双极型晶体管及其放大电路

半导体基本特性.

• 典型半导体有硅和锗以及砷化镓等.N型半导体为掺入五价杂质元素(如磷)的半导体, 主要载流子为电子(多数载流子).P型半导体为掺入三价杂质元素(如硼)的半导体,主要载流子为空穴(多数载流子).
• 对于P型半导体和N型半导体集合面, 例子薄层形成的空间电荷区称为PN结. 在空间电荷区,由于缺少多子, 所以也称耗尽层.
• 接触电位差(电位壁垒或势垒):
  $$V_{\varphi }=\frac{kT}{q}ln(\frac{N_A{N}_D}{n_i^2})=V_{T}ln(\frac{N_A{N}_D}{n_i^2})$$,
  室温下(T=300K),Ge:0.2~0.3V
  Si:0.6~0.7V
• 势垒宽度和掺杂浓度成反比.
• 当外加电压使PN结的P区电位高于N区电位, 称为正向电压,简称正偏,反之称为反向电压,称为反偏.

双极型晶体管

结构与工作原理

• 由两个背靠背的PN节构成, 两种载流子参与导电----双极型结型晶体管.
• 两种类型:
  
• 结构特点: 发射区(e区)掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射区, 且面积大; 基区很薄, 一般在几微米到几十微米, 且掺杂浓度最低.
  
• 四种工作状态:
  • 放大: $J_E$正偏,$J_C$反偏
  • 饱和: $J_E,J_C$正偏
  • 截至: $J_E,J_C$反偏
  • 反向: $J_E$反偏,$J_C$正偏
• NPN型晶体管中载流子传输示意:
  

1. 发射结电流: 发射结正偏, 电流方向为基区向发射区, 发射区中的多子(电子)向基区扩散, 形成电子扩散电流$I_{En}$; 基区的多子:空穴同时也向发射区扩散, 形成空穴电流$I_{Ep}$, 二者的和就是发射极电流(发射区和基区的电流). 由于发射区掺杂浓度远高于基区掺杂浓度, 所以$I_{En}>>I_{Ep}$.
   $$I_E=I_{En}+I_{Ep}\approx I_{En}$$
2. 基区内的电流: 由发射区扩散来的电子会在基区靠近发射区的边界处累积, 在基区形成浓度梯度, 该梯度将电子向集电区方向推动. 电子一边向集电区扩散(电流$I_{Cn}$), 一边与基区内的多子(空穴)复合(电流$I_{Bp}$). 而由于电源$V_{EE}$的存在, 基区被不断补充多子(空穴),使基区空穴浓度保持不变.
   $$I_{En}=I_{Bp}+I_{Cn}$$
3. 集电区电流: 由扩散到边缘的电子漂移到集电区形成了电流$I_{Cn}$; 另外, 由于集电结反偏, 基区和集电区的少子漂移形成了反向漂移电流$I_{CBO}$, 其数值很小.$$I_C=I_{Cn}+I_{CBO}\approx I_{Cn}$$
   又上图看出基极电流为$$I_B=I_{Bp}+I_{Ep}-I_{CBO}\approx I_{Bp}$$
   将晶体管看成一个节点, 其三个电极的电流满足节点方程$$I_E=I_B+I_C$$

工作组态与性质

• 晶体管三种连接方式的电流传输关系.
  1. 共基极(CB, 共基)
     
     输入电流为$I_E$, 输出电流为$I_C$, 引入参数$\overline{\alpha },\overline{\alpha }$定义为$$\overline{\alpha }=\frac{I_{Cn}}{I_E}$$,得到$$I_C=\overline{\alpha }{I}_E+I_{CBO}$$α称为共基直流放大系数, 范围典型值为0.95~0.995.为了使α趋近于1, 要求$I_{Ep}<<I_{En},I_{Bp}<<I_{Cn}$,若忽略$I_{CBO}$,电流传输方程可简化为$$I_C\approx \overline{\alpha }{I}_E$$
  2. 共发射极(CE, 共射)
     
     输入电流为$I_B$, 输出电流为$I_C$, 根据上面推出的$I_C$和$I_E$的关系, 其满足关系$$I_C=\overline{\alpha }(I_B+I_C)+I_{CBO}$$引入参数$\overline{\beta }=\frac{\overline{\alpha }}{1-\overline{\alpha }},I_{CEO}=\frac{1}{1-\overline{\alpha }}{I}_{CBO}=(1+\overline{\beta })I_{CBO}$,
     有$$I_C=\overline{\beta }{I}_B+I_{CEO}$$
     $I_{CEO}$称为穿透电流, 是基极开路($I_B=0$)时流过集电极与发射极的电流. 通常$I_{CEO}$很小, 上式化为$$I_C\approx \overline{\beta }{I}_B$$
     $\overline{\beta }$称为共射直流放大系数, 通常一般为几十至几百.
  3. 共集电极(CC,共集)
     
• 晶体管静态特性曲线:
  • 共射组态输入特性曲线: 该曲线描绘了当输出电压$v_{CE}$固定时输入端电压($v_{BE}$)与电流($i_B$)的关系.
    
