton /导通时间	导通时间：ton = td(on) + tr
td(off)/导通延迟时间	指从栅极-源极电压降至VGS的90%以下，到漏源电压达到VDS的10%的时间。
tf /下降时间	指漏极-源极电压从VDS的10%升至90%的用时。
toff /关断时间	关断时间：toff = td(off) + tf
	导通关断时间，用于计算：①开关损耗②对信号导通关断所造成的影响，例如造成的损耗占空比评估

MOSFET关键曲线

①MOSFET的SOA曲线：用于评估VDS电压与ID电流上限值，需要SOA曲线以内，才能保证MOSFET不会被击穿。注意脉冲维持时间也有一定的影响

②雪崩电流曲线：评估MOSFET所能承受的雪崩电流时间，确保MOSFET不被损坏

③导通阻抗变化曲线：在计算导通损耗，评估诊断阈值时候会应用到。

温度对MOSFET的额定电气参数影响

④ID限值变化曲线：评估不同参数对I_D 值的影响，最坏结果分析时需要考虑，尤其需要注意温度因素的影响。

⑤瞬态热阻曲线：利用该曲线，估计MOSFET在不同工况下的热阻值变化，尽可能得到MOSFET的真实温升值。

(3)MOSFET计算

①时间参数计算：计算MOSFET在开关过程中的上升与下降时间
$$t_r=t_f=\frac{Q_{gs}/2+Q_{gd}}{I_{gate}}$$
②开关损耗计算：计算MOFET在开关过程中所产生的损耗

由于MOS管存在输入电容，导通与关断过程中的充放电均会存在一定的延时，导致Ids与Uds之间存在一定的重叠区域，重叠区域会导致一定的损耗。

极间电容会导致Ugs有一段无法上升和下降，这段Ugs基本维持不变的波形称为密勒平台。
$$开关损耗：P_{SW}=\frac{1}{2}\ast I_o\ast V_D\ast (t_r+t_f)\ast f_{SW}$$
从上述公式可以发现，当开关频率越高时，开关损耗越大。开关损耗所占的比重较导通损耗大。

③导通损耗：
$$P_{ON}=I_D^2\ast R_{DSon}$$
④温升计算：
$$T=T_{amb}+R_{th}\ast （P_{SW}+P_{ON}）$$

(4)评估方法

①耐压与电流限值：

V_DS (MOSFET所承受电压最大值，考虑尖峰脉冲电压) < V_DSmax（MOFET规定承受DS极电压限值）

I_D(负载驱动电流最大值，考虑脉冲影响) < I_Dmax (MOFET规定的最大导通电流值)

注意不同控制器所处的工作环境温度，会对MOSFET的耐压与电流限值造成影响，需根据MOSFET的数据手册中相关曲线修正，其限值会降低。

②导通与关断延时：应用在PWM信号传输的应用场合，上升与下降时间会对MOSFET驱动所形成的占空比信号造成一定影响，使其无法达到0%~100%的占空比区间，均会有一定的占空比损失。

上升与下降时间之和所占周期的占空比，应小于系统所要求的信号传递最小占空比；周期值减去上升与下降时间之和所占周期的占空比，应大于系统所要求的信号传递最大占空比。
$$1-\frac{t_r+t_f}{T}>D_{Tmax}$$

$$\frac{t_r+t_f}{T}<D_{Tmin}$$

③温度限制：确保工作时结温小于MOS管结温的限值最小值。

T_{jworks_max} (工作时MOS最大结温) < T_{jmin_limit} (MOS管限值最小结温)