ESD
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ESD笔记(五)_栅氧层击穿原理
栅氧层击穿失效原理:MOS栅氧层击穿规律可以用传统的氧化层的渗透模型解释如图2.5所示,在芯片的制造中由于工艺、材料及环境等的影响,无法避免的在氧化层内引入一定的缺陷,当氧化层上下层界面间被施加较高电压时,氧化层中的缺陷就会形成一个个电子阱,随机分布在氧化层中间。在氧化层电场的作用下每个电子胖都有俘获电子的能力,同时电子也有可能从一个电子胖获得能量后跃迁到另一个电子胖中去。假设每个电子胖俘获电子的能力相同,俘获电子范围的半径为r,那么每个电子胖就会以r为半径形成一个俘获电子的球形区域。在高电场的作用下电子原创 2021-07-23 18:15:03 · 7379 阅读 · 0 评论 -
ESD笔记(四)_击穿电压规律
规律总结:纳米级MOS栅氧瞬态击穿电压一般性规律:1.栅极氧化层越厚其相应瞬态击穿电压越高;2.TLP脉冲的上升时间越短,栅氧化层瞬态击穿电压越低;3.在沟道长度在微米量级时,瞬态击穿电压随着MOS栅氧面积的减小而增大;4.当沟道长度在深亚微米尺度以下,瞬态击穿电压随着MOS沟道长度的减小而减小;5.当沟道长度和MOS栅氧面积都达到工艺精度的最小值时,器件鲁棒性最差,栅氧瞬态击穿电压最低。另外,在电路设计中需要注意的是,当射频电路中输入输出端需使用片上MOS电容作为滤波电容,或输入端MOS栅极原创 2021-07-23 16:22:40 · 4700 阅读 · 0 评论 -
ESD笔记(三)_常用ESD保护电路优缺点
根据ESD防护器件的TLP I-V特性我们可将ESD器件分为回滞类和非回滞类两种;回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控桂(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。非回滞类的ESD器件包括二极管、二极管串、沟道工作的MOS管、PNP三极管、栅极接电源的PMOS(GDPMOS)等,与回滞类ESD器件相比,其TLP曲线没有负阻区的存在。常用于ESD防护的器件包括PN结二极管、GGN原创 2021-07-22 18:23:32 · 12260 阅读 · 0 评论 -
ESD笔记(二)_ESD测试
文章目录一:HBM & MM 测试1. 输入输出(I/O)管脚----电源(Power)管脚 ESD测试2. I/O管脚 ---- I/O管脚 ESD测试3. 电源管脚 ---- 电源管脚 ESD测试二:CDM 测试三:lEC测试方法* ESD 等级划分四:传输线脉冲(TLP)测试一:HBM & MM 测试常用的HBM和MM测试设备为ZAPMASTER MK.2 SE;根据所编写的程序可以快速自动的对所有芯片管脚组合进行ESD应力测试。由于芯片的每个管脚均有遭受正电荷或负电荷ESD的原创 2021-07-22 15:40:43 · 8652 阅读 · 2 评论 -
ESD笔记(一)_ESD基础
基本ESD模型将一个电容充电到高电压(一般是2kV至8kV),然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件(图1)。电荷的极性可以是正也可以是负,因此必须同时处理好正负ESD两种情况。(1 ) HBM ( Human Body Model),人体放电模型;指带电荷的人体与集成电路产品的管脚接触并发生静电荷转移时,产生的ESD现象。人体等效电阻约1500欧姆,等效电容值为lOOpF,Ls与Cs寄生电感和电容。该ESD放电产生电流波形的上升时间在2~ 10ns范围内,持续时间在150原创 2021-07-22 13:59:03 · 9999 阅读 · 2 评论