    • 当发射结加正向电压,($v_{BE}>0$),随着$v_{CE}$的增大, 曲线右移.
    • 当$v_{CE}=0$时,集电极与发射极短路,即发射结与集电结并联, 所以伏安特性曲线与PN结伏安特性曲线类似, 呈指数关系.
    • 当$v_{CE}$增大时, 集电结由正偏逐渐变成反偏, 吸引电子能力加强, 从发射区注入到基区的电子更多的被集电结收集, 流向基极的电流$i_B$逐渐减小, 因此向右移动.
    • 当$v_{CE}>1$时, 集电结的反向电压已经能将发射结注入到基区的电子大部分都收到集电区, 所以再增加$v_{CE}$, $i_B$将不再明显减小而是略有减小, 使伏安特性曲线略向右移, 这是由于基区调宽效应引起的.
    • 当发射结加反向电压($v_{CE}<0$)时, 基极反向饱和电流很少, 当$v_{BE}$向负值方向增大到$V_{(BR)EBO}$时, 发射结被击穿. $V_{(BR)EBO}$称为发射结反向击穿电压, 由于发射区掺杂浓度很高, 因此属于齐纳击穿, 其值在-6V左右.
    • 基区调宽效应: 通常将由$v_{CE}$变化引起的基区有效宽度变化而导致电流变化的现象称为基区调宽效应.再工程上, 一般可以忽略基区调宽效应对输入特性的影响, 认为当$v_{CE}$大于1以后输入曲线近似重合为一条.
• 输出特性曲线: 当输入电流$i_B$为某一常数时, 输出电流($i_C$)和输出电压($v_{CE}$)的关系
  
  根据外加电压不同, 图像分为4个区域, 饱和区, 放大区, 截止区和击穿区上图中$v_{CB}=0$的虚线是$v_{CE}=v_{BE}$各点的连线, 是放大区与饱和区的分界线. 因此可以通过该分界线获取$v_{BE}$的值.
  • 饱和区:　晶体管发射结与集电结都正偏的工作状态. 当$v_{CE}$很小时, 集电极收集能力很弱, $i_C$很小, $v_{CE}$稍有增加, 集电能力增强, 将更多基区电子拉到集电区, $i_C$增长很快, 使$i_C$受$v_{CE}$影响很大, 所以此时曲线十分陡, 但随着$v_{CE}$的增大, $i_C$增速开始减缓.在饱和区, 集电极与发射极之间的电压降称为饱和电压, 用$V_{CE(sat)}$表示, 其大小与集电区体电阻和集电极电流有关, 对于小功率晶体管$V_{CE(sat)}$很小,其值常取0.3, 工程上近似于0, 即将集电极与发射极近似为短路.
  • 放大区: 集电结反偏, 发射结正偏, 曲线基本水平稍有上翘. 当$v_{CE}$大于1V后, 集电结的电场已足够强, 使发射区扩散到基区的电子绝大部分都到达了集电区, 因此再增加$v_{CE}$的大小, $i_C$几乎不变; 同时由于基区宽度调制效应, 当$v_{CE}$增大时, 基区有效宽度减小, 这样基区内载流子复合机会减小, 使电流放大系数$\beta$增大, 在$i_B$不变的情况下, $i_C$增大. 但基区调宽效应对电流$i_C$的影响十分小, 故$i_C$的增大很小. 放大区输出特性曲线的上翘程度通常用晶体管输出电阻$r_{ce}$表示, 定义为工作点Q处的曲线斜率倒数, 显然$$r_{ce}=\frac{V_A+V_{CEQ}}{I_{CQ}}\approx \frac{V_A}{I_{CQ}}$$
  • 厄尔利电压: 如果将输出特性曲线的每一条曲线向负轴方向延伸, 他们将近似在电压轴上交于一点A, 对应的电压$V_A$, 称为厄尔利电压.$V_A$与基区宽度$W_B$有关, $W_B$越小, 基区调宽效应对$i_C$的影响越大, 曲线后半部分斜率越大, $-V_A$越靠近坐标轴, $V_A$越小. 典型的NPN型小功率管的$V_A$为50~100V.
  • 截止区: 集电结, 发射结反偏, 对应输出曲线$i_B=0$以下的区域. 此时集电结近似开路, 集电极电流即为穿透电流$I_{CEO}$.
  • 击穿区: 当集电结电压$v_{C}B$增大到到一定值时, 集电结发生反向击穿, 造成集电极电流$i_C$剧增. 基区与集电区掺杂浓度低, 产生的反向击穿主要是雪崩击穿, 击穿电压较大. 由图可见击穿电压随着i_B的增大而减小. 因为$i_B$增大时, $i_C$也增大, 通过集电极的载流子数目增多, 碰撞机会增大, 因而产生雪崩击穿所需的电压减小. $i_B=0$时击穿电压用$V_{(BR)CEO}$表示, 是基极开路时集电极与发射极之间的击穿电压.

