LDO芯片手册，实例应用分析

   在进行电路设计时LDO是经常用到的，尤其在为芯片，晶振等敏感电路进行供电时应用更多，下面选取一款比较常用的LDO芯片，一起进行更深入的学习。

SGM2036特点简介

SGM2036，圣邦微一款比较常用的LDO芯片手册

可以先大致看一下芯片的特点，

   输入电压的范围比较宽：1.6-5.5V；比较多的固定输出电压，在0.8-5V范围内是可以调节的；可以输出300mA的电流；输出电压精度较高；压降165mV；过热保护；过流保护；快速掉电等特点。从Features可以大致确定该LDO是否可以满足我们的需求，仔细阅读这些特点，对我们初步筛选是有益的。

LDO的极限参数

   极限参数包括输入引脚，EN引脚的输入电压，以及不同封装的LDO的耗散功率和不同封装对应的热阻，以及在进行电路设计的时候推荐的一些相关参数。

   在选用或者进行参数设计的时候，LDO的功耗以及温升都是必须要考虑的。

SGM2036引脚定义

   从芯片手册中可以看到LDO的引脚封装，以及各个引脚的功能。

   在OUT引脚手册建议使用1uF电容，但在实际应用中，会使用10-22uF电容的才能满足需求。

   EN使能引脚，接高电平的时候，LDO才能正常工作。

   IN输入引脚，同样需要接一个电容，减少一些高频干扰

   BP/FB旁路，反馈引脚，外接合适的电容可以减少输出噪声，或者外接电阻可以调节输出电压。

   LDO芯片底部通常还有一个散热焊盘与内部GND连接，有些芯片没有单独GND引脚，用这种焊盘当作GND引脚。

电气参数

   电气参数有输入，输出电压，反馈引脚的电压，输出电流，供电电流，不同输出的情况下LDO的压降，负载调整率，线性调整率，电源抑制比等在上一篇博文中提到的参数。在进行设计选用的时候，电气参数也需要关注是否能满足我们的需求。

   除了电气参数之外，还有一些电气参数的变化曲线，我们在选型应用的时候也应该注意用作参考，例如下面输出电压与输出电流的变化曲线

  当长时间较大电流的输出时，LDO会产生比较多的热量，自行热关断进行保护，此时LDO停止工作，电流迅速下降，温度也会随之降低，在进行设计的时候应该避免LDO工作在超出额定电流的情况，避免过热损坏。

SGM2036推荐应用

   上图是芯片手册提供的应用案例，当引脚4用作FB引脚使用的时候应该需要注意R1和R2的选择，阻值不能过大，因为引脚需要有一定的通流能力。

    各种放大电路的接口是三极管或者是MOS器件，MOS管有漏电流， 漏电流是需要进行释放的，如果积累，影响MOS管的开关速度，进而会影响IO口输出高低电平的灵敏度，造成误动作。所以R2提供电流的泄放通路，不能过大，使环路反馈的稳定性得到保障。

思考题

  如果使用该款LDO设计：VIN3.3V，VOUT1.5V.能否正常输出250mA？

  LDO能否满足设计要求，它的功率耗散是我们必须要考虑，即温升不能超过器件的结温。计算公式如下：

其中，Tjmax为节点最高温度
TA为环境温度
Rθja为节点温度到环境温度的热阻

       通过计算我们可以看到，功率耗散的值已经超过上述三款封装的任何一个最大值，所以该设计是不符合要求的。

LDO芯片各外围器件作用

输入电容的作用

    主要作用是对LDO的输入进行滤波，也可以抵消输入线较长时引入的寄生电感效应，防止电路产生自激振荡；所以LDO输入端一般采用两个电容并联的设计一大一小，较大的电容提供滤波作用，一般可以选取22uF左右，较小电容提供消除振荡作用，一般选用0.1uF，位置应该靠近输入引脚。

