Class-D音频功放LC滤波器设计-CSDN博客

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_45189652/article/details/148000185

1.引言

高功率D类放大器应用时，输出功率通常在10W以上，需要在放大器的输出上设计滤波器。滤波器本质上是无源的，并且在每个输出端子上同时使用电感器和电容器，即LC滤波器。合适的器件选择对于终端应用优越的音频性能、效率、EMC/EMI性能和成本至关重要。

2.Class-D输出配置

TI公司的某些Class-D音频功放单芯片支持多种输出配置，给予用户终端应用更高的灵活性。

2.1 Bridged-Tied Load (BTL)

桥接负载 (BTL) 是D类功放最常见的输出配置。BTL配置架构为功放芯片中一个放大器驱动负载的一端，另一个与之反相的放大器驱动负载的另一端。这种架构导致与负载的一侧连接到放大器输出而另一侧连接到地的单端配置相比，对于给定的电源电压，这种配置的负载两端的电压为单端配置的两倍。相当于单端配置功率的4倍，因为P = V2/ R。
因为负载的每一侧都被驱动，所以负载不是接地参考的，因此，负载两端的电压必须相对于地进行差分测量。
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2.2 Parallel Bridge-Tied Load (PBTL)

并行桥接负载 (PBTL) 输出配置是采用立体声BTL放大器并将输出并联连接以用于单个单声道。尽管PBTL与BTL最大输出电压是相同的，但是PBTL最大电流是BTL的两倍，因为负载电流均匀地流经每个输出。这种配置与具有相同电源电压的BTL配置相比，PBTL通常允许以更高的输出功率驱动较低阻抗的负载。
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2.3 Single-Ended (SE)

单端 (SE) 配置中，仅使用一个输出来驱动负载，而不是BTL和PBTL配置中由一对反相的输出驱动负载。由于这个原因，单端配置与BTL配置相比，只有一半的信号摆幅是可用的，或者说是总输出功率是BTL配置的四分之一。但是，单端配置可以在单个立体声BTL放大器中使用四个通道。有些功放也支持1个BTL加2个单端的组合配置。
由于D类放大器的PWM调制，在经过LC滤波器之后存在PVDD/2或电源电压一半的DC电压。在单端SE模式配置下，因为扬声器现在是以地为基准的，所以需要DC隔直电容或采用其他方法将扬声器参考到PVDD/2，使得不出现直流DC电压流经扬声器。
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3. Class-D调制方案

主要介绍如何将模拟信号转换为PWM信号，以驱动输出电桥中的MOSFET。大多数D类放大器调制方法采用AD调制（传统）或BD调制。

3.1 AD（传统）调制

传统的开关技术（AD调制）调制矩形波形的占空比，使其平均内容与输入模拟信号相对应。BTL配置输出彼此相反，AD调制输出中没有明显的共模切换内容。但是，由于PWM开关的平均值，所以存在共模DC电压。因为负载的两侧都可以感受到此直流电压电平，因此它不会导致负载上的功率耗散。该DC电压等于PVDD/2，或电源电压的一半。
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因为开关波形几乎完全是差分的，所以A输出和B输出BTL连接的负载看到完整的开关波形。在空闲时，放大器以标称PWM频率切换，负载两端具有50%占空比波形，所以导致大量电流和功率耗散在负载中。LC滤波器对于减小电流以获得良好的效率是必要的。
通常，AD调制D类放大器的纹波电流越低，由于输出MOSFET的RDS(on) 上的负载耗散降低和I2R损耗降低，效率就越好。

3.2 BD调制

BD调制切换技术调制输出信号的差的占空比，使得其平均内容对应于输入模拟信号。BD调制方式时BTL配置输出彼此不相反，BD调制在其输出中具有显著的共模内容。
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4. Class-D输出LC滤波器

4.1 输出LC滤波器频率响应特性

选择电感器和电容器的值时，二阶D类LC输出滤波器的频率响应至关重要。LC滤波器的响应随扬声器的负载阻抗而变化，负载阻抗决定了输出LC滤波器的阻尼比，分为过阻尼，临界阻尼和欠阻尼。了解所应用扬声器的负载阻抗并选取合适的LC值对于适配负载变化至关重要。理想情况下，LC滤波器值被选择用于临界阻尼、平坦通带和相位响应。为二阶低通滤波器选择组件时的两个考虑因素是截止频率和Q值或阻尼比。
TI建议使用二阶Butterworth低通滤波器，因为它具有平坦的通带和相位响应，不建议使用峰值过高的LC滤波器，如下图所示的欠阻尼滤波器响应。在高频下，峰值通常对人耳来说是刺耳的，并且还可能触发放大器的保护电路，如过流保护。另外，过阻尼滤波器导致音频带中的高频音频内容衰减。
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4.2 Class-D BTL输出LC滤波器拓扑

