薄膜沉积的均匀性怎么计算?


   知识星球(星球名:芯片制造与封测技术社区,星球号:63559049)里的学员问:经常听带我的工程师说膜层的均匀性不好,均匀性是怎么计算的?

什么是薄膜沉积的均匀性?薄膜均匀性指的是薄膜在整个晶圆上的厚度分布的一致性。良好的均匀性说明薄膜在晶圆上的每个位置的厚度非常接近。 薄膜均匀性有几种?一般会考虑:片内均匀性(within-wafer uniformity)、片间均匀性(wafer-to-wafer uniformity)和批次间均匀性(lot-to-lot uniformity)。 均匀性如何计算?
以片内均匀性为例,计算其标准偏差:

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该公式计算了各个数据点与数据均值之间的差异的平方平均值,然后取其平方根。

σ(标准偏差):表示数据分布的离散程度,标准偏差越大,数据的离散程度越大。

N:所测的数据点的总数。

ti:第 𝑖个数据点的厚度值。

Mean:所有数据点的平均值。

(𝑡𝑖−Mean)2:每个数据点与平均值之间差异的平方。

∑:相加。

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公式比较难以理解,举例说明:

假设有一组薄膜厚度数据点:55.1,54.8,55.3,54.9,55.0,54.7,55.2,54.9,55.1,54.8计算其标准偏差?

1 , 首先,计算这10个点的均值: Mean =54.982,再计算每个厚度与均值的差的平方分别为:0.0144,0.0324,0.1024,0.0004,0.0004,0.0784,0.0484,0.0004,0.0144,0.03243,求和并取平值 (0.0144+0.0324+0.1024+0.0004+0.0004+0.0784+0.0484+0.0004+0.0144+0.0324)=0.39964,σ=0.193 4e6b8e95eb082db6860c8f4f27a0966e.jpeg       欢迎加入我的半导体制造知识社区,答疑解惑,上千个半导体行业资料共享,内容比文章丰富很多很多,适合快速提升个人能力,介绍如下:》


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参考资源链接:[溅射工艺详解:从原理到应用](https://wenku.csdn.net/doc/1t5kqxpj2o?utm_source=wenku_answer2doc_content) 在半导体制造中,溅射工艺是实现硅片表面薄膜均匀沉积和高附着力的关键技术。首先,需要准备好高真空环境,然后注入氩气并施加电场,激发气体辉光放电,产生氩正离子。这些高能量离子冲击靶材,使得靶原子从靶材表面被溅射出来,并在硅片表面形成薄膜。 为了确保薄膜的均匀沉积,通常需要选择合适的靶材和工艺参数,如靶材与硅片之间的距离、氩气压力、放电功率以及溅射速率等。同时,通过旋转硅片或使用多靶溅射系统可以进一步提高薄膜均匀性。 要确保沉积薄膜与硅片之间具有良好的附着力,预处理步骤至关重要。这一过程包括硅片的清洗和烘烤,其中清洗步骤需要用去离子水、丙酮、异丙醇等溶剂去除硅片表面的有机污染物和颗粒,然后通过烘烤干燥去除残余溶剂,为溅射提供洁净的表面。 在实际应用中,还可以通过施加一定的负偏压来改善薄膜的致密度和附着力。此外,通过优化溅射工艺的参数,比如氩气的流量和压力,可以控制薄膜的微观结构,从而影响其附着力和均匀性。 文档《溅射工艺详解:从原理到应用》详细讲解了这些原理和方法,提供了从理论到实践的全面理解,帮助工程师和科研人员在半导体制造过程中更好地应用溅射工艺。 参考资源链接:[溅射工艺详解:从原理到应用](https://wenku.csdn.net/doc/1t5kqxpj2o?utm_source=wenku_answer2doc_content)
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