第2讲 晶体管开关特性、NMOS门电路、CMOS门电路——计算机逻辑基础

最新推荐文章于 2023-11-10 17:05:43 发布
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分类专栏： 计算机逻辑基础
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今天主要的任务是来学习如何判断MOS管组成的电路的输出状态晶体管的开关特性半导体二极管半导体三极管对于共射电路来说，集电极和发射极作为开关两端接在电路中，开关通断受基极控制MOS管MOS管的漏极D和源极S作为开关两端接在电路中，开关通断受栅极G的电压控制以NMOS管为例CMOS门电路三个极怎么判定G极：独占大头S极：两根线相交的D极：单独阴险的那边怎么判断是n沟...
摘要由CSDN通过智能技术生成

今天主要的任务是来学习如何判断MOS管组成的电路的输出状态

下一讲我们将会进入一个新的章节——组合逻辑电路

如有错误，欢迎指出，我将会及时地改正。
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晶体管的开关特性

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半导体二极管

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半导体三极管

对于共射电路来说，集电极和发射极作为开关两端接在电路中，开关通断受基极控制
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MOS管

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风兔子喵
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专栏目录
MOS逻辑门、NMOS管的开关特性
03-17
MOS逻辑门、NMOS管的开关特性、NMOS反相器、NMOS或非门
MOS 与非门或非门构成原理
07-12
与非门 与非门（英语：NANDgate）是数字逻辑中实现逻辑与非的逻辑门，功能见左侧真值表。若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）;若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）。与非门是一种通用的逻辑门，因为任何布尔函数都能用与非门实现。 与非门工作原理 ①、A、B输入均为低电平时，1、2管导通，3、4管截止，C端电压与VDD一致，输出高电平。 ②、A输入高电平，B输入低电平时，1、3管导通，2、4管截止，C端电位与1管的漏极保持一致，输出高电平。 ③、A输入低电平，B输入高电平时，情况与②类似，亦输出高电平。 ④、A、B输入均为高电平时，1、2管截止，3、4管导通，C端电压与地一致，输出低电平。 或非门 或非门（英语：NORgate）是数字逻辑中实现逻辑或非的逻辑门，功能见右侧真值表。若输入均为低电平（0），则输出为高电平（1）;若输入中至少有一个为高电平（1），则输出为低电平（0）。或非是逻辑或加逻辑非得到的结果。或非是一种具有函数完备性的运算，因此其他任何逻辑函数都能用或非门实现 或非门工作原理 ①、A、B输入均为低电平时，1、2管导
MOS管的开关特性（增强型NMOS）
yan1111112的博客
05-09 1741
MOS管的开关特性（增强型NMOS） 当输入 uI <UGS(th)，NMOS管截止，iD=0。 当NMOS管导通时，导通电阻RON很小，uO=0。
MOS管的开关特性
limanjihe的专栏
04-03 2414
一、静态特性     MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。     图3.8(a)为由NMOS增强型管构成的开关电路。                                            图3.8 NMOS管构成的开
NMOS基本逻辑电路分析
weiqing的专栏
01-21 7385
转自http://www.elecfans.com/dianzichangshi/2009040745189.html   NMOS逻辑门电路是全部由Ｎ沟道MOSFET构成。由于这种器件具有较小的几何尺寸，适合于制造大规模集成电路。此外，由于NMOS集成电路的结构简单，易于使用CAD技术进行设计。与CMOS电路类似,NMOS电路中不使用难于制造的电阻 。NMOS反相器是整个NMO逻辑门电路的基
MOS管串联
weixin_43205692的博客
06-05 2万+
MOS管串联 I-V曲线本来应该一样，但是由于effL，PSE的存在，以及间接导致的DIBL，都会让这两个曲线有区别 长沟道器件，两者近似。短沟道器件差别大。 其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。 使用两个(或多个）串联，提高L。 我认为好处如下： 正如二楼所说，避免使用倒比管（W/L远小于1时）； 通过拆分为多个管子串联时，在layout上容易布局、匹配； 串联时，如果SD电压降低，一个管子进入线性区，但可保证另外一个工作在饱和区。 单纯从w/l考虑，也应该考虑背栅效应的影响 低功耗中常用到 两
逻辑门电路的识别分类及测量.rar-综合文档
05-10
例如，晶体管-晶体管逻辑（TTL）门电路通常有金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）和双极型晶体管，而互补金属氧化物半导体（CMOS）门电路则由PMOS和NMOS晶体管组成。通过电路图和实际器件的外观，我们可以辨别...
集成电子技术基础教程：第3篇 第二章 集成逻辑门电路.ppt
06-03
《集成电子技术基础教程：第3篇 第二章 集成逻辑门电路》的讲解主要围绕集成逻辑门电路的半导体开关特性、集成门电路的性能要求以及TTL系列集成与非门电路的结构和工作原理展开。 首先，集成逻辑门电路是实现逻辑...
