量子阱设计提升绿色 LED 效率

中国武汉大学的一个研究团队通过一种特殊的量子阱设计，朝着提高绿色 LED 性能迈出了重要一步。 “受益于铟含量逐渐变化的 InGaN 量子阱，绿色 LED 表现出卓越的光输出功率 (LOP) 和较低的效率下降，”武汉大学教授周胜军说，他领导了这项研究。

 

多色发射器的集成对于无磷白光源和高分辨率全彩显示极为重要。基于 GaN 的蓝色 LED 和基于 AlGaInP 的红色 LED 已展示出卓越的光电性能。然而，由于严重的量子限制斯塔克效应（QCSE）和效率下降现象，绿色光谱区域的 LED 效率低（绿色间隙），这限制了多色发射器集成的发展。

研究人员展示了用于绿色 LED 的 InGaN 量子阱，其铟含量逐渐变化。 In含量逐渐变化的InGaN量子阱不仅缓解了QCSE，而且产生了较低的俄歇复合率。因此，与恒定 In 含量绿色 LED 相比，渐进式 In 含量绿色 LED 表现出增加的 LOP 和降低的效率下降。

当 InGaN 量子阱中的恒定 In 含量被渐进式 In 含量取代时，绿色 LED 在 60 A/cm2 时的 LOP 从 33.9 mW 增加到 55.2 mW。同时，在 150 A/cm2 时，绿色 LED 的效率下降从 61% 降至 37.6%。