数字逻辑门
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数字集成电路_7. 电容串扰 & 减少方法
原创 2021-03-18 17:57:53 · 506 阅读 · 0 评论 -
数字集成电路_6.连接线信号延时与改善方法
互连线延时的公式:互连线延时的优化优化方法一: 中继器小结:平方倍的递增关系,变为了一次方的递增关系;采用中继器技术后的延时情况:优化方法二:导线流水线,插入寄存器...原创 2021-03-18 15:32:28 · 1260 阅读 · 0 评论 -
数字集成电路_5.延时
原创 2021-03-18 14:02:09 · 1509 阅读 · 0 评论 -
数字集成电路_4.MOS管寄生电容
MOS管中的电容:曲线:栅-源/漏耦合电容,与电压无关,主要与沟道宽度有关;Xd 不能随着L缩小而减小,因此寄生电容随着特征尺寸的缩小而增大;结电容:PN结电容,与有源区的周长成正比;减小结电容的最佳方法为:减小漏区的面积与周长(参考下图);小结:栅-沟道电容和pn结电容都是非线性电容,电容值与晶体管偏置电压有关;栅-沟道电容和栅面积(W * L)成正比,耦合电容和W成正比;pn结电容和扩散区的面积与周长成正比;简单的讲,一般W越大,寄生电容越大;...原创 2021-03-15 17:16:44 · 7082 阅读 · 0 评论 -
数字集成电路_3.手动计算模型汇总
统一模型:线性区:饱和区:速度饱和区原创 2021-03-15 16:46:33 · 166 阅读 · 0 评论 -
数字集成电路_2.MOS管的原理
文章目录理想与现实的差异阈值电压:MOS管分类:MOS管电流MOS管特性曲线小结:沟长调制效应速度饱和现象理想与现实的差异理想情况理想情况下,导通时电阻无穷小,截止时电阻无穷大;开关速度无限小;实际情况寄生效应存在,导通时有电阻,切换时有延时,截止时有漏电流等;阈值电压:MOS管分类:增强型NMOS管:阈值电压大于0的NMOS管称为增强型NMOS管;耗尽型NMOS管:阈值电压小于0的NMOS管称为耗尽型NMOS管;增强型PMOS管:阈值电压小于0的PMOS管称为增强型PMOS管;原创 2021-03-15 16:38:25 · 2654 阅读 · 0 评论 -
数字集成电路_1.基本逻辑门 & 集成电路分类
源漏端的区分:N-MOS ,电位低的一端是源端(Source),点位高的一端是漏端(Drain);P-MOS, 点位高的一端是源端(Source),点位低的一端是漏端(Drain);导通区别:N-MOS ,Vgs 超过阈值电压VTn时,MOS管导通,小于VTn时截止;P-MOS,Vgs 超过阈值电压VTn时,MOS管截止,小于VTn时导通 ;阈值损失:由于阈值损失的现象,我们只能使用P管作为上拉网络,N管作为下拉网络;反相器:逻辑表达式的晶体管级设计:将表达式变换成反相形式原创 2021-03-15 13:10:28 · 631 阅读 · 0 评论