手机电路学习之电源电路——LDO、DC-DC基本原理

• 电源系统——LDO电路

• 1、LDO电路示意图

LDO电路叫做低压差线性稳压电路，例如 5V->3.3V的时候就会用到该电路，此电路纹波小，线性度高，是线性电源的典型代表，”线性”主要是来源所用的MOS管工作在线性工作状态；

LDO主要由四部分电路组成：MOS管调整电路、分压取样电路、基准电压电路、误差放大器电路（除此之外开关电路、过载电流保护电路等，这些都是附加功能电路），简单来看，就是一个电压负反馈电路；

2、MOS管调整电路

1. MOS管基础知识

从MOS管的电气标识可以看到是有一个二极管和一个结型场效应晶体管构成的，结型场效应二极管的标识我们都清楚，但是为什么会有个二极管？P和N型半导体放到一起，总会形成PN结，也就是二极管。S和D之间体二极管实际是漏极D与衬底形成的，因为S和衬底是接到一起的，那么也就是D和S之间有个体二极管了。而且这个二极管可承受的电流好像还挺大，具体看厂家说明书。

体二极管（寄生二极管）的反向和箭头指向是一样的

那怎么从标识符里面判断N型、P型、三个电极？记住箭头指向的永远都是N（那就是P型衬底），反之，就是P（那就是N型衬底），比如上图就是N型增强型MOS管，虚线表示沟道未形成，实线表示沟道已经形成那么就是耗尽层；两根线交叉的就是S，另一根就是D。

怎么判断G极上加正压还是负压？这个看衬底是什么类型的，如果是P型，那么就是含空穴多，为了形成沟道，就需要在G极上加入正极，吸引P型衬底的电子，排斥空穴形成反型层。

MOS管的工作区有几个？MOS管有三个工作区，一个是可变电阻区，就是在反型层完全形成之前，电阻线性可变，当Vds为固定的正值的时候，Id和Vgs线性增加，当Vds达到一定程度，使得Id饱和之后，增加Vgs可以使得Id成平方增加，而BJT是指数型增加，其输入输出特性和转移特性如下图所示。

MOS管的作用：

(1)做开关作用，(MOS管接输入输出的方向和寄生二极管的方向相反)

(2)隔离作用，因为饱和后压降只有0.2V，适合利用其单向导电性；(MOS管接输入输出的方向和寄生二极管的方向相同) 做隔离的例子：电脑的电源适配器，当停电之后，电脑内部的电池放电，会有一部分电流流向适配器。只有做隔离作用的时候MOS管的输入输出是跟体二极管的接入方向是相同的，其他都是相反的。

(3)放大作用，平方律特性，非线性比晶体管弱

3、误差放大器   

从上图可以知道，在LDO电路中Vout=Vref（1+R1/R2），通过调节R1和R2的值就可以调节Vout是多少。

电压基准电压电路就是输出电压是固定不变的，一般利用的是带隙基准电压电路，在此先不做过多描述

4、LDO的电压负反馈电路

注：上图的PMOS是工作在饱和区的（也就是BJT的线性区）

• 电源系统——DC-DC电路

在认识DC-DC电路之前，先了解3个基本DC-DC电路，BOOST、BUCK、BOOST-BUCK电路

1、电感的一些特性

• DC-DC电路

• 1、BUCK电路原理图

• 

• 2、计算和分析

利用上面的伏秒平衡法则和MOS管的通断特性有：

当MOS管导通的时候：VA=Vi，VL=Vi-Vo（降压电路）

当MOS管关闭的时候：VL=-Vo-VD

又因为在一个周期内电感的充电量要和放电量相同，所以有：

(Vi-Vo)=L(di/dt)充——> (di/dt)充=(Vi-Vo)/L ;   

