PCB PDN design guidelines (PCB电源完整性设计指导) ------PCB去耦准则

PCB PDN design guidelines (PCB电源完整性设计指导) ------PCB去耦准则

一、 不带电源平面
1.为每个有源设备至少提供一个“本地”去耦电容器，并为板上分布的每个电压至少提供一个更大的“散装”去耦电容器。
2.本地去耦电容器应连接在有源设备的电压和接地引脚之间。由电容器/设备连接形成的环路面积应最小化。
3.本地去耦电容器的标称值通常为0.001、0.01或0.047 uF。一些有源设备可能需要几个本地去耦电容器，以响应电流的突然需求。
4.大容量去耦电容器应位于板子上施加电压的位置附近。如果板上产生了电压，则整体去耦应靠近产生电压的位置。
5.大容量去耦电容器的尺寸应满足整个电路板的瞬态电流需求。通常，大容量去耦电容器的值等于连接到同一总线的本地去耦电容器的值之和的1到10倍。
6.通常，两个具有相同标称值的本地去耦电容器要优于一个具有标称值两倍的本地去耦电容器。两个电容器的整体连接电感较低，并为电源总线的其余部分提供了更好的高频滤波。

下图显示了局部去耦的效果。 本地去耦电容器用作低通滤波器。 高频（HF）开关电流主要存在于由IC的电容器和电源/接地引脚形成的环路中。 在电源侧环路中，HF电流非常弱。 去耦电容器就像一个储液罐，由低频（LF）电流填充，并由HF电流放电。 充电/放电速度实际上取决于环路电感。 当电容器靠近IC放置时，IC侧环路的尺寸会最小化，并且电感非常小。 同时，电源侧环路的电感要大得多。 只要电容足够大，HF电流将被限制在一个非常小的环路中。 本地去耦电容器不仅可以稳定电源电压，还可以减少潜在的EMI问题