以下是MOS管选型时主要考虑的参数:
1、最大漏源电压 (V(BR)DSS):这是MOS管在关闭状态时,漏极和源极之间所能承受的最大电压。选择的MOS管的V(BR)DSS应该高于电路中可能出现的最大电压,通常需要留有一定的裕量。
2、最大漏极电流 (ID):这是MOS管在正常工作条件下能连续通过的最大电流。确保所选MOS管的ID大于电路中预期的最大电流。
3、导通电阻 (RDS(on)):当MOS管完全导通时,漏极和源极之间的电阻。RDS(on)越低,MOS管在导通状态下的功率损耗越小。
4、阈值电压 (VGS(th)):开始导通所需的最小栅源电压。这决定了MOS管的“灵敏度”和驱动要求。
5、栅源击穿电压 (V(BR)GS):栅极和源极之间所能承受的最大电压。确保驱动电路的电压不会超过这个值。
6、栅极电荷 (Qg):开关过程中栅极所需的电荷量。低Qg有助于降低开关损耗。
7、输入电容 (Ciss)、输出电容 (Coss) 和反向传输电容 (Crss),这些电容参数影响MOS管的开关速度和开关损耗。
8、最大功率耗散 (PD):MOS管在一定温度条件下能安全耗散的最大功率。
9、最大结温 (Tjmax):MOS管内部能承受的最高温度。
10、热阻 (RθJC):MOS管内部结点到外壳的热阻,影响散热性能。
11、封装类型:不同的封装会影响散热能力和安装方式。
12、开关性能:包括开关速度、开关损耗和驱动要求。
13、成本和可用性:考虑MOS管的成本和市场供应情况。
14、安全工作区 (SOA):确保MOS管在瞬态条件下的安全操作范围。
15、二次击穿和热稳定性:确保MOS管在过载情况下能够安全运行。
16、栅极电压范围:确保MOS管的栅极电压范围与驱动电路兼容。
17、体二极管特性:对于驱动感性负载或需要续流路径的应用,体二极管的特性很重要。