MOS管的开关特性（增强型NMOS）

最新推荐文章于 2023-08-25 09:48:53 发布
最新推荐文章于 2023-08-25 09:48:53 发布
阅读量1.7k 收藏
点赞数
分类专栏： 数电 文章标签： 数字信号处理 其他
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/yan1111112/article/details/116569367
版权

MOS管的开关特性（增强型NMOS）
在这里插入图片描述

  1. 当输入 uI <UGS(th)，NMOS管截止，iD=0。
  2. 当NMOS管导通时，导通电阻RON很小，uO=0。
宇哥啊
关注
  • 0
    点赞
  • 踩
  • 0
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
MOS管驱动电路的详细总结
07-07
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
N沟道增强型MOS管结构示意图
07-15
本文主要讲了N沟道增强型MOS管结构示意图，希望对你的学习有所帮助。
元器件应用中的关于MOS管的基础知识大合集
10-16
下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　1，MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 　　至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 　　对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 　　MOS管
基础电子中的MOS管驱动电路介绍及应用
10-21
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 　　下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　1 MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的
MOS管驱动电路介绍及应用
01-20
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。 　　下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　1 MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
N沟道与P沟道增强型MOS管电压、原理、导通条件！
热门推荐
TaidL的博客
02-22 2万+
N沟道增强型场效应管的工作原理 工作原理： 1、栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) (开启电压)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。 当V(GS)&g
MOS管的开关特性
weixin_44348260的博客
06-16 1264
MOS管的开关特性 数字电路中MOS管常被用来作开关管，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，根据构成和导通特性可分为四类MOS管： g被称为栅极，d为漏极，s为源极，B为衬底，在实际生产中，衬底与源极相连，所以MOS管一般有三个极。四类MOS管增强型运用较为普遍，下图是画原理图时增强型NMOS和PMOS管的符号：      漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（指有线圈负载的电路，如马达），这个二极管很重要。     对于NMOS管，通常源极s接地，只要Vgs大于一定的值就会
MOS管工作原理及特性
真正的学懂三极管入门篇（经典）
05-05 2万+
转载于：http://www.elecfans.com/d/826748.html 什么是MOS管? MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。 ...
n-CMOS增强型晶体管的一些特性
CHRIStopheraa的博客
04-25 552
MOS晶体管中Si形成立方晶格，Si的外围电子与周围的4个Si原子的电子之间形成共价键，电子被束缚住，因此导电能力很弱。 但可通过掺杂（dopant atom）其他原子的方法大幅提高导电性。 如掺杂As、B 掺杂不同的原子可得到不同类型的激子：p-positive 空穴导电 n-negative 电子导电 nMOS的主要结构 P→N 正向偏压 N→P反向偏压 nMOS管由 栅极（gate）、源极（source）、漏极（drain）、衬底（substrate）构成，栅...
场效应三极管及其放大电路（1）MOSFET详解
在嵌入式嵌入式领域奋斗的程序猿的博客
10-22 7581
详细介绍了四种场效应管MOSFET
MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？
07-14
1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。 MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下
硬件基础_MOS管
最新发布
weixin_59066431的博客
08-25 458
我这个博客讲的比数电模电简洁概要多了。 嵌入式软件开发工程师不懂硬件怎么行， 硬件工程师的锅咱不能背。 不懂硬件就等着被硬件工程师甩锅喽。
[经验知识]MOS管特性以及电路模型精讲（一）
ic2121的博客
05-15 659
MOS管的应用非常广泛，从普通家用电器到高端工业设备都有涉及，因此，了解MOS管对于电子工程师、电子技术爱好者和从事相关行业的人士都是非常有益的。硅衬底（Silicon Substrate）：MOS管的硅衬底是整个MOS管的基础，也是沟道和源极之间的隔离层。栅极（Gate）：MOS管的栅极是由金属材料制成的，用于控制MOS管的导电性能。当栅极施加电压时，会形成一个电场，控制沟道的导电性能。非线性：MOS管的I/V特性是非线性的，即输入电压和输出电流之间的关系不是简单的比例关系，而是呈现出一定的曲线形态。
MOS基础工作原理——从内部结构理解
是抹茶味的啊的博客
08-24 6714
栅极电流对Cgs和Cgd充电，Vgs上升到开启电压Vgs(th)，此间，MOS没有开启，无电流通过，即MOS管的截止区。：Vgs达到Vth后，MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io，出现电流Ids，Ids与Vgs呈线性关系，这个阶段是MOS管的可变电阻区，或者叫线性区。如果要进一步了解MOS管的工作原理，剖析MOS管由截止到开启的全过程，必须建立一个完整的电路结构模型，引入寄生参数，如下图。由上面的分析可以看出米勒平台是有害的，造成开启延时，不能快速进入可变电阻区，导致损耗严重，但是这个效应又是无法避免的。
MOSFET我们通常也叫mos管，场效应管
chbin9935的博客
08-24 317
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）,萨科微slkor（www.slkoric.com）销售工程师孙高飞为大家介绍说，MOSFET我们通常也叫mos管，场效应管。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。孙高飞说，萨科微半导体最早掌握第三代半导体碳化硅的技术，当年推出的碳化硅mos管，电压达到1200V电流80A、导通电阻（Ron）为15毫欧，技术参数非常不错，可以“对标替换”美国科锐cree和日本罗姆Rohm的产品。
引脚驱动mos时管出现波形振荡的原因及一种抑制方法
Aa2501085934的博客
05-16 5547
引脚驱动mos时管出现波形振荡的原因及一种抑制方法
[转]增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件
jfl558604的博客
09-24 1900
原文：https://blog.csdn.net/Acelpoetry/article/details/51758913。实际使用中，G极一般接电源正极VCC， S极一般接负极GND，由于mos管导通阻抗很小，为毫欧级，所以。S极 和 D极之间的压降很小。增强型N沟道mos管的S（source源极） 和 D（drain漏极）导通条件取决与。gs = 3.3 - 0.1 = 3.2V > 2.5V， 所以D极和 S极导通，s（S极电压） > 2.5V，D极和 S极之间导通。G极为3.3V， S极为0.1V，
增强型nmos的输出特性曲线
06-11
增强型NMOS的输出特性曲线通常是以漏极-源极电压Vds为横坐标，漏极电流Id为纵坐标绘制的。当栅极-源极电压Vgs为常数时，输出特性曲线是一条平滑的曲线，呈现出一个类似于二次函数的开口朝上的形状。 当栅极-源极...

“相关推荐”对你有帮助么？

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值