芯片结温计算

首先搞懂几个英文缩写，代表了某个位置的温度（单位：℃）：（大多数小白就是没搞懂含义所以老是记不住，我也是）

(1) TJ（Die Junction Temp）：芯片的硅核温度，就是芯片内部核心的 温度，从英文缩写就可以看出，这是个死亡温度，设计者是绝对不能跨越的。

(2) Ta （Ambient Air Temp）：芯片周围的空气温度。不大散热片的小功率器件一般以这个为计算参数。

(3) Tc（Package Case Temp）：芯片封装表面温度。带散热片的大功率器件一般以这个为技术参数。

(4) Tb（Ambient board Temp）：安装芯片的PCB表面温度。

代表的含义图示如下：

再搞懂上面几个字母组合的缩写英文单词的含义，这里表示的是热阻（这里不对热阻的概念深究，只需要知道热阻越大产生的热损耗越大，反之越小；特别注意热阻单位是℃/W）

(1) 热阻Rja：芯片的热源结（junction）到周围冷却空气（ambient）的总热阻，

(2) 热阻Rjc：芯片的热源结到封装外壳间的热阻，这个是最常用和有用的热阻。

(3) 热阻Rjb：芯片的热源结与PCB板间的热阻.

注：有些手册上Rja也表示成RθJA或者 θJA，Rjc和Rjb同理。

由下图的热阻#模型可以清晰看出，芯片内核的发热路径是：核心—封装表面——PCB——空气。

所以我们需要重点关注的是热阻Rja/RθJA/θJA，它的值越大表示此封装的散热效率越低，而值越小，表示器件散热效率越高。 封装尺寸越小，RθJA 值通常越大。

下面上两份手册理解一下：
以VSON封装为代表的TPS6123x电源升压芯片

以VSSOP封装为代表的TPS6200x电源降压芯片

由上图可见芯片TPS6123x每消耗1W能量，芯片温度上升49.1℃；TPS6200x每消耗1W能量，芯片温度上升160℃。

再然后就可以搞懂怎么计算结温了：（这里不会有人还不知道结温是什么吧，就上面第一个认识的英文缩写Tj）

其中 TJ 为结温，TA 为环境温度，RθJA 为热阻，PD 为功耗，Iground 为接地电流。一般来说VINIground是非常小的我们一般忽略不计，所以Pd=（Vin-Vout） Iout
下面举个例子：
室温下，使用TPS6200x将电压从5V降到3.3V，输出电流300ma。
Pd=（5V-3.3V）* 300ma = 0.51W
Tj=25℃+0.51W*160℃/W=106.6℃
这样子我们就计算出芯片在特定条件下的芯片结温了。

知道芯片结温后，我们就需要把计算值和芯片本身允许的结温最大最小值进行比较，看看是不是落在范围内，如果不是，那么就是热设计不合理，需要重新设计电路或者采取散热措施等。同样以TPS6200x的手册为例：

Tj要求落在-40~150℃之间，而我们计算值为106.6℃，所以芯片从这里看是合理的。

个人理解，有错误请广大网友指正。