PN结的微观工作原理

本文回顾了N型和P型半导体的区别,解释了多子与少子的概念,以及PN结的形成,特别强调了内建电场如何导致单向导电性,指出部分内容需要指正。

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知识回顾

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2、上次说N型半导体的多子为自由电子,少子为空穴;P型半导体的多字的空穴,少子为自由电子;

3、什么是PN结?N半导体的多子向P半导体扩散与P的空穴结合的这块区域称做PN结,或者空乏区,耗尽层;

4、单向导电性如何理解?
同时右边负电荷少了,所以带正电,左边空穴少了,所以带负电,就会形成一个左负右正的内建电场;
N的多子“自由电子”会受到内电场阻碍,阻碍扩散运动;少子“空穴”顺着内电场漂过电场,促进漂移运动;
P的多子“空穴” 会受到内电场阻碍,阻碍扩散运动;少子“自由电子”顺着内电场漂过电场,促进漂移运动;

以上表述有误请求批评指正,谢谢大家。

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