【DRV8301/DRV8303芯片学习手册】

Rayneeee

于 2025-04-08 15:13:03 发布

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文章标签：学习 stm32

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DRV8301/DRV8303芯片学习手册

DRV8301/DRV8303

记录一下自己在学习FOC的笔记。个人拙见仅供各位参考，如有不同看法或发现错漏，欢迎随时交流指正！

DRV8301/DRV8303

在这里不使用BUCK电路，DRV8303与DRV8301的区别是少了一个BUCK电路，所以本章内容适用与DRV8301和DRV8303 。芯片手册DRV8301。

DRV8301芯片外部电路图：

在这里插入图片描述

1. BUCK降压电路

Pin1:RT_CLK,input，降压稳定器的Resistor timing(定时电阻、振荡电阻)和外部时钟，为了消除噪声可能造成的潜在时钟抖动电阻应该经很短的轨迹接地。
Pin2:COMP, output，降压误差放大器的输出和输出开关电流比较器的输入。
Pin3:VSENSE,input，降压输出电压的反馈检测引脚。
Pin4:PWRGD,output，开漏输出，需要外部上拉电阻，如果降压输出电压因过热关断、掉电、过压或 EN_BUCK 关断而变低，则赋值为低电平。
Pin53.54:PVDD2,power，为buck转换器提供能量，PVDD2电容应该接地。
Pin50.51:PH,output，接到buck转换器内部的高侧MOSFET上，外面需要电感、二极管电路来构成完整的buck电路。
Pin52:BST_BK,power，buck转换器的自举电容。
Pin55:EN_BUCK,input，使能buck转换器。内部上拉电流源，拉至 1.2 V 以下禁用。通过两个电阻调整输入欠压锁定。
Pin56:SS_TR,input，Buck软启动和跟踪。连接到此引脚的外部电容设置输出上升时间。因为这个引脚上的电压覆盖内部参考，它可以用于跟踪和排序。通过电容接地。

在这里插入图片描述

2. 故障警告

Pin5:nOCTW,output，过流、过温报警指示。开漏输出，需要外部上拉电阻。可通过SPI修改寄存器来配置输出模式
Pin6:nFAULT,output，故障指示。开漏输出，需要外部上拉电阻

3. 死区时间

Pin7:DTC,input，外接一个接地的电阻来调整死区时间

在这里插入图片描述

最小死区时间为50ns，通过将DTC口接地；最大死区时间为500ns，通过接150k欧电阻。

4. SPI

Pin8:nSCS,input，SPI芯片选择。
Pin9:SDI,input，SPI的输入。
Pin10:SDO,output，SPI输出。
Pin11:SCLK,input，SPI CLK信号输入。
Pin49:VDD_SPI,input，SPI供电，可提供3.3V或5V。与MCU用于SPI的电源相连接。

DRV8301 SPI 作为从设备运行。
SPI 输入 (SDI) 数据格式由一个 16 位字组成，包含 1 个读写位、4 个地址位和 11 个数据位。
SPI 输出 (SDO) 数据格式由一个 16 位字组成，包含 1 个帧故障位、4 个地址位和 11 个数据位。
当一个帧无效时，帧故障位将置 1，其余位移出为 0。

SDI有16个字节：
• 1 read/write bit W [15]，0表示写，1表示读。
• 4 address bits A [14:11]
• 11 data bits D [10:0]
在这里插入图片描述

SDO也有16个字节
• 1 fault frame bit F [15]
• 4 address bits A [14:11]
• 11 data bits D [10:0]

在这里插入图片描述

SDO 输出字（第 N 个周期）是对上一个 SDI 输入字（第 N-1 个周期）的响应。因此，每个 SPI 查询/响应对需要两个完整的 16 位移位周期才能完成。

4.1 寄存器地址

在这里插入图片描述

4.2 状态寄存器

在这里插入图片描述

OTW:过压过温检测。
DETHA：三相电流状态。

在这里插入图片描述
GVDD：检测设备是否过压。
Device ID：设备ID。

4.3 控制寄存器

在这里插入图片描述

比如在这里可以设置6PWM模式或者3PWM模式。

5. 分流放大器

Pin12:DC_CAL,input，当DC_CAL拉高时，DRV8301短路采样电流放大器的输入并断开负载。直流偏置校正可通过外部单片机实现。（在发生偏移时，拉高DC_CAL，进行复位操作）

在这里插入图片描述

Pin25:SO1,output，电流放大器1的输出。
Pin26:SO2,output，电流放大器2的输出。
在这里插入图片描述

Pin33:SN1,input，电流放大器 1 的输入端（连接至放大器的负输入端）。
Pin32:SP1,input，电流放大器 1 的输入端（连接至放大器的正输入端）。建议连接至感应电阻器的接地端，以获得最佳的共模抑制效果。
Pin31:SN2,input，电流放大器 2 的输入端（连接至放大器的负输入端）。
Pin30:SP2,input：电流放大器 2 的输入端（连接至放大器的正输入端）。建议连接至感应电阻器的接地端，以获得最佳的共模抑制效果。
在这里插入图片描述

