深入理解电容

1、什么是电容？

  电容器广泛应用于电子产品中，那么对于电容器真的了解吗？

  电容器是用于储存电荷的器件，其中包含一对或多对由绝缘体分隔的导体，而电容是指电容器储存电荷的能力。
  电容器能储存多少电荷的标准叫做电容值。电容的单位是F（法拉），定义将1V电压（电位差）给予某导体，储存1C（库伦）的电荷时，电容值为1F。电容值计算公式如下：

2、电容工作原理

  电容的工作原理是通过在两个电极上储存电荷来储存电能。‌当电容器与电源连接时，电源的正极会吸引与其连接的电容器一极的电子，使其带正电；而电源的负极则释放电子到电容器的另一极，使其带负电。随着电荷的积累，电容器内部建立起电场，同时存储了电能。当电容器两端电压达到电源电压时，充电停止。充放电如下图所示。

3、隔直通交特性

  隔直：电容在直流电路中时，因为直流电的正极和负极方向不会发生改变，当给电容充满电后，电路中不会有电流流动，即电容的隔直特性。
  通交：电容在交流电路中时，因为交流电的正极和负极方向不断地改变方向，为电容反复地充放电，电路中持续有电流流动，即电容的通交特性。这种通交特性是对表象的理解，实际并没有电流流经电容，如下图所示。

4、电容分类

  电容两个电极之间根据电介质的不同电容器分为多种类型。例如：电解质做介质的电容，导体平面是分为正负极的，不能反接；陶瓷、聚丙烯薄膜、云母等绝缘材料做介质的电容，导体平面是不分正负极的，可以反接。铝电解电容和钽电容是电解质电容，陶瓷电容是非电解电容。电解电容比陶瓷电容稳定，容值随温度和电压变化小，但是其ESR（等效串联电阻）比陶瓷电容大。下表为常用的4种电容对比。

  为了从宏观上看到各电容种类的应用范围，下图将几种电容画在了一个图中（MLC多层陶瓷电容，Film薄膜电容，Tantalum钽电容，Aluminum铝电解电容）。横坐标表示电容的容值，纵坐标表示电容的耐压值，图中不同颜色的区域代表这个电容能覆盖的范围。从图中可以看到一般的铝电解电容可以覆盖nF到mF的容值范围，耐压值在400V以内。趋势是容值越大耐压值越低，这是因为受体积的限制导体面积受限，在电解质不变的情况下，增加电容量需要减小导体间的距离，距离越小击穿电压就越低。

5、电容的频率特性

  理想中的电容没有寄生参数，是单纯的电容，但是现实世界中，生产的电容由于自身的工艺结构特点，其内部和外部的导线上存在电阻（ESR等效串联电阻），并且导线有一定的长度，同时存在寄生电感（ESL等效串联电感）。电容的等效模型如下图所示。

  由于寄生参数的存在，电容的总体阻抗随频率发生变化。如下图所示。

  上图中是几种不同容值的电容阻抗随频率变化的曲线。横坐标是频率轴，纵坐标是阻抗。阻抗曲线的最低点是电容的谐振频点，谐振频点上jwL=1/jwC，得到谐振频率w=1/√LC。谐振频点左边，jwL < 1/jwC，电容呈现容性。谐振频点右边，jwL > 1/jwC，电容呈现感性。下表为ESR和ESL的影响因素。
  基于上述原因，所以在选择滤波电容时，必须关注所选电容的谐振频率点，使得需要滤除的噪声频率位于所选电容的谐振频率点左侧附近，容性区域阻抗最低处，才能达到良好的滤波效果，切忌不要想当然的放0.1uF的电容，有时候是不起作用的，所以一定要清楚需要被滤除的噪声频率，再去选择谐振频率点满足要求的电容。

  下图是相同容值不同封装电容的ESL随频率变化的曲线，图中可以看出封装越大ESL越大，当频率较高时，ESL几乎不再变化。

6、电容的温度特性

  电介质随温度和电压发生变化。EIA（美国电子工业联合会）将电容分为一类（Class I）和二类（Class II）电容。由于电容内部的ESR，有电流流过时就会发热导致电容温度升高，所以选择电容时要使电容在系统的设计温度范围内都能正常工作。
  Class I类电容的容值随环境变化非常小，小于0.3%，并且可以工作在大于UHF（超高频300MHz-3000MHz）的频段，接近理想电容。Class I类电容容值较小，主要用在振荡电路，滤波器和时钟电路中。
  Class II类电容的命名方法如下表，由三个字符组成：第一个代表能正常工作的最低温度，第二个表示能正常工作的最高温度，第三个表示容值在这个温度范围内的误差。例如X7R表示以X7R作为电介质的电容温度范围为-55°到125°，误差±15%。Class II类主要用在电源、去耦等需要大容量低精度的场合。