对于Class-D放大器，根据调制方法的不同主要有两种类型的滤波器拓扑。Type-1形式的滤波器是一种差分滤波器，仅用于AD调制放大器。Type-2滤波器是一种常用的滤波器，主要用于BD调制放大器。
下表显示了每种滤波器类型和相关的单端等效电路，将用于频率响应和阻尼分析，单端等效用于简化每种滤波器类型的计算。
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4.3 单端滤波器计算

由于4.2节中每种滤波器类型都涉及到单端等效模型，以便于分析，因此必须了解单端滤波器的频率响应。单端LC滤波器如下图所示。
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单端LC滤波器截止频率为：

弧度和赫兹频率之间的转换关系为：

品质因数Q为：

阻尼比为：

如前所述，通常需要设计一个Butterworth响应的临界阻尼滤波器。对于这种类型的滤波器，Q = 0.707 = 1 / √2，通过将Q=1/√2代入前面列出的截止频率和品质因数的方程中，可以推导出临界阻尼系统的L和C值，前提是已知所需的截止频率ωo。
临界阻尼巴特沃兹滤波器的电感值计算为：
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临界阻尼巴特沃兹滤波器的电容值计算为：

4.4 Type-1滤波器分析

Type-1滤波器是为AD调制D类放大器设计的差分滤波器。AD调制在其输出上没有显著的共模内容，因此分析时只需要对差模进行分析。AD调制BTL配置Type-1滤波器如下图所示：
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上图Type-1型滤波器可以等效为一个共模滤波器，如下图所示，CBTL必须按2倍缩放，因为在共模模型中，电容器是串联的。

由上图可知单端等效滤波器，如下图所示，原始滤波器和单端等效滤波器之间的区别在于，CBTL被乘以2，RBTL被除以2。
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4.4.1 Type-1频率响应示例

根据4.3节计算公式，设计一个带宽40KHz，扬声器负载阻抗4Ω的滤波器。
电感L的计算公式为：
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其中：

所以，理论计算L取值为：

实际标准电感值与理论计算值最接近的是10uH，所以L取值为：

电容C的计算公式为：

其中：

所以，理论计算C取值为：

实际标准电容值与理论计算值最接近的是0.68uF，所以C取值为0.68uF。
对于负载阻抗为4Ω的扬声器，采用上述实际值的电感和电容，此时，品质因数Q为：
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接近于目标品质因数Q=0.707。
截止频率为：

截止频率峰值用dB表示为：

Type-1形式LC滤波器采用CBTL = 0.68 µF，LBTL = 10 µH时，使用下述方程式，可以绘制不同扬声器负载下LC滤波器的频率响应，以提供各种扬声器负载下LC滤波器响应的完整视觉评估。
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4.5 Type-2滤波器分析

Type-2形式D类滤波器是为BD或AD调制放大器设计的共模滤波器。由于Type-2滤波器是共模滤波器，因此可以很容易地将其转换为等效的单端形式。Type-2滤波器如下图所示：
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上图Type-2型滤波器可以等效为一个共模滤波器，如下图所示。

由上图可知单端等效滤波器，如下图所示，原始滤波器和单端等效滤波器之间的唯一区别在于RBTL被除以2。

4.5.1 Type-2频率响应示例

根据4.3节计算公式，设计一个带宽40KHz，扬声器负载阻抗4Ω的滤波器。
电感L的计算公式为：
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其中：

所以，理论计算L取值为：

实际标准电感值与理论计算值最接近的是10uH，所以L取值为：

电容C的计算公式为：

其中：

所以，理论计算C取值为：

实际标准电容值与理论计算值最接近的是1.5uF，所以C取值为：
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对于负载阻抗为4Ω的扬声器，采用上述实际值的电感和电容，此时，品质因数Q为：

