数字传感器件

目录

4.1数字传感器件的发展历程

4.2数字感光器件的结构

4.2.1CCD的结构

​4.2.2 cmos结构

 4.3 传感器件的指标

4.3.1感光度

4.3.2成像质量的衡量指标

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4.1数字传感器件的发展历程

        第一个数 字感 光器件 1969 年在贝尔实验室诞生，是由物理学家维拉 ·博伊尔 (Wi llard S. Boyl e) 以及乔治 史密斯( George E. Smith) 发明的。

        另外一款数字感光器件是 CMOS ，英文全拼为 Complementary Metal Oxide Semiconductor ，中文 全称是"互补式金属氧 化物 半导体"，是一种制备芯片的工艺 CCD 一般是采用 TTL 工艺制备的，采用 CMOS 工艺制备的感光器件俗称为 CMOS。 它功耗低，可以把图像采集单元与信号处理单元集成到同一块芯片上，因而便于大规模批量生产，极大降低了生产成本，适用于要求小尺寸、低价格的应用。现在人们 使用的手机、桌面式摄像机等都要求低成本，都 采用了 CMOS 器件 。随着 CMOS 技术的发展，在很多应用场合 CMOS 将会取代 CCD。

cmos  

CCD

4.2数字感光器件的结构

4.2.1CCD的结构

CCD 分为 层，最上面 层是微透镜，中间层是滤色层，最下面一层是感光层，如图 4-6 所示。

 微透镜用于更好地收集光线。

        微透镜下面就是滤光片或者叫滤色片，英文叫 Color Filter ，这种滤光片是采用不同 颜色 的过 滤纸 放在感光器件的前面，能够滤掉不同颜色的光，如图 -8 所示。比如红色 滤光片滤掉蓝色和绿色，只剩 下红色光进到 CCD 里面来;绿色滤光片就是让绿色光进 蓝色就是让蓝色光进来。

        滤光片的下面就是感光层 ，感光层是 CCD 的核心 。它是由很多 个感光 极管组成的，也就是说，感光 极管是感光层的核心。感光二极管就是负责把光子转化为 电荷。

        把CCD 的感光过程可以形象地比喻成水滴滴入小桶的过程。 CCD 的结构就像是一排排输送带上并排放满了的小桶，光线就像水滴洒入各个小桶，每个小桶就是一个像素。

        电荷在 CCD 中的传输有几种模式，最常见的模式是行间传输模式，相对应的还有 种模式是全帧传输模式。

4.2.2 cmos结构

 CMOS 的结构总体上和 CCD 类似，包括三层 :微透镜层、滤光片和感光层。

微透镜层和 CCD 是一样的，滤光片与 CCD 略有不同，后者是采用 Bayer 模式的滤光片。

        CMOS 的感光层与 CCD 差别很大，如图 4-19 所示，当然它的核心器件还是感光二极管(Photodiode) ，但是在每一个感光 极管边上，也就是在每个像素里面，不仅仅是有感光 极管还包含了一个放大器和一个模数转换电路。所以， CMOS 中每 个感光器 件里面都包含了 个感光 极管和 三颗晶 体管。每 个像素中感光面就更小了， 一 般每 个感光二极管的面积只有像素面积的 70% ，有 30% 没有感光。

        在工艺上 CCD CMOS 不同。 CCD 采用 TTL 工艺 CMOS 是采用 CMOS 艺， CCD 采用总放大器，而每 CMOS 感光单元本身带放大器。

        CMOS 快门模式也比较特殊 种是最常见的电子卷帘快门 (Electronic Rolling Shutter 目前大多数 CM OS 感器采用这种快门。对任一像素，在曝光开始时先将其 清零，然后等待曝光时间 过后，将信号值读出 。因 为数据的读出是串行的，所以清零、 曝光、读出也只能逐行顺序进行，通常是从上至下。 对高速运动 的物体 会产生明显的变化， 例如，如果数据的读出速度是每秒 帧，那么图像顶部和底部的曝光先后差异将 多达50ms。

传统的 CMOS 是前照式结构 2008 年，索尼公司推出 种新的 CMOS 接口 一一 背 照式 CMOS。

 4.3 传感器件的指标

4.3.1感光度

        顾名思义，感光度就是指照相机对光线的敏感程度。无论是胶片相机时代还是数码 相机时代，感光度都是用户衡量相机对光线感应程度的最 直接的指标。

在暗的场景 中拍照，为了提高照片亮度，摄影师往往会 把曝光时间延长，这会导致 运动模糊，如图 4-25 所示。如果增加 I SO 值， 就不需要延长曝光时 间，从而减少运动 模糊 这就是为 什么 当光线较差 时人们 需要增 ISO 值的原因。在数码相机中，摄影中 可以手动增加 ISO值。

4.3.2成像质量的衡量指标

        衡量数字 感光器件成像质 的指标有很 其中第一个指标是量子效率 Quantum Efficiency , Q E) 所谓 子效率是指不同波长的光子撞击感光器件所产生的光电子与入 射光子数 量之 QE ，代 表感光性 能越好。

        CMOS 或者 CCD 感光器件的感光除了可见光谱之外，还可以 覆盖部分近红外光。 硅能够感知的光谱范围， CMOS CCD 感知的光 谱范围在 400 1000nm 。一 个典型的 CMOS 量子效率 如图 4-27 所示，它能够感知 绿光的感知曲线如图 4-27 中的细 实线和 虚线所示，红光的感知曲线如图 4-27 中的粗 实线 所示，蓝光的 感知曲线如图 4-27 中的 点画线所示。不同的感光器件对不同光谱光的 量子效率 也不同。

        第二个是采光方式，前面讲过，普通的 CMOS 或者 CCD 采光方式是前照式 ，也就是光从正面照射芯片形成电荷 光从正面经过透镜，经过滤色片再照到 CMOS CCD的感光层上。 CMOS 为例，从正面照射过来， CMOS 感光的部分只占到像元的 70%。还有 30 被晶体管 占据了。所以它的感光面积减少 。采用背照式，光从背面通过并直接进入感光层的光子效率可达 80%。

        第三个是动态范围，所谓动态范围 有一个公式的定义：

画面中最亮的亮度除以最暗的亮度然后求对数，再乘 20 ，就是它的动态范围 。通常 CM OS 传感器动态范围是 40- 60dB， CCD 60 - 0 dB，人眼为 90 dB，自然场 100 dB ，动态范围 是衡量数字感光器件很重要 个指标。

        第四个是填充因子   ，即实际感光面与像素面积 的比值 理想情况下填 充因子为 100 ，然而 实际值往往在 30 ，这是因为感光面会被其 他元器件所占据 ， 通过微透镜可以得改善 ，但是微透镜的应用会 响到紫外光的检测 填充因子是影 响灵敏度的一个很重要的因素 。

        还有 个指标 叫做井深 是指每个像素可堆积电荷 多少。多数 CCD 可堆积 5000 电荷 高品质 CCD 可堆积 350000 个电荷 堆积的电荷越多， 感光器的灵敏度越高 ，如 4-29 示。

 内容参考《计算摄影学基础》，仅作学习使用。