硬件学习（五）——LDO与DCDC

1.LDO

LDO是Low Dropout Regulator的缩写，意思是低压差线性稳压器。下图是LDO的内部框图

（1）基本原理

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内部由运算放大器、nmos管组成。nmos一般工作在饱和区，BT2一般问稳压器器件将同向端电压稳定在某一个特定的参考值Vfb，且此值为此LDO输出目标电压与R1、R2分压后的值相等。例如若此UI为5V输出LDO，R1\R2均为1M，则同向端电压的值应同样为2.5V；下面介绍其工作原理：当VOUT的降低，Vin不变则Vds增加nmos工作点由A->B;VFB降低，运放同向端不变，则运放输出电压升高，nmos的VGS增加，工作点上移，mos管的电流Id 逐渐增加，使得VOUT逐渐增加，LDO回到初始电平。

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由分析可知，VIN与VOUT的压降全在nmos管上，当压降较大时nmos上有较大的功耗，会发热严重，若内部为三极管驱动将会更加严重，所以LDO适用于低压差环境

（2）重要参数

Dropout voltage

上文介绍了nmos应工作在饱和区，则DS之间应保持一定的压差，此压差常称为dropout voltage（Vdo），所以LDO若想稳定工作在饱和区，输入输出之间满足一定的压差，应用中通常可以考虑在spec中预留25%的余量。比如下图中在Iout=150mA时，不同Vout对应的Vdo也不同。​​

静态功耗：英文Quiescent Current，输出电流为0时的输入电流，即VOUT空载时输入电流。好的LDO和差的LDO相比较，是在电源纹波抑制比PSRR差不多的时候，静态耗流会更低。

关闭功耗：英文Shut down Current，使能脚拉低，VOUT=0V时，VIN上消耗的电流即为关闭功耗，一般在1uA以内，越小越好。

电源纹波抑制比：英文PSRR，这个参数越大越好，代表抑制输入纹波的能力越强，一般SPEC给出的是1KHz下的值，如：68dB@F=1KHz，LDO的最大的优点之一是它们能够衰减开关模式电源产生的电压纹波，所以一般在100K到1MHz之间的PSRR非常重要，这也是为什么我们经常看见DC-DC后面搭配一个LDO使用，敏感的模拟电源AVDD上，如ADC，Camera等，选择高PSRR的LDO。PSRR曲线有个转折点，左边为LDO自身起主导作用，右边为输出电容起主导作用，PSRR性能好的LDO左边的曲线会更高，加大输出电容，右边的曲线会升高。

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输出电流：设计时预留50%的余量，实际运用过程中，输出电流的大小和输入输出电压都有关系。

输出电压：分为可调和固定，根据实际情况选择在，一般最好选择固定的。

输出电压精度：一般是2%，还有5%的。

耗散功率：使用时LDO的消耗的功耗不能超过这个值，否则LDO可能会损坏。

地电流：英文Ground Current，指的是输入电流和输出电流的差值。指的是LDO正常工作状态，在特定的负载下，LDO自身消耗的电流。

软启动：带软启动的LDO可以有效的控制电流，使输出较平缓的上升。

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实际测试LDO的上电瞬间，VOUT起来是比较平缓的，并没有电压过冲。

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实测LDO输出

软启动的时间可以依据下图测试，TSS是输入电压上升到0.5倍到VOUT完全起来的时间间隔。

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输入输出电容选择

现在一般LDO输入输出各加一个1UF陶瓷电容即可，可选择X5R或者X7R，ESR也会影响LDO系统的稳定性，根据SPEC来选择合适ESR的电容。提高输出电容的容值，可以提高LDO的瞬态响应性能，缺点是会延长启动时间。

Layout参考

输入输出电容靠近LDO管脚放置，LDO和电容要使用同一铜层铺地，输入输出电容的地环路要短。

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2.DC-DC

一个典型的DC-DC BUCK​​电路，包括输入输出电容，FREQ​​频率（开关频率）设置，EN​​使能管脚，FB​​反馈电阻，SW​​上加续流二极管和电感，BST​​电容，COMP​​频率补偿等。