接近于目标品质因数Q=0.707。
截止频率为：

截止频率峰值用dB表示为：

Type-2形式LC滤波器采用CBTL = 1.5µF，LBTL = 10 µH时，使用下述方程式，可以绘制不同扬声器负载下LC滤波器的频率响应，以提供各种扬声器负载下LC滤波器响应的完整视觉评估。
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4.6 AD调制的混合滤波器

对于某些应用，将Type-1和Type-2滤波器组合用于AD调制放大器的混合滤波器可能更好。通过在Type-1滤波器中添加Cg，可以改善高频对地去耦，因为放大器AD PWM调制从来不是完全差分的。对于混合滤波器，TI建议Cg = 0.1 × CBTL。AD调制的混合滤波器如下图所示：
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根据之前对Type-1和Type-2滤波器的研究，可以很容易地得出混合滤波器单端等效如下图所示。

4.6.1 混合滤波器频率响应示例

根据4.3节计算公式，设计一个带宽40KHz，扬声器负载阻抗4Ω的滤波器。
电感L的计算公式为：
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其中：

所以，理论计算L取值为：

实际标准电感值与理论计算值最接近的是10uH，所以L取值为：

电容C的计算公式为：

其中：

所以，理论计算C取值为：

再根据下式：
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其中：

所以理论计算C为：

所以电容CBTL和Cg值为：

实际使用电容值为0.63uF和0.12uF。
对于负载阻抗为4Ω的扬声器，采用上述实际值的电感和电容，此时，品质因数Q为：

接近于目标品质因数Q=0.707。
截止频率为：
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截止频率峰值用dB表示为：

混合滤波器采用CBTL = 0.63µF，Cg = 0.12uF，LBTL = 10 µH时，使用下述方程式，可以绘制不同扬声器负载下LC滤波器的频率响应，以提供各种扬声器负载下LC滤波器响应的完整视觉评估。
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4.7 Type-1或Type-2滤波器的AD调制

由于Type-2滤波器上的Cg电容器通过接地共享一个公共节点（地），因此对于差分信号来说，看到的电容值为Cg/2，因为电容器是串联在差分信号之间的。因此，通过适当选择Cg电容值，Type-2也可用于需要差分滤波器的AD调制D类放大器。从Type-1到Type-2的转换只需要将CBTL缩放2倍，也就是说，对于相同的滤波器截止频率和阻尼系数，Cg=2 x CBTL，如下图所示：
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4.8 LC滤波器快速选择指南

下表中的滤波器组件是基于Type-2滤波器配置，表中的参数是选择电感器和电容器值时LC滤波器响应的指标。Q值可以评估滤波器的阻尼以及高频是否存在峰值，ƒ0是滤波器的谐振截止频率，可以评估滤波器的带宽，20kHz处的峰值是音频频带中滤波器平坦度的指标。基于D类放大器的PWM频率，访问载波基频的滤波器衰减量是一种很好的做法，更高的衰减有助于最大限度地降低载波信号干扰的风险。
扬声器负载阻抗为8Ω时，参数如下表所示：
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扬声器负载阻抗为6Ω时，参数如下表所示：

扬声器负载阻抗为4Ω时，参数如下表所示：

5. 高性能D类音频电感器的选择

5.1 电感器线性度

D类放大器输出LC滤波器中使用的电感器的电感与电流曲线会显著影响总谐波失真（THD）性能。
理想的电感器保持指定的电感值，无论有什么电流通过它。然而，现实世界的电感器总是具有随着电流增加而电感减小的特性，在某一点，电流会使电感器饱和，并且电感量严重下降，这通常被指定为饱和电流Isat。因为电感器线性度是电流的函数，所以在较低阻抗负载的情况下电感器容易失真，典型电感饱和曲线如下图所示：
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Isat饱和电流下的电感量变化因制造商和电感器类型而异，有些制造商将电感量变化30%或者更高定义为Isat。对于D类LC滤波器，电感器一直工作在Isat电流情况下会导致非常差的音频性能。
通常，对于给定的磁芯材料、尺寸和几何形状，电感越高 (导线匝数越多)，电感器的线性度越低。

