封装复习笔记

一、集成电路及封装

1. 集成电路定义：集成电路是将一定数量常用电子元件，比如电阻、电容、晶体管等，以及这些电子元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起具有特定功能的电路。
2. KGD (Known-Good-Die):已知合格芯片，用于描述准备用于封装（单芯片、多芯片）集成电路。

3. 摩尔定律：晶体管数量每两年翻一倍，尤其是对硅基处理器、存储器至关重要。

4. 器件尺寸微缩极限挑战：①微缩极限（光刻精度、短沟道效应）②功耗极限（功耗密度、能耗效率）③速度极限（沟道迁移率、互连速度）

5. PPACT: Performance/Power/Area/Cost/Time To Market

6. 单片集成电路不再适用的原因：①单芯片制造面积上限；②先进节点设计低良率、高成本

7. SIP(系统级封装)：将多种功能芯片（如处理器、存储器等）集成在一个封装内从而实现一个具有基本完整功能的一种封装形式。

8. SIP与Soc区别：

• SIP:采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式

• Soc：高度集成的芯片产品

        9.封装定义：将半导体（集成电路）芯片包封在某一种标准组件中的方法、结构、工艺，通过这种包封，将半导体芯片标准组件安装在PCB（系统）实现使用。

        10. 封装作用：环境保护、机械支撑、电源分配、信号传输、散热、尺度放大、功能集成

        11.封装形式变迁：①单芯片封装向多芯片封装转变；②单一功能向多功能转变；③2D向3D转变

        12. 封装密度指标：单位封装体积硅密度、单位面积bump、单位尺寸互连密度。

        13.封装密度体现：①封装效率（芯片面积/封装面积)上升；②封装高度下降；③互连线宽、间距不断下降；④三维封装

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二、引线键合封装（Wire bonding)

1. 定义：使用金丝或金线利用热超声或超声，完成芯片与电路或引线框架的连接。

2. 键合方法：楔形焊、球形焊

3. 流程：

• 楔形焊:第一压焊点：劈刀下移，金丝与焊盘接触，施加热超声或超声，完成第一压焊点；（楔形）

劈刀上升移动，完成线性；

第二压焊点：劈刀下移，金丝与焊盘接触，施加热超声或超声，完成第二压焊点；（楔形）

• 球形焊:第一压焊点：劈刀下移，金丝与焊盘接触，施加热超声或超声，完成第一压焊点；（球形）

  第二压焊点：劈刀下移，金丝与焊盘接触，施加热超声或超声，完成第二压焊点；（楔形）

  劈刀上升，预留线尾，拉断金丝。

        4.技术类型：环氧树脂粘接，导电胶粘接，DAF(Die Attach Film)、共晶焊粘接、焊料回流粘接、纳米银浆烧结粘接

环氧树脂（优点：高温不挥发，热稳定性好；缺点：高温固化，湿度敏感）

导电胶（优点：导电导热性好，易操作，机械强度高；缺点：高温挥发有机物，热稳定性较差（>200℃）

DAF（优点：没有溢胶，厚度可控，适合堆叠封装；缺点：加压力，晶圆级操作）

共晶焊（优点：机械强度大，低电阻—欧姆接触，无污染；缺点：加温加压力，适合小芯片，成本高）

焊料回流（优点：低电阻，导热好，便于操作；缺点;CTE匹配敏感，高温操作，IMC（Inter metallic Compound：金属间化合物）可靠性）

纳米银浆（优点：高温服役，低热阻，界面特性优良；缺点：高温烧结，工艺流程长，成本高)

        5.工艺考虑、性能指标:机械强度、化学性能稳定、导电性、导热性、热匹配特性