【模电笔记】2.双极型晶体管及其基本放大电路

最新推荐文章于 2025-02-12 15:41:16 发布

若oo尘

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分类专栏：模拟电子技术基础文章标签：模电

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2.根据微变等效电路法求解共射基本放大电路

4.根据三极管特性判断是NPN还是PNP类型

题目（1）

题目（2）

一、前言

1.事先声明

以下参考哈工大模电教材，以下“教材”均指哈工大的教材
红色表示重要的地方；橙色表示次重要的地方；棕色表示重要的概念名称。

2.学习感悟

1. 双极性晶体管是模电中最重要的元器件之一，建议掌握原理。
2.一定要会推基本放大电路的两种分析（静态分析和动态分析）、三种指标（电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。考察电路分析能力，考试肯定会考的。
3.三极管用法很多，后面会慢慢介绍。
4.在画微变等效电路的时候一定一定要把交流电压源与输入电阻画上！虽然有时候结论是正确的，但是在一些情形中就错了！一定要养成好习惯。

二、正文

1.双极性晶体管（以NPN为主要讲解）

（1）结构及类型

e是发射极（emitter），b是基极（basic），c是集电极（collector）。上述箭头表示发射结加正向偏置电压时发射极电流的方向。
它的结构很特殊：基区薄且掺杂浓度低；发射区掺杂浓度最高（发射电子）；集电区掺杂浓度比发射区低但是集电结面积最大（收集电子）。这个掺杂浓度是晶体管的核心。
箭头表示当发射结正偏时的电流流向。
NPN与PNP略有不同，但是与原理分析方法是一样的。在三种电压偏置状态下对应的性质是一样的，只不过电位会有所不同。

（2）晶体管的三种组态

区分方法是：看哪个电极用到了两次。如共基极接法，输入电压两个端口是基极b与发射极e，输出电压两个端口是基极b与集电极c，基极用了两次，因此是共基极接法。

（3）晶体管的电流放大作用

要求：发射结正偏，集电结反偏。要记住正偏表示P区电位高于N区，因此一个正偏另一个反偏，电流方向其实是一样的。

原理分析：

因为发射区掺杂浓度最高，那么所含自由电子数非常多，而基区掺杂浓度最低，很大的浓度差使自由电子向基区扩散（形成电流 $I_{EN}$ ）。同样的，基区中较少的空穴向发射极扩散（形成电流 $I_{EP}$ ）。由于掺杂浓度的问题， $I_{EN}>>I_{EP}$ 。
当发射区的自由电子到达基区时，会与基区的空穴复合（形成电流 $I_{BN}$ ），但是由于掺杂浓度的问题复合的量非常少。
接着，由于集电结反偏，根据电场方向知，自由电子会继续向集电极移动（形成电流 $I_{CN}$ ）。有两个值得提醒的：第一，只有极少部分自由电子成为了电流 $I_{B}$ 一部分，大部分成为了 $I_{C}$ ，正因如此， $I_{C}= \beta I_{B}$ ，这个β很大，就是题目所说的“放大作用”；第二，有同学会觉得为什么集电结反偏还会有电流存在？？要注意，此时产生电流的主导是从发射区来的自由电子（掺杂浓度特别高），这个反偏电场是有助于它们产生电流。反偏电场阻碍的是集电区本身的扩散电流（此时这个电流近似为0）。同时，反偏电场有助于少子的漂移运动（形成电流 $I_{CBO}$ ）。

电流放大作用分析：列KCL

对三极管外部列一个大KCL则有 $I_{E}=I_{C}+I_{B}$

经过一系列推导可得（不赘述了）：

共基极直流电流放大系数： $\bar{\alpha }=\frac{I_{CN}}{I_{E}}$

共射极直流电流放大系数 $\bar{\beta }\approx \frac{I_{C}}{I_{B}}$

（4）晶体管的特殊情况——零偏

晶体管零偏时也有电流，这时导线直接将发射极与基极相连。这种工作状态是饱和区与放大区的临界点，发射结正偏，集电结零偏

（5）晶体管若只接两个极会怎么样？

正常情况下

①只接发射极和集电极

将会不产生电流，因为NPN没一个正偏的PN结

②只接发射极和基极

b，e相当于一个正偏的PN结

③只接集电极和基极

b，c相当于一个正偏的PN结

④总结一下，三极管可以当成二极管来用，并且必须要先有基极电流，其他极才能有电流。

2.晶体管的共射特性曲线

（1）输入特性曲线

注意 $U_{CE}=0V$ 时也处于工作状态（零偏），后面集成电路中的镜像电流源会用到这个特性。

（2）输出特性曲线

①饱和区：

发射结和集电结都正偏；
此时 $i_{B}$ 增大时， $i_{C}$ 增大不多或基本不变， $\beta$ 小于放大区中的 $\beta$
有个误区，认为集电结正偏，那么电流流向应该是从P->N。这么想是不对的。因为发射极掺杂浓度很高，当自由电子移动到基区时，基区的自由电子浓度仍大于集电区，因此根据自由扩散，自由电子仍会从基区->集电区，那么电流就是N->P。
举个形象的例子，放学时下楼的人肯定远远多于上楼的人。此时总体上看大部分肯定是下楼的人。而上楼的人可能因为下楼人太多而被挤得上不去。