DC-DC转换器一般由控制芯片，电感线圈，二极管，三极管，电容器构成。

在讨论DC-DC转换器的性能时，如果单针对控制芯片，是不能判断其优劣的。其外围电路的元器件特性，和基板的布线方式等，能改变电源电路的性能，因此，应进行综合判断。

其主要特点是效率高：与线性稳压器的LDO相比较，效率高是DC-DC的显著优势。通常效率在70%以上，效率高的可达到95%以上。其次是适应电压范围宽。

（1）拓扑图

1>BUCK降压

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当S开关闭合时，电感由Vin励磁增加的磁通为（Vin-Vout）*Ton；当S开关断开时,由于电流的连续性，电感消磁为Vin供电，失去的磁通量为Vout*Toff。

（Vin-Vout）*Ton = Vout*Toff,由于D<1。故VIN>VOUT，实现降压效果。Vout=D*Vin

2>BOOST升压

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当开关闭合时，电感由Vin励磁的磁通为Vin*Ton；当开关断开时，由于电流的连续性，电感消磁其电流方向与Vin相同故失去的磁通为（Vout-Vin）*Toff。

Vin*Ton=（Vout-Vin）*Toff，D<1故Vout>Vin实现升压。Vout=Vin/（1-D）

3>BUCK-BOOST降压-升压

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当只控制S1开关，S2常开时，此电路为BUCK功能；当只控制S2开关，S1常闭时，此电路为BOOTS功能。

（2）BUCK电路自举电容

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图中的C就是自举电容，当低边MOS管打开时，SW接地为0，BOOT上的电压由BOOT Charge提供，假如是5V，就对电容进行充电；当关闭低边MOS管，选择打开高边MOS管，因为高边Vgs>Vgs(th)，所以高边MOS管能打开，随着高边MOS管打开，SW上的电压就会变成VIN。

如果不加这个C，那当Vgs<Vgs(th)时，就会出现高边MOS管无法打开；加上C之后，利用电容电压不能突变的特性，当SW变成VIN，那BOOT上的电压就会升为VIN+5V，此时Vgs会大于Vgs(th)，高边MOS管就打开了。

自举电容的额定电压如何选：一般SPEC上会给出BOOT to SW的最大值，如下图是6.5V，所以一般选10V/16V耐压值的电容即可。​​

自举电阻选取

其实在自举电路中，也可以加入电阻，一般叫BOOT电阻。BOOT电容的作用是SW在高电平时，利用电容两端电压不能突变特性，会将BOOT脚电压泵至比SW高的电压，维持高边MOSFET的导通状态。

加入了BOOT电阻，和BOOT电容就构成了RC充电电路。

BOOT电阻的大小决定了高边MOSFET的开关速度。一般BOOT电阻越大，高边MOSFET开的就越慢，这个时候SW上的尖峰就越小，EMI特性就好。BOOT电阻越小，MOSFET开的快，SW上的尖峰就越大，所以有的时候会在SW上预留RC对地吸收。​​

（3）LDO与DC-DC的区别

从上面的一些描述中，可以大致得出LDO​​和DC-DC​​的区别，请拿小本本记好：

• ​LDO​​外围器件少，电路简单，成本低；DC-DC​​外围器件多，电路复杂，成本高；

• ​LDO​​负载响应快，输出纹波小；DC-DC​​负载响应比LDO​​慢，输出纹波大；

• ​LDO​​效率低，输入输出压差不能太大；DC-DC​​效率高，输入电压范围宽泛；

• ​LDO​​只能降压；DC-DC​​支持降压和升压；

• ​LDO​​和DC-DC​​的静态电流都小，根据具体的芯片来看；

• ​LDO​​输出电流有限，最高可能就几A​​，且达到最高输出和输入输出电压都有关系；DC-DC​​输出电流高，功率大；

• ​LDO​​噪声小；DC-DC​​开关噪声大，为了提高开关DC-DC​​的精度，很多应用会在DC-DC​​后端接LDO​​；

• ​LDO​​分为可调和固定型；DC-DC​​一般都是可调型，通过FB​​反馈电阻调节；

  关于DC-DC​​后面接LDO​​：LDO​​有一个参数电源纹波抑制比PSRR​​，这个参数越大越好，代表抑制输入纹波的能力越强，一般SPEC​​给出的是1KHz​​下的值，如：68dB@F=1KHz​​，LDO​​的最大的优点之一是它们能够衰减开关模式电源产生的电压纹波，所以一般在100K​​到1MHz​​之间的PSRR​​非常重要，这也是为什么我们经常看见DC-DC​​后面搭配一个LDO​​使用，敏感的模拟电源AVDD​​上，如ADC​​，Camera​​等，选择高PSRR​​的LDO​​；