5.2 纹波电流

纹波电流定义为流过D类放大器输出电感的交流电流。由于以AD调制方式运行的BTL或PBTL放大器的异相特性，如果不存在LC滤波器，则会在负载的端子之间看到完整的PWM信号。这会导致高频电流通过负载，从而导致高功率耗散，低效率和潜在扬声器损坏。
对于LC滤波器，特别是当LC滤波器的截止频率相对于放大器的pwm开关频率减小时，纹波电流减小，使得在LC滤波器之后仅存在小的残余纹波。LC滤波器的电抗消除了纹波的其余部分，并且不会耗散任何功率，扬声器的音圈电感可以进一步减小纹波电流。
在BD和AD调制放大器中还需要较低的纹波电流，以减少输出FET的Rds (on) 和输出电感器的DCR上的损耗。在BTL配置中，必须考虑输出桥两侧的纹波电流引起的总功率耗散。
通过电感器的纹波电流定义为:
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其中
di/dt为电感电流的变化率；
V为电感两端电压；
L为电感量。

5.2.1 单电源D类放大器计算纹波电流

在空闲时，50%D类放大器的PWM占空比，可以计算空闲时放大器的最大纹波电流。
AD和BD调制D类放大器在LC滤波器处于空闲状态后产生PVDD/2的共模电压，因为这是50%占空比PWM开关波形的平均值，PVDD/2共模电压示意图如下图所示：
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因此，当PWM电压为PVDD/2时，输出电感器两端的电压实际上改变了极性。电感器两端的最大电压为PVDD/2，最小电压为-PVDD/2，如下图所示：

根据这些参数，绘制电感器电压和电流波形如下图所示：
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在空闲时，流过电感器的正负电流必须是对称的，并且其中心在零附近。否则，会在扬声器两端产生DC偏移和通过负载的恒定平均电流。上图电感器电压和电流波形图中的阴影区域指示电流流动的方向。通过下式可以计算空闲时的峰值纹波电流：
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增加电感可以减小输出纹波电流，并且通常可以得到更好的效率。

5.3 最小电感

一些放大器要求输出具有最小电感，该规范对于在过流 (OC) 事件期间保持放大器的可靠性非常重要。
如果BTL放大器的输出在没有电感器的情况下意外地短路到地，则当PWM输出信号从低到高时，输出电流立即增加到非常高的电平。由于典型的OC保护响应的时间延迟，在此事件期间的输出电流可能会超过允许的极限，并且输出级可能会出现故障。
使用电感器，在短路输出事件期间输出电流的变化率受到电感的限制，因此，OC保护电路可以在电流超过破坏水平之前做出响应。
示例：假设TPA3251器件上存在输出对地短路，在此事件期间，LC滤波器的负载侧处于地电位，而不是正常的PVDD/2。因此，当放大器的PWM输出转变为高时，电感器两端的电压是全PVDD电源电压。
TPA3251数据表中指定的最小电感为5µH，过流保护的响应时间为150ns。在标称电源电压为36V的情况下，可以计算在启用OC保护之前电流的最大上升值，如下式所示：
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由于输出上为5µH电感，所以电流允许最大上升至1.08A。
通过限制电流的上升，在输出短路事件期间保护放大器免受过大电流的影响。

5.4 铁芯损耗

磁芯损耗是电感器磁芯中的寄生功耗，也称为磁损耗，磁芯损耗消耗放大器功率，产生额外的热量，并破坏效率。理想情况下，电感器将所有能量存储在所使用的磁芯材料中; 然而，由于磁芯中的感应涡流，总是存在一些功率损耗。磁芯损耗随开关频率、磁芯材料和开关电流而变化。电感磁芯损耗的等效模型如下图所示。
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Rs是串联电阻，等于电感器的直流电阻 (DCR) (该电阻与导线线圈匝数有关)，L是标称电感值，Rp是模拟磁芯或磁损耗的并联电阻。
根据等效模型，如果Rp较大，对于电感器两端的给定电压，则电阻器Rp的功率耗散较低。尽管计算和理论磁芯损耗的来源很多，但是可以通过使用LCR表来比较不同的电感器，该LCR表可以测量Rp，用于估算磁芯损耗。
由于磁芯损耗与工作参数有关，因此设置LCR以模拟放大器中的条件非常重要。例如，测试信号频率应当被设置为放大器的PWM频率，并且偏置电流应当强制等于空闲时的峰值纹波电流，在这些条件下，可以进行Rp的比较测量。
**示例：**使用安捷伦E4980A LCR测试仪测试10个电感。LCR表测试电感器的测试条件为600KHz，2V测试信号和1A直流电流，测量Rp和耗散因子，然后将电感器安装在TPA3251EVM评估板中，并在600KHz的空闲开关下使用放大器测量PVDD电源，得到数据如下图表格所示：
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从数据中可以明显看出，Rp测量值较高时会导致PVDD电源的功耗降低，从而提高系统效率。电感器1和5具有几乎相同的测量电感，但是对于电感器5，空闲时的功率耗散高出3倍以上。这种功率耗散可以归因于磁芯损耗，因为电感以及纹波电流是相同的。还要注意，PVDD功率耗散是在空闲时测量的，其中电感器的DCR贡献最小损耗。

