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微纳加工
这么神奇
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短沟道效应 & 窄宽度效应 short channel effects & narrow width effects
文章目录1. 概念:Narrow Width Effect: 窄宽度效应Short Channel effects:短沟道效应阈值电压 (Threshold voltage)2. 阈值电压与沟道长和沟道宽的关系:Narrow channel 窄沟的分析Short channel 短沟的分析1. 概念:Narrow Width Effect: 窄宽度效应在CMOS器件工艺中,器件的阈值电压Vth 随着沟道宽度的变窄而增大,即窄宽度效应;目前,由于浅沟道隔离工艺的应用,器件的阈值电压 Vth 随着沟道宽度原创 2021-02-07 10:07:00 · 30242 阅读 · 2 评论 -
版图设计的基本要求
主要的版图设计规则实例: 0.5工艺原创 2021-02-04 17:01:33 · 1848 阅读 · 2 评论 -
基本逻辑电路介绍
文章目录1. 反相器2. 与非门3. 或非门总结:1. 反相器2. 与非门3. 或非门总结:串联的NMOS 与并联的PMOS 实现 “与” 逻辑并联的NMOS,与串联的PMOS 实现“或”逻辑电路的输出端实现“非”逻辑,即反相器...原创 2021-02-04 14:56:13 · 1736 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_COMS工艺
COMS工艺第1,2步可以颠倒次序;第3步对精度要求最高;1-8 为FE9-14 为BE原创 2021-01-20 15:26:02 · 796 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_工艺模块_大马士革工艺
大马士革工艺文章目录大马士革工艺原创 2021-01-19 19:12:33 · 1117 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_工艺模块_High-K介质和金属栅
High-K介质和金属栅文章目录High-K介质和金属栅金属栅优缺点原创 2021-01-19 18:21:40 · 1057 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_工艺模块_自对准硅化物(Silicide)
自对准硅化物(Salicide)文章目录自对准硅化物(Salicide)概念介绍工艺步骤概念介绍工艺步骤原创 2021-01-19 18:09:14 · 5600 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_工艺模块_STI 浅槽隔离
工艺模块文章目录工艺模块浅槽隔离LOCOS 隔离浅槽隔离因为第一层布线有可能引起器件的反型,所以需要隔离;LOCOS 隔离氧化层一般500nm厚;22nm工艺的有源区一般也只有100nm的深度;STI: Shallow Trench Insulation With CMPSTI 制造流程pad oxide两个作用: 缓解应力,形成包角;STI槽并不希望是90°垂直的,因为我们也希望侧壁可以离子注入;完成图...原创 2021-01-19 17:39:43 · 6192 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_扩散与离子注入概述
扩散文章目录扩散扩散分两步:Si 中最大固溶度;一般随温度升高而升高;从下图可以看出:砷磷硼的最大固溶度较高,这也是用这三种元素来掺杂的重要原因,因为如果没有足够的最大固溶度,就不会产生足够的载流子;扩散设备菲克定律影响扩散工艺的因素...原创 2021-01-19 14:06:55 · 1054 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_湿法腐蚀与干法刻蚀_干法刻蚀若干问题
干法刻蚀若干问题文章目录干法刻蚀若干问题掩模损失和硬掩模侧壁沉积物的控制负载效应天线效应举例:1. 多晶硅栅的刻蚀2. TSV的刻蚀掩模损失和硬掩模在刻蚀中,光刻胶的开口也会被刻蚀,导致掩模展宽,开口变大,这降低了刻蚀的精度;为避免这种情况,侧壁沉积物的控制可以有效保护侧壁,但是过多会使窗口缩小;侧壁沉积物过多,导致下面的形貌:清除沉积物后的刻蚀结果:可以通过通入氧气来去除Polymer;负载效应由于图形的疏密程度不同,导致刻蚀速率不同;通过加入一些Dummy patte原创 2021-01-19 11:40:55 · 2050 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_湿法腐蚀与干法刻蚀
湿法腐蚀与干法刻蚀文章目录湿法腐蚀与干法刻蚀刻蚀的定义刻蚀的分类湿法腐蚀干法刻蚀干法刻蚀设备电容耦合等离子体电感耦合等离子体重要刻蚀参数刻蚀速率的影响因子两种方法的对比总结:刻蚀的定义刻蚀的分类我们希望的方式是完全各向异性;湿法腐蚀一般是各向同性的,但特定情况下,也可以各项异性,举例如下:KOH在硅上的腐蚀:(100)方向的腐蚀速度是(111)面的一百倍;利用此,可以加工完美的三角形断面;干法刻蚀干法刻蚀设备电容耦合等离子体刻蚀示意图:反应生成物会附着在侧壁,从而保护侧原创 2021-01-19 10:53:54 · 3622 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_薄膜制备_外延技术
外延技术外延技术也是一种特殊的CVD,外延技术生成单晶的膜,与一般的CVD不同;外延设备:石墨衬底,加热到1000℃左右;通入必要气体(反应气体,掺杂气体);外延的应用原创 2021-01-18 14:45:51 · 753 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_薄膜制备_氧化与ALD
氧化与ALD文章目录氧化与ALDALD: Atomic layer depositon,原子层沉积;原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法;单片加热,降低热预算;湿氧更快,因为水汽更易扩散过SiO2膜...原创 2021-01-18 14:23:30 · 1556 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_薄膜制备_CVD(化学气相沉积)
常见的反应方法反应过程低温区温度敏感,高温区流量敏感;conformal :包角性原创 2021-01-18 10:56:40 · 2707 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_薄膜制备
薄膜要求1. 栅氧化膜常见的介质层金属层:薄膜制备技术薄膜要求原创 2021-01-15 18:55:42 · 656 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_单晶硅制备
文章目录器件制备主要步骤单晶,多晶,非晶单晶硅的介绍单晶硅的制备从硅棒到硅片器件制备主要步骤FETMOS 截面图单晶,多晶,非晶单晶:短程有序,长程有序;多晶:短程有序,长程无序;非晶:短程无序,长程无序;单晶硅的介绍外貌:晶胞结构:纯度要求 11个9单晶硅的制备第一步:多晶硅制备第二步 提纯多晶硅第三步 单晶硅制备共三种方式:CZ法设备图:直拉法:从图可以看出,单晶硅的含杂量随着硅棒生长越来越高;从硅棒到硅片硅棒切片原创 2021-01-15 17:46:45 · 857 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_概述 & 超净环境
文章目录1. 加工技术概述加工步骤例子: CMOS Manufacturing Steps三维结构2. 超净环境污染源避免办法a. 超净室;b. 清洗1. 加工技术概述加工步骤例子: CMOS Manufacturing Steps三维结构2. 超净环境污染源a.大气中的微粒,尘埃; 来源:人,空气;b.重金属离子:金,铂金 在硅中都是快扩散金属,造成深能级陷阱,对CMOS器件的高频特性造成严重影响;c.碱金属离子:钠,钾离子;在硅中为移动电荷,使CMOS器件的阈值漂移;避免办法原创 2021-01-15 17:07:29 · 1369 阅读 · 0 评论 -
微纳加工技术_绪论
微纳加工技术——绪论文章目录集成电路的进口额:摩尔定律原创 2021-01-15 15:25:18 · 669 阅读 · 0 评论