放大电路

放大电路基础知识

• 放大电路的组成:
  
  (1). 直流工作点的设置:为了实现信号放大, 晶体管必须在信号的整个周期内都工作在放大区，　为此在输入端加一个合适的直流电压$V_{BB}$, 将交流小信号叠加在$V_{BB}$上, 使作用于电路输入端的电压$v_I=V_{BB}+v_s$始终大于发射结的阈值电压$V_{th}$.同时集电极电源电压$V_{CC}$也要足够高, 保证集电极电流最大时的$v_o=v_{CE}=V_{CC}-R_C{i}_C>v_{BE}$
  (2). 交流信号的放大:设置Ｑ点之后, 幅度很小的交流电压$v_s$叠加在$V_{BB}$上, 使电路的输入电压$v_I=V_{BB}+v_s$, 晶体管发射结对交流小信号可以等效为一个线性电阻$r_{be}$, 该电阻与$R_B$串联, 故发射结上的分得的交流电压为$v_{be}=\frac{r_{be}}{R_B+r_{be}}$, 于是$v_{BE}=V_{BEQ}+V_{bem}\sin \omega t$作用下的集电极电流$i_C=I_{CQ}+i_c=I_{CQ}+I_{cm}\sin \omega t$, 则输出电压为$v_O=v_{CE}=V_{CC}-R_C{i}_C=(V_{CC}-R_C{I}_{CQ})-R_C{I}_{cm}\sin \omega t=V_{CEQ}+V_{om}\sin (\omega t+180^o)$,可见, 只要$R_C$足够大, 就可以使输出信号$V_{om}$比输入信号幅度$V_{sm}$大得多, 从而实现了信号的放大.
• 放大电路的主要性能指标: 正弦稳态分析中, 电压, 电流用复数表示, $R_S$: 信号源内阻,$R_L$:负载电阻, 输入端电压电流:${\dot{I}}_i,{\dot{V}}_i$,输出端电压电流:${\dot{V}}_o,{\dot{I}}_o$.
  
  • 输入阻抗: $Z_i=\frac{{\dot{V}}_i}{{\dot{I}}_i}$, 当在中频区(不考虑电抗), $R_i=\frac{{\dot{V}}_i}{{\dot{I}}_i}$.
  • 输出阻抗: 当$R_L$开路, 输入信号源短路(保留$R_S$时)从输出端看入的电阻.$$Z_o=\frac{\dot{V}}{\dot{I}}{|}_{R_L=\infty ,{\dot{V}}_s=0}$$在输入端, 为了将信号尽可能多的送到输入端, 当输入量为电压时, 要求$R_i>>R_s$, 尽量减小$R_s$分压, 称为恒压激励.当输入量为电流时, 要求$R_i<<R_s$, 即所谓恒流激励.
    
  • 计算$R_o$的方法:
    1. 加压求流法: 将信号源短路, 但保留内阻, 保留受控源, 然后采用加压求流法计算出内阻.
    2. 实验法:分别测出放大电路带负载$R_L$时的输出电压${\dot{V}}_o$和空载($R_L=\infty$)时的电压${\dot{V}}_o^{\prime }$, $$R_0=(\frac{{\dot{V}}_o^{\prime }}{{\dot{V}}_o}-1)\cdot R_L$$
    3. 开路电压除以短路电流: 分别测量开路电压和短路电流, 再相除.
  • 增益(放大倍数), 定义为放大电路输出量与输入量的比值, 是直接衡量放大电路放大能力的指标. 根据输入量和输出量的不同, 可有四种放大电路, 即电压放大电路, 电流放大电路, 互阻放大电路和互导放大电路.
    1. 电压增益: ${\dot{A}}_v=\frac{{\dot{V}}_o}{{\dot{V}}_i}$
    2. 源电压增益(考虑$R_s$的影响): ${\dot{A}}_{vs}=\frac{R_i}{R_i+R_s}{\dot{A}}_v$
    3. 电流增益: ${\dot{A}}_i=\frac{{\dot{I}}_o}{{\dot{I}}_i}$
    4. 源电流增益: ${\dot{A}}_i=\frac{R_s}{R_s+R_i}{\dot{A}}_i$
    5. 功率增益: $G_P=\frac{P_o}{P_i}=A_v\cdot A_i$

注: 放大倍数, 输入,输出电阻通常都是在正弦信号下的交流参数, 只有在放大电路处于放大状态时且输出不失真的条件下才有意义.

• 频率响应: 由于放大电路中电容电感的存在, 因此在不同频率下输出和输入间的增益, 相位不同$${\dot{A}}_v=A_v(\omega )e^{j\phi (\omega )}$$
• 最大输出功率: 非线性失真系数达到某数值时对应的最大输出电压和最大输出电流的乘积.
• 效率: 输出功率$P_o$与电源提供的平均功率$P_{DC}$之比.$$\eta =\frac{P_o}{P_{DC}}$$

基本共射放大电路的工作原理与分析方法

• 基本共射放大电路工作原理: 设置Ｑ点之后, 幅度很小的交流电压$v_s$叠加在$V_{BB}$上, 使电路的输入电压$v_I=V_{BB}+v_s$, 晶体管发射结对交流小信号可以等效为一个线性电阻$r_{be}$, 该电阻与$R_B$串联, 故发射结上的分得的交流电压为$v_{be}=\underset{R_B+r_{be}}{}$