MOS管选型：参数及其具体意义

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已于 2023-10-26 10:42:26 修改

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文章标签：单片机嵌入式硬件硬件工程

于 2023-09-15 17:37:06 首次发布

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快速参考数据：

MOS管等效电路：

1、漏源电压Vds与开启状态下的漏源阻抗Rds(on)

Vds是器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大电压

Rds(on)是器件在给定栅源电压以及25℃的结温这两个条件下最大的开启阻抗

在选定器件的Vds耐压时，需要考虑电路运行条件的电源电压VDD以及开关断开时产生的浪涌电压Vds(peak)。并且，因为Vds对于温度具有正温度特性（见图3），所以必须考虑使用的最低温度环境条件，即考虑使用环境中Vds可能出现的最小值是否符合电路要求。

除此之外，Vds与Rds(on)存在正相关的相互关系（见图2），如果Vds取大于所需的耐压容限，就会导致通态电阻Rds(on)增大，从而正常运行时的损耗也会增大。

Rds(on)是决定通态损耗最重要的参数。注意：随着温度的上升而上升（见图5）

2、连续漏电流Id

定义为芯片在最大额定结温Tj(max)下，管表面温度在25℃或更高温度下，可允许的最大连续直流电流。

漏电流的理论计算公式：

需注意：给出的电流值不代表在运行过程中能够达到。当背板温度在所述值时，这些电流值会使得结温达到最大值。因此，通常将最大电流降额作为温度的函数，如下图

3、最大栅源电压Vgs与栅源截止电压Vgs(th)

VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。一旦超过这个电压值，即使在短时间内也会对栅极氧化层产生永久性损害。

Vgs(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOS时电流消失时的电压。VGS（th）是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的棚源电压下开启。在设计上，该值会影响开关运行时的噪声和开关时间tr、tf。

在选型确定Vgs驱动时，需要考虑饱和电压VGS(on)（=Id*Rds(on)）的栅极驱动电压依存性（见图4）。该特性是为了设计在规定的工作电流Id下，外加多少V的栅极驱动电压可以达到饱和电压Vds(on)区（通态电阻区）的特性曲线。在选定多少V的驱动器件时，必须要考虑到应用（例如，为了对应开关电源和马达驱动等噪声，选定Vgs(th)较高的10V驱动器件）和所使用的栅极驱动IC、LSI规格（保持断开MOSFET时的低电平电压等）

其他数据：

1、寄生电容

Ciss：输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或Ciss = Cgs + Cgd，当输入电容充电至阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。因此，驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有直接影响。

Coss：输出电容。具有Vds依存性；影响负载轻时的下降时间tf。

Crss：反向传输电容（米勒电容）。具有Vds依存性；影响开关时间tr、tf。

2、各栅极充电电荷量

Qg：总栅极充电电荷量。是决定驱动损耗的特性；对栅极驱动电压有很强的依存性。

Qgs:栅源极充电电荷量

Qgd:栅漏极（米勒电容）充电电荷量。是决定开关时间tr、tf的特性；依存电源电压（随VDD的上升而增加）

Qg、Qgd是在设计高频工作损耗时的重要项目；在高速运行（f≥100kHz）的应用中，如果Ron*Qg和Ron*Qgd的积越小，器件性能越高。

3、热阻

θch-c：表明当耗散一个给定功率时，结温将会比背板温度高出多少。该参数主要取决于封装和芯片的尺寸

4、损耗因素

容许沟道损耗：Pch 实际使用时需考虑温度进行降额

其他相关知识：

影响开关电源效率的两个损耗因素是：导通损耗和开关损耗。

导通损耗具体来讲是由MOS管的导通阻抗Rds产生的，Rds与栅极驱动电压Vgs和流经MOS管的电流有关。如果想要设计出效率更高、体积更小的电源，必须充分降低导通阻抗。

开关损耗，栅极电荷Qg是产生开关损耗的主要原因。栅极电荷是MOS管门极充放电所需的能量，相同电流、电压规格的MOSFET，具有比较大的栅极电荷意味着在MOS开关过程中会损耗更多的能量。所以，为了尽可能降低MOS管的开关损耗，工程师在电源设计过程中需要选择同等规格下Qg更低的MOS管作为主功率开关管。

5、时间特性

6、反向二极管极限值及特性

二极管正向电压：Vdf

二极管反向恢复时间：trr

在积极使用功率MOS内置二极管的马达驱动（电装产品中的动力转向器、起动发电机等）或开关电源的同步整流用途时，要求此反向恢复时间trr为高速。这些用途中，由于在运行时的此trr期间上桥臂/下桥臂短路，导致产生过大的接通损耗。因此，通常的控制电路系统中，设计有在切换上/下器件开关的同时使栅极信号断开的Dead Time（比trr长的期间）。