weixin_47139649的博客

噪声产生的原因串扰 Cross-talk电磁场耦合衬底噪声噪声解决方法解决衬底噪声一般使用：保护环 Guard ring更好的保护环，是三环结构；解决电磁耦合的办法：同轴线屏蔽使用差分信号传递使用去耦电容噪声一般为高频信号，在电源与地之间连接一个大电容，可以有效屏蔽高频噪声；方法一般有两类：我们可以直接增加一个电容器件；利用寄生电容；...

非理想特性原理图上完全相同的两个元器件，在实际生产中由于PVT： process & voltage & tempreture 的影响，导致匹配的元器件会有差别，影响的因素主要有如下：1. 阱偏效应 well proximity effects由于阱偏效应的存在，导致阱内的浓度不一致，导致阱内器件的阈值电压不同，为避免阱偏效应带来的影响，尽量让器件远离阱边缘；2. 多晶硅临近效应 poly proximity effects由于多晶硅刻蚀时，多晶硅布置的不同，会影响刻蚀速度，导致

MOSFETfinger 结构a. Finger越多，寄生效应越小（gate 寄生 & 源漏寄生均降低）；b. 当宽长比较大时，常用Finger结构；Capacitor常见的电容有两大类，Poly - Poly & Metal - Metal ;Poly - Poly 类型的电容，必须是2层poly的工艺才可加工；Metal - Metal 类型的电容，分为两种类型： 三明治结构（Sandwich） 和 Flux;sandwich 结构的版图：其中，DUM_MCT是