芯片结温计算

首先搞懂几个英文缩写,代表了某个位置的温度(单位:℃):(大多数小白就是没搞懂含义所以老是记不住,我也是)

(1) TJ(Die Junction Temp):芯片的硅核温度,就是芯片内部核心的 温度,从英文缩写就可以看出,这是个死亡温度,设计者是绝对不能跨越的。

(2) Ta (Ambient Air Temp):芯片周围的空气温度。不大散热片的小功率器件一般以这个为计算参数。

(3) Tc(Package Case Temp):芯片封装表面温度。带散热片的大功率器件一般以这个为技术参数。

(4) Tb(Ambient board Temp):安装芯片的PCB表面温度。

代表的含义图示如下:

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
再搞懂上面几个字母组合的缩写英文单词的含义,这里表示的是热阻(这里不对热阻的概念深究,只需要知道热阻越大产生的热损耗越大,反之越小;特别注意热阻单位是℃/W)

(1) 热阻Rja:芯片的热源结(junction)到周围冷却空气(ambient)的总热阻,

(2) 热阻Rjc:芯片的热源结到封装外壳间的热阻,这个是最常用和有用的热阻。

(3) 热阻Rjb:芯片的热源结与PCB板间的热阻.

注:有些手册上Rja也表示成RθJA或者 θJA,Rjc和Rjb同理。

由下图的热阻#模型可以清晰看出,芯片内核的发热路径是:核心—封装表面——PCB——空气。
在这里插入图片描述
所以我们需要重点关注的是热阻Rja/RθJA/θJA,它的值越大表示此封装的散热效率越低,而值越小,表示器件散热效率越高。 封装尺寸越小,RθJA 值通常越大。

下面上两份手册理解一下:
以VSON封装为代表的TPS6123x电源升压芯片
在这里插入图片描述
以VSSOP封装为代表的TPS6200x电源降压芯片
在这里插入图片描述
由上图可见芯片TPS6123x每消耗1W能量,芯片温度上升49.1℃;TPS6200x每消耗1W能量,芯片温度上升160℃。

再然后就可以搞懂怎么计算结温了:(这里不会有人还不知道结温是什么吧,就上面第一个认识的英文缩写Tj)

其中 TJ 为结温,TA 为环境温度,RθJA 为热阻,PD 为功耗,Iground 为接地电流。一般来说VINIground是非常小的我们一般忽略不计,所以Pd=(Vin-Vout) Iout
下面举个例子:
室温下,使用TPS6200x将电压从5V降到3.3V,输出电流300ma。
Pd=(5V-3.3V)* 300ma = 0.51W
Tj=25℃+0.51W*160℃/W=106.6℃
这样子我们就计算出芯片在特定条件下的芯片结温了。

知道芯片结温后,我们就需要把计算值和芯片本身允许的结温最大最小值进行比较,看看是不是落在范围内,如果不是,那么就是热设计不合理,需要重新设计电路或者采取散热措施等。同样以TPS6200x的手册为例:
在这里插入图片描述
Tj要求落在-40~150℃之间,而我们计算值为106.6℃,所以芯片从这里看是合理的。

个人理解,有错误请广大网友指正。

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