LDO稳定性与输出电容ESR的关系

1、前言

  LDO电路结构简单，所以在设计过程中可能会忽略一些问题，如忽略输出电容的ESR要求，结果可能导致LDO工作不稳定，从而影响系统功能。那么输出电容的ESR是如何影响LDO稳定性的呢？如何判断LDO是否稳定呢？

2、LDO稳定性与ESR关系

  如下图所示是典型PMOS或PNP开环增益图，基于PMOS或PNP元件的LDO稳压器中有三个重要极点。主极点P（DOM）设置在调节器的误差放大器中。负载极点P（Load）由输出电容器和负载形成，因此随负载电流而变化。PMOS或PNP元件极点P（pass）由元件的寄生电容形成。为了使任何负反馈系统稳定，当相位为360°（反馈信号的180°加上误差放大器反相输入的180°）时，系统的开环增益必须低于0dB。换句话说，系统必须有足够的相位裕度，即增益为0dB时，在360°之前剩余的相移量。由于每个极点贡献90°的相移和20dB/十倍频的增益衰减，因此三个极点的高增益系统需要补偿才能稳定。如果开环增益曲线在穿越0dB之前以20dB/十倍频（即类似于单极点系统）的速度下降，则调节器是无条件稳定的（即具有足够的相位裕度）。最常见的补偿方法是在系统中插入一个零点，以消除其中一个极点的相移和滚降。由于LDO需要一个输出电容器才能正常工作，因此使用输出电容器的ESR通常是产生这个零点最简单、最便宜的方法，见下图典型PMOS或PNP LDO稳压器的开环响应中的fZ（ESR）。

  关键在于如何选择具有正确ESR值的电容器，ESR必须足够高以降低fZ（ESR）频率，这样当增益斜率穿越0dB时，增益斜率为-20dB/十倍频，而不是-40dB/十倍频，但同时也要足够低，以便fZ（ESR）频率足够高，使增益在P（PASS）之前低于0 dB。
  TI公司早年生产的稳压器数据表是在钽电容或高ESR电容广泛应用时设计的，其中规定了最小电容器值，并提供了输出电容器（通常是另一个电容器）的ESR与输出电流的关系，如下图所示的TPS76050芯片稳定区域与ESR之间关系的典型曲线。

  注：上图曲线中使用的ESR是电容器的最小ESR，因为ESR确实随频率变化。
  TPS76050 芯片曲线要求，需要最小2.2μF的输出电容，ESR必须在0.1Ω到20Ω之间。很少有电容器的ESR超过2Ω，因此ESR的上限通常可以忽略不计。下限实际上决定了fZ（ESR）的最大值。对于上图中的2.2μF电容器，使用下列公式计算最大值：

  其中Resr=0.1Ω，Cout=2.2uF。
  对于类似于TPS760器件这样依赖于更高ESR的旧LDO，只要电容高于所需的最小电容值，电容和ESR的乘积大于0.1Ω×2.2×10-6F=2.2×10-7ΩF，但小于20×2.2×10-16ΩF=4.4×10-5ΩF时系统是稳定的。
  TPS760是在钽电容器广泛应用，且1.1mA被认为是低静态电流的情况下设计的。对于像TPS7A25这样的新型LDO，它们被设计为使用低ESR或陶瓷电容器进行优化，除非希望使用非常大的电容器来保持电压稳定，否则无需担心ESR。
  判断所选电容器是否稳定的最佳方法是进行负载瞬态测试并观察输出上的振铃情况。下图显示了使用MOSFET开关和函数发生器进行负载瞬态测试的测试方法。这种测试方法比大多数电子负载更有效，因为这种测试方法模拟的瞬态要快得多。

  下图显示了使用2.2μF陶瓷（低ESR）电容器的TPS76050器件的测量结果。

  下图显示了2.2μF，1Ω串联电阻器ESR的TPS76050器件的测量结果。

  低ESR测试结果显示了初始尖峰后出现多次振荡，表明不稳定；而ESR为1Ω的测试结果则显示了稳定的负载瞬态响应。通常，四个或更少的振荡回环表示系统具有足够的相位裕度来保持稳定。
  新型LDO芯片TPS7A25，该器件可以在输出电容为陶瓷电容器最小值1.0µF，无额外ESR的情况下，实现输出端没有振荡，如下图所示。

  如下图所示，TPS7A26器件甚至在电容器高达100µF的情况下也很稳定。

3、总结

  当使用较旧的LDO线性稳压器进行设计，选择输出电容器时，ESR非常重要。因为ESR是频率相关，因此在模拟时使用最小ESR。较新的LDO，如TPS7A26器件，本质上是采用陶瓷电容器稳定的，这有助于提高性能，无需过分关心输出电容的ESR。