5.5 直流电阻DCR

电感器DCR，用Rs表示，是制造电感器中绕组的导线的串联电阻，该电阻是在DC下测量的，因此电感器的阻抗随频率变化不会影响测量。
尽管DCR通常非常低，但在高输出电流下，DCR会对音频信号造成相当大的功率损耗，串联电阻DCR引起的损耗计算简单，如下式所示：
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对于D类放大器，流过电感器的电流容易计算，因为负载两端的信号电压和负载电阻是可测量的，电感器DCR可以测量或从数据手册中读取。
对于BTL放大器，需记住有两个电感器与负载串联 (输出桥每侧一个电感器)，因此单个BTL通道的DCR功率损耗是一个电感器的损耗两倍。
下图显示了TPA3251放大器的测量功耗与2×BTL配置中的总输出功率的比较，系统曲线显示了系统的总功耗。电感器DCR损耗曲线显示了仅由于DCR损耗而计算出的电感器功耗。
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上图中红色曲线是通过从电感器系统功耗中减去DCR损耗得到的，可以更好地估计实际设备功耗。该曲线被标记为减去电感器DCR损耗，请注意，磁芯损耗没有被考虑在内。

5.6 使用TPA3251研究电感

由于TPA3251放大器的高功率和卓越的音频性能，所以该器件被用作测试平台来说明电感器的性能。
对于TPA32xx系列器件，基于功耗、性能和滤波器截止频率之间的平衡，7µH至10µH是电感的推荐范围，由于这个原因，大多数测试的电感器都在这个电感范围内。
以下测试是使用TPA3251器件进行的，该器件设置为2×BTL输出，负载为4 Ω。PWM开关频率设置为600KHz，PVDD电源为36V。
LCR仪表测试包括：电感测量（600KHz、电流1A和7A）；1A时的串联电阻Rs；1A时的并联电阻Rp；1A时的耗散因数。
使用TPA3251放大器，对电感器进行了以下测试：THD+N与电源性能；20W时THD+N与频率；空闲时的PVDD功率；每通道20W时的PVDD功率。

5.6.1 测试结果

两种方式电感测试结果如下表所示：
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基于使用TPA3251器件测试的电感器，找到了一些适用于高性能D类音频的电感器。这些电感器中的任何一个都是TPA32xx D类放大器系列的良好候选者，假设该电感器可以满足最终应用的目标输出功率和目标性能。
基于所执行的测试，使用低到高 (1为低，5为高) 1-5点标度，针对音频性能、磁芯损耗、DCR和尺寸对所推荐的电感器进行评定，TPA32xx D类系列推荐的电感如下表所示：
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5.6.2 结论

从TPA3251器件的电感器研究结果来看，很明显，电感器在音频性能和总系统功耗方面发挥很大的作用。电感值，DCR，线性度和磁芯损耗因子会影响整个系统的性能，并且必须根据特定应用的设计目标来考虑。
对于TPA32xx系列器件，7µH电感器对于终端应用来说更加合适，因为它可以改善线性度，并且通常可以改善高电感值的失真性能。然而，对于功率效率更高的系统，10µH可能是更好的选择，因为纹波电流减少，但是对性能可能有轻微的影响。
在这两种情况下，必须考虑磁芯损耗以及DCR。尽管由于纹波电流降低，10µH电感器可能会降低输出功率的功耗，但如果它具有高DCR，则在高电流下的损耗可能会比具有更高纹波电流的7µH电感器更大。

6. 电容器选择

电容器的选择对于保持平坦的LC滤波器频率响应和最小化失真以获得最佳音频性能至关重要。有许多可用的电容器类型，包括薄膜、陶瓷和电解电容等。本节讨论为大功率D类音频放大器应用选择电容器的关键参数和权衡。本节讨论为大功率D类音频放大器应用选择电容器的关键参数和权衡。