②截止区：

发射结正偏但是小于开启电压，且集电结反偏；或发射结和集电结都反偏。
$I_{B}=0,i_{C}=I_{CEO}$

③放大区：

发射结正偏且大于开启电压，集电结反偏。
特性曲线几乎平行于横轴且等间距，随 $u_{CE}$ 的增加略微上倾斜
$i_{C}$ 随 $i_{B}$ 增大而线性增大，即 $i_{C}=\beta i_{B}$

3.温度的对三极管、特性曲线的影响

当温度升高时：

（1）热运动加剧，使更多价电子有足够的能量挣脱原子核的束缚，少数载流子的浓度增大，使PN结的反向饱和电流（漂移电流） $I_{CBO}$ 迅速增加、正向压降随温度减小。

（2）由于三极管由两个PN结构成，可知： $U_{BE}$ 减小，反向饱和电流 $I_{CBO}$ 增大，穿透电流 $I_{CEO}=(1+ \beta )I_{CBO}$ 增大， $I_{C}$ 增大， $\beta$ 增大。

（3）输入特性曲线左移；输出特性曲线由于穿透电流 $I_{CEO}$ 、 $I_{C}$ 增大而上移，由于电流放大系数增大使间隔增宽。

3.基本放大电路的分析方法

（1）图解法

图解法分为两个部分来分析，一个是静态分析，一个是动态分析，很多人认为是叠加定理最后叠加起来，其实不是的，不能用叠加定理，是因为叠加定理只适用于线性唯一解电路而三极管不属于线性原件。电流，本质上就可以分开多个电流来分析。

以下以分压偏置共射基本放大电路为例

①静态分析（直流分析）

只考虑直流。画出直流通路

这时候关键点来了，根据戴维南定理（线性含源一端口网络的对外作用可以用一个电压源串联电阻的电路来等效替代，外部电路是三极管加 $R_{c}$ 和 $R_{e}$ ，其余的是需要简化的线性电路）转化为简单电路

为什么要变换呢？怎么变换的呢？

变换的原因是因为要减少分析量（原先多了一个电流 $I_{1}$ ）

变换的方法

之后列输入回路方程可得

I_{B}=-\frac{1}{R_{b}}U_{BE}+V_{CC}^{'} — **式 3.1.1**

其中

V_{CC}^{'}=\frac{V_{CC}R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}} — **式 3.1.2**

R_{b'}=\frac{R_{b1}R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}} — **式 3.1.3**

R_{b}=R_{b}^{'}+(1+\beta)R_{e} — **式 3.1.4**

作图，与输入特性曲线交点即为静态工作点Q，确定 $I_{BQ}$ 用以分析输出回路

再列输出回路方程得

$I_{C}=-\frac{1}{R_{c}+R_{e}}U_{CE}+\frac{1}{R_{c}+R_{e}}V_{CC}$

作图，根据之前求的 $I_{BQ}$ 找对应输出曲线，上述直线方程（又称直流负载线）与曲线交点为Q，即可求出 $I_{CQ}$ 和 $U_{CEQ}$

②动态分析（交流分析）

只考虑交流，作出交流通路

注意：

对于交流而言，由于直流电源内阻很小，近似为零，交流电流流过直流电源不会产生交流电压降，因此直流电源对于交流信号相当于短路。这就是为什么能够将直流电源置零的原因（而不能解释为叠加定理）。
原 $V_{CC}$ 负极是相当于接地的（因为没画负极，负极默认接地）。将直流电源置零后，上面整条导线相当于接地了
$R_{e}$ 没了是因为电容 $C_{e}$ 对于交流信号是短路，因此 $R_{e}$ 被短接了

然后对图3.1.7进行简化。这是个重点

可以看到 $R_{b1}$ 和 $R_{c}$ 都接上面的地，这两个电阻可以等效为接在下面的地。根据电位等效，画出了2.1.8

对交流输出电压分析有： $u_{o} = u_{ce} = -i_{c}R_{L}^{'}$

然后现在教材就会告诉你：交流负载线一定过Q点而斜率，我认为这样解释很突兀，但是是对的。

$\small k =-\frac{1}{ R_{L}^{'} }$

首先说明，交流负载线不是只有交流，而是交直流之和，我觉得这个名词很误导人

现在来分析一下

交流负载线必过Q点，因为直流负载线是交流负载线的特殊情况（ $\small u_{i} = 0$ ）
现在求斜率

\small u_{CE}=U_{CEQ}+u_{ce}=U_{CEQ}-i_{c}R_{L}^{'} =U_{CEQ}-(i_{C}-I_{CQ})R_{L}^{'}\\\Rightarrow i_{C}=-\frac{1}{R_{L}^{'}}u_{CE}+ \frac{U_{CEQ}+I_{CQ}R_{L}^{'}}{R_{L}^{'}} — **式 3.1.5**