分流放大器内部：

在这里插入图片描述
当芯片运行时间长了之后，运算放大器输出的值可能会不准确。那么拉高DC_CAL引脚，就可以使MOS管打开，运算放大器两边接地，来复位。

分流放大器输出为：

在这里插入图片描述

其中G为电压放大倍数，可通过SPI设置，可设置有10，20，40，80V/V。

Pin24:REF,input，设置采样电流放大器的偏置电压，该偏置电压值等于本引脚上电压的一半。连接到MCU的ADC参考电压上(VREF)。

在这里插入图片描述

6. GVDD，PVDD功能

Pin13:GVDD,power，内部栅极驱动器电压调节器，连接电容接地。(不要外部接用)

在这里插入图片描述

Pin29:PVDD1,power，为栅极驱动、采样电流放大器和SPI通信提供能量。PVDD1与PVDD2相独立。PVDD1通过电容接地。

Pin14:CP1,power，充电泵的引脚1，与引脚2之间连接陶瓷电容。
Pin15:CP2,power，充电泵的引脚1，与引脚1之间连接陶瓷电容。
在这里插入图片描述

实际上PVDD1，和PVDD2是来自于同一个电源，输入给芯片中两个不同的模块。

7. 欠压保护

在这里插入图片描述

PVDD最小电压为6V，GVDD最小电压为8V。
不管是PVDD或是GVDD低于最小电压，DRV8301都会拉低(GH_X，GL_X),启动欠压保护。使MOS管处于高阻态。
在这里插入图片描述

当设备处于欠压保护时，不会对SPI命令进行响应。并且会对把SPI寄存器复位到默认状态。

8. 过压保护

在这里插入图片描述

如果GVDD大于16V，DRV8301会关闭栅极驱动（ABC三相MOS管）和电荷泵。这种错误会锁定芯片，需要重置EN_GATE。
Pin16:EN_GATE,input，使能栅极驱动和采样电流放大器，控制buck需要通过EN_BUCK端口。

9. PWM输入

Pin17:INH_A,input，半桥A的高侧PWM输入。

Pin18:INL_A,input，半桥A的低侧PWM输入。

Pin19:INH_B,input，半桥B的高侧PWM输入。

Pin20:INL_B,input，半桥B的低侧PWM输入。

Pin21:INH_C,input，半桥C的高侧PWM输入。

Pin22:INL_C,input，半桥C的低侧PWM输入。
在这里插入图片描述

PWM模式可根据SPI调整。在6PWM模式中可以通过单片机PWM输出中设置死区时间，在3PWM模式中只能通过电阻的大小设置死区时间。

STM32高级定时器中PWM带死区插入的互补输出。
通过TIMx_BDTR寄存器中的DTG[7:0]位用于控制所有通道的死区生成。

在这里插入图片描述

按照上表，6PWM通过设置延迟的时间就可以控制输出的死区时间。

10. DVDD和AVDD

Pin23:DVDD,power，内部3.3V供电。DVDD 电容应连接至 AGND，此时是一个输出端，但不用于驱动外部电路。
Pin27:AVDD,power，内部6V的供电电压，AVDD 电容应连接至 AGND，此时是一个输出端，但不用于驱动外部电路。（给分流放大器做电源）
Pin28:AGND,power，模拟地，连接到地。
Pin57:GND。

11.0 栅极驱动电路

栅极驱动电路：

在这里插入图片描述

Pin48:BST_A,power，半桥A的自举电容。
Pin47:GH_A,output，半桥A高侧MOS的栅极输出。
Pin45:GL_A,output，半桥A低侧MOS的栅极输出。
Pin46:SH_A,input，半桥A高侧MOS的源极。在这个引脚和PVDD1引脚可以测高侧的Vds。
Pin44:SL_A,input，半桥A低侧MOS的源极。在这个引脚和SH_A引脚可以测低侧的Vds。

Pin43:BST_B,power，半桥B的自举电容。
Pin42:GH_B,output，半桥B高侧MOS的栅极输出。
Pin40:GL_B,output，半桥B低侧MOS的栅极输出。
Pin41:SH_B,input，半桥B高侧MOS的源极。在这个引脚和PVDD1引脚可以测高侧的Vds。
Pin39:SL_B,input，半桥B低侧MOS的源极。在这个引脚和SH_B引脚可以测低侧的Vds。

Pin38:BST_C,power，半桥C的自举电容。
Pin37:GH_C,output，半桥C高侧MOS的栅极输出。
Pin35:GL_C,output，半桥C低侧MOS的栅极输出。
Pin36:SH_C,input，半桥C高侧MOS的源极。在这个引脚和PVDD1引脚可以测高侧的Vds。
Pin34:SL_C,input，半桥C低侧MOS的源极。在这个引脚和SH_C引脚可以测低侧的Vds。

本文章结束，记录一下学习DRV80301芯片的过程，后续会发布DRV8301关于SPI通信的代码，并且运用这些知识组建一个FOC。
芯片手册：DRV8301
参考视频：FOC驱动芯片DRV8301/8303功能详细说明