6.1 D类输出电压概述

D类输出LC低通滤波器中的电容器对于放大器的频率响应至关重要。AD、BD调制的D类单端滤波器如下图所示：
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由于温度、电压、电流或其他因素引起的电容变化会影响音频频率的位置，并最终影响音频性能。LC滤波器频率响应如下图所示：

为了选择适当的电容器，下图显示了经过D类LC滤波器后的音频正弦波信号和相应的电压，D类LC滤波器输出如下图所示：
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其中：Vmax是包括交流和直流输出电压的最大峰值电压，单位为VDC。
VAC是交流音频峰峰电压，单位为Vpp。
Vbias是大多数单电源D类放大器上的直流偏置电压，此偏置电压是电源电压的一半。在BTL应用中，直流偏置电压在扬声器两端抵消；在单端应用中，需要交流耦合电容器来阻断直流偏置电压。单位为VDC。

6.1.1 纹波电压

纹波电压是由电感器充电和放电周期引起的。纹波电压表现为叠加在正弦波输出上的三角波形，LC滤波器中的电容器负责过滤该纹波以平滑音频信号，电容器两端的纹波电压会在电容器中产生交流电流，从而导致功耗。如果电容器没有很好地处理该电流，则会发生过热。D类LC滤波器输出纹波如下图所示：
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其中：Vmax是包括交流和直流输出电压的最大峰值电压，单位为VDC。
VAC是交流音频峰峰电压，单位为Vpp。
Vripple是纹波电压，单位为Vpp。

6.2 电容器额定值和规格

为了确保电容器对音频质量的影响最小，以下是选择电容器时要考虑的几个关键参数。
电容器制造商提供了许多在系统中安全使用电容器的额定值和规格。本节简要介绍与电容器相关的额定值和规格，以及如何在D类音频信号的背景下使用它们。
以下介绍电容器的常用参数，由于电容器的结构和介电材料，某些类型的电容器比其他类型的电容器更常见。
1>电容值：电容器的主要功能参数，表征存储电荷的能力。可用的电容值因技术、额定电压和尺寸而异。制造商在数据表中提供了部件间的电容变化。
2>最大电压（VMAX）或额定电压：电容器安全运行的绝对峰值电压（直流、交流或脉冲）。这是电容器应该看到的最高电压，包括音频信号、开关纹波和任何电压过冲。
3>最大温升（额定交流电压和交流电流）：导致电容器自热的最大交流均方根电压或交流电流。通常基于正弦波，该额定值仅用于测量交流信号。使用高于允许值的电压或电流可能会导致电容器过热和损坏。
4>脉冲上升时间（dv/dt）或峰值电流（Ipeak）：定义电容器承受快速电压变化引起的高峰值电流的能力，通常以伏特/微秒（V/µs）为单位进行测量。这类似于额定交流电压，但适用于脉冲或方波等波形。有时，“脉冲上升时间”是根据峰值电流而不是电压来指定的。通常，由于结构原因，“脉冲上升时间”对薄膜型电容器很重要，与其他电容器类型无关，可能不会列出。在大多数低于100kHz的LC滤波器应用中，都满足脉冲上升时间要求。
5>等效串联电阻：与电容器串联的电阻，表示电容器中的功率损耗。它是引线电阻和电介质损耗的总和，ESR用于估算电容器中因交流纹波电流导致温度升高的功率损耗。
6>耗散因数（DF）：在特定频率下，所有电容器纯电阻损耗与电容器电抗之比。另一种确定电容器功率损耗的方法，类似于ESR。
7>介质材料：电容器中两个导体之间的绝缘材料。
8>封装：将电容器焊接到板上所需的组件；表面贴装（SMT）或通孔。
快速选择电容器应考虑以下因素：
1>电容：LC滤波器中的典型电感为7µH或10µH，0.68µF或0.47µF的电容值提供了73KHz左右的拐角频率，以最大限度地提高TPA32xx D类放大器的带宽。
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2>电容器类型：大多数高功率音频应用使用金属化薄膜（MF）电容器或陶瓷电容器。为了在温度、电压、电流和频率上获得最佳的音频性能，建议使用金属化薄膜电容器或类似电容器，而不是陶瓷电容器。陶瓷电容器可用于尺寸非常有限的应用，应进行彻底的可靠性测试，但音频性能可能会受到影响。
3>额定电压：由于电容器类型不同，金属化薄膜电容器和陶瓷电容器的交流和直流电压要求不同。
金属化薄膜电容器：与陶瓷电容器一样，金属化薄膜容器不易受到电容电压降额的影响，但是，由于结构原因，它们具有电压转换速率（dv/dt）限制（或峰值允许电流），以防止对薄膜层的损坏。对于50-V峰峰值音频输出和约73kHz的LC滤波器转角频率，转换速率约为23V/µs。建议的最小dv/dt为100 V/µs，以提供裕度。一般来说，大多数金属化薄膜电容器都能满足音频信号转换速率的要求。
陶瓷电容器：作为指导原则，陶瓷电容器的电容值降低百分比与工作电压和额定电压比值百分比相同。
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例如，当向100-V额定电容器施加50V时，电容减小约50%。大多数电容器供应商提供电容与电压曲线，以实现精确的降额。为防止LC滤波器随频率变化，陶瓷电容器额定电压必须大于150 V，建议为250 V。
4>等效串联电阻（ESR）：特定频率下的电容器等效交流电阻会导致电容器中的功率损耗。对于高功率音频应用，低ESR对于减少电容器损耗至关重要。建议在低频时ESR峰值为1Ω，在高频时ESR值较低。请参阅大多数电容器制造商提供的ESR与频率图。
5>最大温升（额定交流电压和交流电流）：由于等效串联电阻（ESR）损耗而产生可接受的温度升高的最大允许交流电流。对于高功率音频应用，这一点很重要，因为通过电容器的交流纹波电流可能很大。

