一篇让你完全弄懂GPIO的8种配置模式

前言

        配置GPIO口是我们软件开发中必须要掌握的，每个模式的作用效果也是需要清楚的。如果连gpio应该配置成什么模式都不懂，是无法进行后面的开发的。

1. 输入模式

1.1  浮空输入模式

I/O端口的电平信号进入输入数据寄存器。I/O的电平状态是不确定的（高阻态），完全由外部输入决定。

其中TTL施密特触发器的作用是整形作用（正弦波整成方波），将输入的信号以逻辑“0”或者“1”的形式呈现给IDR（输入数据寄存器）。

1.2  上拉输入模式

打开内部上拉功能，在I/O端口悬空（在无信号输入）的情况下，输入端的电平可以保持在高电平。

1.3  下拉输入模式

打开内部下拉功能，在I/O端口悬空（在无信号输入）的情况下，输入端的电平可以保持在低电平。

 1.4  模拟输入模式

I/O端口的模拟信号（电压信号）直接模拟输入到片上外设模块，比如ADC、DAC等。

2. 输出模式

输出模式的通断由输出驱动器控制，其中的P-MOS、N-MOS管部分电路可以等效成右图所示电路。

N-MOS管：Ug > Us时导通，Ug = Us = 0V时截止；

P-MOS管：Ug < Us时导通，Ug = Us = 0v时截止。

下图所示，P-MOS管的S极接vdd，所以P-MOS管要导通，G极电压就要小于S极，所以G极低电平的时候P-MOS管导通；

N-MOS管S极接vss（地为0v），N-MOS管要导通，G极电压就要大于S极，所以G极高电平的时候N-MOS管导通；

2.1  开漏输出模式

开漏输出模式下，TTL施密特触发器是开启的，可以读取I/O口的状态；

P-MOS管G极接vdd处于高电平，始终不工作、导通；

N-MOS管G极输出一个低电平（输出电平信号从ODR输出数据寄存器中得来）的时候，N-MOS管导通工作，G极输出高电平时，N-MOS管不导通，这个时候I/O的电平状态是不确定的，这就是为什么配置为开漏输出后，无法控制为高电平，需要外接一个上拉电阻，使I/O口处于高电平。

2.2  复用开漏输出模式

此模式与开漏输出的区别就是，它的输出端来自①处的复用功能输出，例如I/O配置为uart、i2c等复用功能；电路工作原理同开漏输出模式一样。

2.3  推挽输出模式

推挽输出模式下，TTL施密特触发器也是开启的，IDR中可以读取到I/O口的状态；

两个MOS管的G极处接有一个反向器，当ODR（输出数据寄存器）中输出逻辑“0”信号时，经控制电路的反向器输出逻辑“0”信号到MOS管，上面已经分析了，P-MOS管G极输出逻辑“0”信号导通，N-MOS管G极输出逻辑“1”信号导通。所以综上就可以总结为：ODR输出“0”，N-MOS管导通，I/O口连接VSS输出为低电平；ODR输出“1”，P-MOS管导通，I/O口连接VDD输出为高电平；

推挽输出模式的驱动能力也是比较强的。

 2.4  复用推挽输出模式

此模式与推挽输出模式唯一不同的就是输出端接的是①处的复用功能输出，其它功能原理都一样

 ​​​，例如I/O配置为uart、i2c、spi等复用功能。

鸡汤向

        在现如今浮躁的社会风气下，我们更应该沉住气，静下心来去思考，不断的去提升自己，而不是五花八门的，一时一个想法。繁华中自律~