   同时在选取电容的时候应该注意温度对电容特性的影响，电容都需要80%降额,钽电容需要50%的降额。可以选用，陶瓷电容X7R材质

   并联多个不同容值的电容，滤波频带变宽，效果较好。

输出电容的作用

   LDO的许多性能都受到输出电容的影响，其中电容值以及ESR对电路频率响应的影响是最主要的，输出电容以及ESR选择不当，非常容易引起电路的自激振荡。

   一般也是一大一小进行并联，可以选用22uF左右，较小电容提供消除高频噪声的作用，一般选用0.1uF，位置应该尽量靠近引脚。

   在选择电容的时候还需要考虑温度对容值以及ESR的影响，应该保证在整个温度范围内电路都是稳定的。

下图是不同容值的输出电容对负载响应的影响，在上一篇文章也有提到。

 因为LDO控制环路的带宽有限，因此输出电容必须提供快速瞬变所需要的大多数负载电流

 1uF电容产生约90mV的负载瞬变，

 10uF电容将负载瞬变降低至约80mV

 22uF电容将负载瞬变降低至约60mV，LDO控制回路就可捕捉并主动降低负载瞬变。

具体应用

  1. 上述实例应用中可以看到使能引脚使用RC电路进行延时，可以满足缓启动的功能；

  2. 输入电容10uF，也可以并联一个小的电容，以减少干扰；

  3.在FB引脚反馈电容的选取是150K，是可以满足引脚泄放电荷的要求的；

  4. 可以看到电路中加了一个1k的假负载

   从参数手册中可以看到需要一个比较小的负载电流（1.7mA），进行维持负反馈是一个闭环系统，闭环增益，保持环路稳定性。因此增加一个假负载满足最低负载的要求。

输出电容ESR对环路稳定性的影响

高的ESR将零点移到一个较低的频率；

这样增大了环路带宽，因而允许极点PPWR在0dB频率之前增加更多的相移；

由其他极点产生的相移（图中未进行标注）使得的ESR值往往会造成环路的不稳定；

低ESR将零点移至一个较高的频率；

零点出现的频率比0dB频率高1个十倍频以上；

由于零点在0dB下未添加任何正相移，因此两个低频极点将会导致相移达到-180°（不稳定）。

   输出电容不能并联太多电容，电容并联较多，会有低ESR，可能会影响环路稳定性。

   现在大部分LDO内部已经做了相位补偿。

   我们一起探索了较多参数，但是LDO在实际应用中并没有想象的那么复杂，一般设计都是可以满足要求的，我们只是在理论上多一些了解。

相位裕度的定义

  波特图中，增益为零对应的相移与-180°的差值叫做相位裕度，这个值应该大于45°才能保证环路的稳定性。

电路优化

添加降噪电容  

 在LDO的误差放大器引脚添加降噪电容，用于过滤内部电压基准产生的噪声。不同容值的电容产生的效果也会有所不同，效果可以在下图中看到。

   降噪电容，电压基准产生的干扰已经滤除。0.1uF的退耦半径2厘米左右，要靠近管脚摆放。

   除了滤除干扰外还有第二个作用是：改善上电的时序，RC滤波电路，参考电压的上电变缓，LDO正常工作需要参考电压提供基准。可以使LDO上电过缓，避免浪涌电流的冲击，比较有意义。

添加电容CFF

   实际使用中还会添加电容CFF进行电路优化

  在负载与反馈电阻之间添加电容CFF，会在LDO反馈回路中引入零极点。这样增加了相位裕度，改善负载瞬态响应，输出将减少振铃并更快稳定。但是改善是有限度的，具体电路应该具体分析。

其他问题

如果在设计LDO时，输出不稳或者关断，我们可以从以下方面进行思考

1.过载导致过温，芯片自行进行热保护，

2.输入电压有较大的波动

上图可以看出LDO的瞬态响应，如果输入电压有较大的波动，输出震荡会更加严重，甚至不能正常启动

3.环路不稳，导致震荡，电压跌落。输出电容的ESR不合适可能会导致问题的出现。

4.不符合压差，LDO不能够进行调节稳压。

LDO电路的PCBLayout

在进行布局布线的时候：

电容按照先大后小顺序就近摆放；

输入/输出布线路径宽度，换层过孔数量要满足电源电流的大小；

较大的GND焊盘需要打过孔，方便进行散热，背面应该开阻焊窗；

输入/输出的GND尽量连接在一起，保持完整的回流；

总结来说：一点接地，去耦支路尽可能短，大电流线尽可能短，同时做好散热设计。