以上式子就能够表明：交流负载线的斜率就是 $\small -1/{ R_{L}^{'} }$ 并且无论 $\small i_{c}$ 和 $\small u_{ce}$ 怎么变，Q点都会在这条交流负载线上（可以看出这个斜率就是前面交流分析时纯交流 $\small u_{ce}$ 的系数，因为 $\small U_{CE}$ 是一个常数，并不影响斜率）

根据以上画出输出特性曲线与Q点

根据信号变化作出下图

③输出波形失真分析

Q点的位置会影响输出波形。若Q点偏向截止区，容易产生截止失真（顶部失真）；若Q点偏向饱和区，容易产生饱和失真（底部失真）。如下图

那么如何调节Q点呢？通过调节 $R_{b1}$ 。若 $R_{b1}$ 减小，则Q点向左上方移动，容易饱和失真；若 $R_{b1}$ 增大，则Q点向右下方移动，容易截止失真。

以下为分析：

可看出，当 $R_{b1}$ 减小时， $I_{BQ}$ 增大，而交流负载线不变（只有 $I_{BQ}$ 和 $U_{BE}$ 是改变的，其余参数都不变，根据式2.1.5，可知交流负载线不变），故输出曲线中的Q点往左上方移，容易导致饱和失真

最大不失真输出幅度分析：

（2）微变等效电路法

特点：在小信号的条件下，把非线性的晶体管用一个线性模型来代替，使非线性电路转化为线性电路；计算相对图解法精确。

①静态分析（直流分析）

分为两种计算方法计算求解法与估算法（我的老师说考试的时候用哪种都可以）

a.计算求解法（计算较复杂，但精度高）

如图解法时一致，根据戴维南定理转化为如下电路

变换后的等效直流通路
列输入回路方程，可解得
$\small I_{B}=\frac{V_{CC}^{'}-U_{BE}}{R_{b}^{'}+(1+ \beta )R_{e}}$
其中
$V_{CC}^{'}=\frac{V_{CC}R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}$

$R_{b'}=\frac{R_{b1}R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}$
列输出回路方程，可解得

$\small U_{CE}=V_{CC}-I_{C}(R_{c}+R_{e})$
这样就得到了静态工作点 $\small I_{BQ},I_{CQ},U_{CEQ}$

b.估算法（计算较简便，但误差稍大）

由于 $\small I_{1}=(5\sim 10)I_{B}$ ，所以 $\small I_{B}$ 很小，可忽略 $\small I_{B}$ 的影响。
则串联分压：基极电位
$\small U_B=\frac{V_{CC}R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}$
则电流
$\small I_{E}=\frac{U_{E}}{R_{e}}=\frac{U_{B}-U_{BE}}{R_{e}}$
其中对于硅管， $\small U_{BE}=0.7V$

而 $\small I_{C}\approx I_{E}$ ，则 $\small I_{B}=\frac{I_{E}}{\beta +1}$
列输出回路方程解得
$\small U_{CE}=V_{CC}-I_{C}(R_{c}+R_{e})$

②动态分析（交流分析）

等效为如上模型

其中 $\small r_{be}=r_{bb'}+(1+ \beta \frac{U_{T}}{I_{EQ}})$

要注意的是电流方向必须画对了！

这个方法思路比较直观，也比较容易明白，就不说太多了。唯一想提的就是动态分析中的输出电阻求法。

分析得： $R_{o}=R_{c}$

4.晶体管三种组态基本放大电路

（1）共射基本放大电路

这个讲过了，不过补充一种题型，若电路中的电容开路会对放大倍数有什么影响？

思路：交流分析时，电容相当于短路，往往会将一些电阻短接，对放大倍数有影响，直接计算即可

如：若 $C_{e}$ 开路，会使得电压放大倍数急剧减小。

（2）共集基本放大电路

（3）共基基本放大电路

我分析一下输出电阻 $\small R_{o}=R_{c}$ 的原因。

上图是其中一种分析方法，还有另一种直观的分析方法。

首先明确3个基本概念：

电路中电流方向分为实际方向和我们设出来的方向；
根据三极管的特性，发射极、基极、集电极电流的相对方向是必须一致的；
若只有一个源，电流从正极出发回到负极，构成闭合回路，那么完全通路。若无法构成闭合回路的部分，那里的电流就为0了

可以看到我们画出来的电压源，电流从正极出发，那么 $\small \dot{I}_{c}$ 就是电流实际方向，则 $\small \dot{I}_{e}$ 和 $\small \dot{I}_{b}$ 实际电流方向就是如图所示。但是，如果 $\small \dot{I}_{b}$ 是向上流的，那么必然违反了从正极流向负极的电流流向。因此 $\small \dot{I}_{b}=0$ ，由于 $\small \dot{I}_{c}=\beta \dot{I}_{b}$ 受控源断路，则 $\small R_{o}=R_{c}$ 。