(-Vo-VD)=L(di/dt)放——>(di/dt)放=(-Vo-VD)/L

由上面两个式子可以知道 放电的速度是快于充电的速度的

那么在Ton+Toff这段时间内：

(di/dt)充*Ton=(di/dt)放*Toff

——>(Vi-Vo)/L*Ton=(Vo+VD)/L*Toff

——>(Vi-Vo)*Ton=(Vo+VD)*Toff（电感的伏秒平衡法则）

——>Vo=Vi*(Ton/(Ton+Toff))-VD*(Toff/(Ton+Toff))（令D=Ton/(Ton+Toff)表示占空比）

——>Vo=Vi*D-VD*(1-D) （0<D<1,故为降压）

由此可见BUCK电路的输出电压大小由占空比和输入电压决定。

同时也可以求得占空比：

D=(Vo+VD)/(Vi+VD)

需要输入电容的原因：

由于实际走线电源到所需电路路线很长，那么就意味电感也很大（当电流发生变化时，由电磁感应定理，电流会产生感应电动势，又由楞次定律可知，感应电动势的产生会阻碍电流的变化，电感越大，阻碍就越大），那么就不能及时给所需电路提供所需的电流。

根据能量守恒来求得输入进BUCK电路的电流，主要计算MOS管的功耗(Pd)和负载功耗(Pr)，然后根据ViIi=Pd+Pr，计算出Ii。

在一个周期内，电容的充放电是一样的，那么我们就可以通过BUCK电路的MOS管关断的时候计算充点电荷。

由公式I=dQ/dt可得，Q=I*对时间的积分，那么在此处就是  Q=Ii*Toff

• 3、BOOST电路

• 

• 4、计算和分析

利用上面的伏秒平衡法则和MOS管的通断特性有：

当MOS管导通的时候：VA=0，VL=0 （Ton表示导通）

当MOS管关断的时候：VL=Vo+VD

又因为在一个周期内电感的充电量要和放电量相同，所以有：

(Vi-0)=L(di/dt)充——> (di/dt)充=Vi/L ;  （此时电感充电，左边为正，右边为负）

(Vo+VD-Vi)=L(di/dt)放——>(di/dt)放=(Vo+VD-Vi)/L （此时电感做电源，放电，右边为正，左边为负）

那么在Ton+Toff这段时间内：

(di/dt)充*Ton=(di/dt)放*Toff

——>Vi/L*Ton=(Vo+VD-Vi)/L*Toff

——>Vi*Ton=(Vo+VD-Vi)*Toff（电感的伏秒平衡法则）

——>Vo=Vi/(1-D)（0<D<1,故为降压）

可以看到是升压电路

• 5、电荷泵电路

• 

开关控制对电容的充放电实现的，可以实现升压降压以及极性反转。

LDO和DC-DC电路的区别：

1. LDO的MOS管工作在饱和区，是线性的，故其线性度高，而且电源纹波小；但是只能降压
2. DC-DC由于使用电感进行充放电并且MOS管工作在开关状态，线性度不高，但是效率高，一般为百分之85左至右，又因为使用了电感，在开和关的瞬间会产生尖峰电流，电源纹波大，会产生无限宽的信号，干扰到其他信号，但是可以进行升压、降压、反向的操作。

DC-DC就适用于工作在数字电路里面，因为数字电路噪声容限高即有阈值电压，噪声叠加大于这个阈值才判定出错，适用于CPU电路、Memory电路这种要求功率效率高且对噪声敏感度低的电路；LDO适用于功率小，对效率要求不高且对噪声敏感的电路，音频电路、RF LNA、RTC电路（实时时钟电路）等。

主要参考以下几篇文章和书籍（大佬讲的很细致，建议移步观看），如有错请指正

MOS的体二极管以及寄生二极管-CSDN博客

DC-DC电路设计要点 及 计算 全解析_dcdc输入输出电容计算-CSDN博客

手撕Boost！Boost公式推导及实验验证

《从应用到创新手机硬件研发与设计 第2版》