6.2.1 最大电压或额定直流电压

最大额定电压是电容器端子上的绝对最大电压。该最大值包括交流信号、直流偏移和振铃引起的过冲。
单电源D类放大器输出是在电源电压一半的直流偏置电压上叠加交流电压。音频的最佳表示是直流+交流电压和交流电压，如下图所示：
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使用下式估算电容器两端的最大电压：

6.2.2 ESR和耗散因数

等效串联电阻（ESR）和耗散因子是估算电容器损耗的可互换的方法。请参阅第6.2.3节，使用ESR或耗散因子估算功率损耗。
ESR表示与理想电容器串联的电阻。ESR是一种估算电容器内损耗的简单方法。等效模型如下图所示：
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耗散因数是一种略有不同的测量方法，主要用于比较电容器的质量。它是ESR与电容电抗的比值。耗散因子包括由于介电材料电抗引起的损耗，在比较不同的电容器技术时，这使得更容易理解哪个电容器的损耗较小。介质损耗角表示如下：
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较低的耗散因数意味着更少的功率损失。

6.2.3 最大温升（额定交流电压和交流电流）

电容器制造商提供最大温升或工作温度，以防止电容器过热。为了方便起见，大多数制造商提供与最高温度限制相对应的交流电压或电流限制。最大均方根电压和电流通常以频率图的形式提供。交流电压和电流限制提供了一种限制功耗和防止电容器过热的方法。
对于音频LC滤波器应用，由于交流电压和电流引起的损耗是电感器充电和放电循环产生的纹波电压的结果。充电和放电周期频率发生在D类开关频率。
为了估算功率损耗和温升，首先根据5.2.1中计算公式计算纹波电流，然后使用以下方程式计算电容器中的功率损耗，使用ESR或耗散因子计算通过电容器的交流电压和电流引起的温升是很好的方法，如下图所示：
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使用方程式16和方程式17计算的功率损耗，可以使用电容器数据表中的热系数计算出由于自热引起的电容器温度。通常，有一个热系数，表示为温升与以瓦为单位的功耗之比。热系数通常考虑电容器尺寸和表面积。
Thermal Coefficient = Δ°C / W ；表示每消耗1W的功率，温度变化Δ°C
额定交流电压或电流对于高功率音频应用非常重要，因为通过电容器的纹波电流很高。一定要验证数据表中所选电容器的性能，并在最坏的情况下测量温度。