数字逻辑电路，基本逻辑门及常用设备用法实验报告.docx
07-20
NMOS和PMOS管作为数字电路中的重要组成部分，其开关特性的理解和掌握对于设计和分析CMOS逻辑门至关重要。实验中，我们设计了基于NMOS和PMOS的与非门，并通过仿真来观察其工作原理。CMOS与非门的优势在于其低功耗和高...
半导体集成电路-CMOS复合逻辑门（设计原理）.pptx
07-14
CMOS逻辑门是构建这些集成电路的基本单元，它们通过组合不同类型的晶体管来实现各种逻辑操作。 1. CMOS“与或非”门： - CMOS逻辑门通常由NMOS（N沟道金属氧化物半导体）和PMOS（P沟道金属氧化物半导体）晶体管...
MOS管如何并联使用？分析一下MOS管并联均流电路
最新发布
VBsemi的博客
11-10 2615
在这里可以推荐微碧VBsemi的MOS管产品，能较高匹配适应电路设计中的各种需求。噪声小，输入电阻高，热稳定性好，抗干扰能力较强，功耗较低。将多个MOS管的栅极、源极、漏极分别连接在一起，其中一个管子的阻值较小，它将承担更多的电流，导致。一个MOS管分担了相对较多的电流，它发热会更厉害。当然，选择质量好的MOS管也是十分重要的，1）在MOS管并联均流电路设计中，在使用MOS管进行功率放大时，在设计电路中我们需要注意，尽量。MOS管的电流特性比较稳定，1、开关速度快，驱动功率小；将多个MOS管并联使用。
NMOS管和PMOS管做开关控制电路
while（1）
08-13 2万+
NMOS管和PMOS管做开关控制电路
NMOS、PMOS、PNP、NPN三极管 做开关使用时的电路设计
热门推荐
weixin_42151788的博客
07-02 3万+
本文只介绍作为开关管使用时的电路设计 介绍电路之前，我们需要了解一下压控和流控的概念 压控：是指电压作为控制信号，理想状态下，对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(Vth)，MOS管就导通 流控：是指电流作为控制信号，对于BJT，只要Ibe满足开启要求，三极管就会导通 记得第一次分析MOS管的导通状态的时候，还会各种考虑D级与G 极 D极与S极的电压关系；搞得自己脑袋疼； 记住不要去仅仅针对MOS管去分析各种关系，因为好多电压关系在实际应用中并不会出现 现在不要去想那些！...
NMOS和PMOS管 电流方向和应用电路
学海无涯的专栏
03-25 2万+
1、分辨MOS管的方法 对于NMOS我们看下图中的箭头，都是远离源头。 对于PMOS我们看箭头，都是指向源头 P：POSITIVE积极的寻找自己的起源 N：NEGTIVE消极的远离自己的源头 首先明确一点，S是源极，D是漏极 对于NMOS，载流子是电子，我们知道电子的流向都是从源极到漏极，但是电流的流向是从漏极到源极。 对于PMOS，载流子是空穴对，空穴对的流向也是从源极到漏极，与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极，注意区分。 上图出现的二极管为体二极管，在驱动...
入门CMOS门电路
借问众神明的博客
03-10 7268
文章目录CMOS定义PMOS与NMOS两种MOS管的定义CMOS反相器用CMOS搭建逻辑门与非门或非门三态门 CMOS定义 在CMOS集成电路中，以金属-氧化物-半导体场效应晶体管作为开关器件。这种器件简称MOS管。作为CMOS电路，具有功耗低，抗干扰能力强，使用电压范围较大的优势。 PMOS与NMOS两种MOS管的定义 PMOS即以N型半导体作为衬底，同样NMOS以P型半导体作为衬底，衬底上具有两个高掺杂浓度的P或者N型区，形成了MOS管的源极(S)和漏极(D)。第三个电极称为栅极(G)，通常以金属铝或者
NMOS和PMOS导通电流 走向
学海无涯的专栏
01-12 3万+
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 NMOS: PMOS: NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。 PMOS是栅极低电平（|VGS| >Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。 NMO......
晶体管与MOS管的并联理论
大不列颠小小咸鱼
06-25 1万+
一、MOS管并联理论： (1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。 (2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。 MOS管的这一特性适合并联电路中的均流，因此当电路中电流很大时，一般会采用并联MOS管的方法来进行分流。采用MOS管进行电流的均流时，当其中一路电流大于另一路MOS管中的电流时，电流大的MOS管产生的热量多，从而引起导通电...
【MOS管】基础知识和简易电路
外来物种
01-11 8061
1. 简介 一、MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。 二、常见的 NMOS 和 POMS 的原理与区别 NMOS NMOS 英文全称为 N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为 NMOS 晶体管。 MOS晶体管
CMOS 晶体管构建基本门电路
04-25
CMOS晶体管可以构建以下基本门电路： 1. 常用的与门、非门、或门、异或门、同或门、与非门、或非门等。 2. CMOS电路中的NMOS管和PMOS管，约定将在大范围内做开关使用，因此它们构建的基本门电路也是CMOS中最常用的电路。 3. CMOS编码器、解码器、多路选择器、反馈带路等组合逻辑电路。它们是将数个基本门电路结合起来，实现复杂的半定制电路。 以上是对CMOS晶体管构建基本门电路的简单介绍，需要更详细的信息请参考相关资料。

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