  Class II类电容使用高介电常数的介质，所以小的体积下就可以得到更大的容值。这使得Class II类电容虽然温度特性较 Class I类电容差，但仍很有价值。下图展示了Class II类电容中三种电介质的电容温度特性曲线。

  上图中从左到右分别是X7R、X5R和Y5V三种电介质构成的电容。红色线是误差范围的边界。可以看到X7R和X5R的误差相似，但是X7R比X5R的温度范围宽。X5R和Y5V的温度范围相似，但是X5R比Y5V的误差小。跟Class II类的电容表格描述一致。所以选择电容时要留有余量，使电容在系统的设计温度范围内都能正常工作。

7、电容的电压特性

  考虑到电容器的动态特性（以非线性方式存储和耗散电荷），有些极化现象在不施加外部电场的情况下也可能会出现；这就是所谓的“自发极化”。自发极化是由材料的不活跃电场引起的，不活跃电场为电容器提供初始电容。对电容器施加外部直流电压会生成电场，生成的电场会反转初始极化，然后将剩余的有源偶极子“锁定”或极化到位。**极化与电介质内电场的方向有关，锁定的偶极子不会对交流电压瞬变作出反应，因此，有效电容低于施加直流电压前的值。**如下图所示。

  对电容器施加电压所产生的影响以及产生的电容如下图所示。请注意，外壳尺寸较大时损失的电容较小；这是因为外壳尺寸越大，导体之间存在的电介质越多，而这会降低电场强度并减少锁定的偶极子数。

  Class II类电容的容量随着加在其上的DC电压和AC电压变化，DC电压使容量呈减小趋势，而AC电压使容量呈增大趋势，这种现象是可逆的。额定电压下使用时其容量随时间的推移而下降，这个现象称为老化，是不可逆的。
  下图是Class II类中X7R电容的容值随时间、DC电压和AC电压变化的曲线。设计中要考虑到这些因素，使选择的电容在产品寿命内由于老化造成的容值下降不影响正常工作，并且在产品的额定DC和AC电压下容值的变化不影响正常工作。

  上图老化曲线显示在额定电压使用中，经过10万小时使用后X7R的容值下降了7%左右。所以设计产品时，如果产品的寿命在10万小时，则需要在设计容值的基础上增加7%的余量用以弥补老化缺损。

  从图中可以看出在75%额定电压下X7R容值下降5%，在100%额定电压下容值下降10%。所以使用电容时要特别注意额定电压，超出额定电压使用不仅影响电容容量，还有可靠性问题。在AC电压下容量呈增加趋势，图中50V时增量超过50%，所以当Class II类电容用在交流场合时不能忽略这种变化。
  电容使用过程中，一定要关注直流偏置降额，直流偏置降额可使电容值降低 90%，温度对电容的影响远小于直流偏置降额所产生的影响

8、制造商容差

  由于实际电容器的特性处于非理想状态，电容值本身可能会根据电容器材料和尺寸的不同而发生变化。生产电容器和其他无源电子元件的公司将制定通用标准，规定所生产元件的电容值容差范围。为便于说明，在计算电容时我们将使用±20%作为制造容差。

9、实际应用示例

  常见的LDO应用可能是从3.6V电池获得输入电压，然后将其降低，为微控制器 (1.8V) 供电。在本例中，我们使用10µF X7R陶瓷电容器，0603封装。
  基于以下三点来确定一下此应用中上述电容器的实际电容值：
  直流偏置降额：查看制造商提供的电容器直流偏置特性图表，直流偏置电压为 1.8V时，电容值为7µF。
  温度降额：基于X7R编码，如果在125°C的环境温度下应用此电容器，电容值会另外下降15%，此时的新电容值为5.5µF。
  制造商容差：考虑到±20%的制造商容差，最终的电容值为3.5µF。
  综上，可以看出，在上述条件下应用电容器时，10µF电容器的实际电容值为3.5µF。电容值已降低至标称值的65%左右。显然，上述所有条件并非对任何应用都适用，但务必要了解将电容器用于实际应用时电容值的范围。