6.2.4 脉冲上升时间（dv/dt）或峰值电流（Ipeak）

脉冲上升时间或峰值电流通常被指定为脉冲型波形（非周期性）的额定交流电压的替代方案；然而，对于金属化薄膜电容器（MFC）来说，它的重要性超越温度。
MFC电容器的结构和材料使其容易受到高dv/dt电压上升时间或峰值电流的影响。违反脉冲上升时间（dv/dt）会导致电容器永久损坏和电容损伤。
计算电感器电压纹波的上升时间，并确保其低于电容器数据表中列出的值。
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6.3 电容类型

6.3.1 电容类型选择

制造电容器有许多不同的材料和制造技术。以下是对电容器三大类的简要概述。但是，请注意，同一类别的电容器之间可能存在显著差异，因此请使用电容器数据表来确定每个电容器的实际性能。
下表比较关键电容器参数，快速了解每种类型之间的差异和特点。对于更高电压的D类放大器，金属化薄膜电容器最为常见，电解电容器几乎从未用于LC滤波器。
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下表概述了每种电容器类型电容变化的主要因素。

下表比较每种类型电容器的关键可靠性参数。在考虑电容器的电流和电压能力时，这些参数很重要。

6.3.2 金属化薄膜电容器

下列描述对选择金属化薄膜电容器很重要的参数。
1>脉冲上升时间（dv/dt）：定义电容器承受快速电压变化引起的高峰值电流的能力，通常以伏特每微秒（V/µs）为单位进行测量。通常，脉冲上升时间对于薄膜型电容器很重要，因为高电流会损坏与电容器薄膜金属结构的连接。
2>交流电压额定值：导致电容器自热的最大交流均方根电压或交流电流
3>温度系数：薄膜电容器的温度系数比陶瓷电容器好得多，温度变化通常小于3%

6.3.2.1 交流电压或电流额定值

大多数薄膜电容器制造商提供额定交流电压或交流电流图，显示电容器的安全交流工作范围，提供交流电压或电流额定值以限制电容器的功耗和发热。
交流电压或电流额定值只是波形的交流部分。此参数不考虑直流偏压；然而，交流+直流电压不应超过最大额定直流电压参数。
下图表显示了两个不同电容器的额定交流电压。请注意，两者的直流额定电压均为250V；然而，交流电压的处理方式却大不相同。Kemet电容器比Vishay电容器处理更多的交流电压，如下图所示：
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大多数薄膜电容器的额定电压也取决于温度，制造商提供两个图表或85℃以上温度的降额公式。

6.3.2.2 温度系数

金属化薄膜电容器电容随温度的变化比X7R型陶瓷电容器好得多，通常随温度变化小于4%。下图显示了Vishay薄膜电容器电容相对于标称电容的百分比变化与环境温度的关系。
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6.3.3 陶瓷电容器

陶瓷电容器是当今电子产品最标准化的组件。但是，不要将其神化，陶瓷电容器由于结构和材料的不同而表现出截然不同的特性。下表描述了选择陶瓷电容器的重要参数。
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6.3.3.1 尺寸

陶瓷电容的最大优点之一是体积小，然而，随着电容和额定电压的增加，电容器的尺寸可能会增大。例如，X7R型电容器，1µF，额定电压200V，采用2225标准化表面贴装封装尺寸，如下图所示：
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陶瓷电容器制造商提供表面贴装和引线封装。它们还提供各种介电材料，在电压、温度和频率上提供更稳定的电容。

6.3.3.2 直流偏置电压

直流偏置电压对于陶瓷电容器来说很重要，因为电容会根据施加的直流电压而变化。直流偏压效应是由陶瓷电容器的介电特性引起的。
电容器制造商会提供一个图表，显示电容变化与施加的直流电压的关系，应用电容时，请确保在直流偏压下电容是可接受的，如下图所示：
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6.3.3.3 温度系数

根据定义，IEC或EIA II级标准的陶瓷电容器适用于高容积效率（小尺寸）和滤波器应用。该行业已采用字母代码标准来指示电容随温度的近似变化。
该代码由3个字母组成，含义如下：
第一个字母——最低工作温度。
第二个字母——最高工作温度。
第三个字母——电容随温度的变化。
例如，X7R代码表示：“电容温度范围-55°C到125°C，电容值可能在15%到-15%之间变化。”
其余代码含义如下表所示：
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为了最佳性能、在尺寸受限的应用中，因为陶瓷电容器的尺寸小，所以成为首选，建议使用代码为X7R的陶瓷电容器。