PN结的伏安特性曲线

文章探讨了PN结在正偏和反偏条件下的行为,强调了多子漂移电流与阻碍效应。介绍了硅和锗的伏安特性差异,包括开启电压和反向漏电流,以及二极管在不同频率下的工作问题。还提到了等效替代的三种方法,涉及二极管分类的内容。

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1、知识回顾:
如果给PN结外加电场,方向与内建场相反时,即正偏,此时多子的阻碍会消失。多子扩散电流;
方向与内建场相同时,即反偏,此时多子的阻碍加强。即PN结会变宽,此时的电流为 少子的漂移电流;
2、伏安特性曲线:
①当半导体材料为硅时,开启电压为0.5v,导通电压为0.7v;
当半导体材料为锗时,开启电压为0.1v,导通电压为0.1~0.3v;
②当反偏时,会有一个反向漏电流,硅的是 NA级别,锗的是 UA级别;当给的电压足够大时,会造成击穿;
③当PN结结电容与二极管工作频率不相等时会出现,二极管关不断的效果(了解)
④等效替代:一般有3种等效方式;

二极管的分类

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