51c嵌入式~电路~合集19

我自己的原文哦~     https://blog.51cto.com/whaosoft/13825067

一、总结设计、测评电源考虑的要素

电源并不是一个简单的小盒子，它相当于有源器件的心脏，源源不断的向元器件提供能量。电源的好坏，直接影响到元器件的性能。

    电源的设计、制造及品质管理等测试需要精密的电子仪器设备来模拟电源供应器实际工作时之各项特性（亦即为各项规格），并验证通过后才能投入使用。

    工程师在设计或者测评电源时须知考虑以下要素：

<1>． 描述输入电压影响输出电压几个指标形式

1． 稳压系数

    A．稳压系数：表示负载不变时，稳压电源输出直流变化量△U0与输入电网变化量△Ui之比。即：K=△U0/△Ui。

    B． 相对稳压系数：表示负载不变时，稳压器输出直流电压△Uo的相对变化量△Uo与输出电网 Ui 的相对变化量Ui之比。即：S=△Uo/Uo /△Ui/Ui。

2. 电网调整率    它表示输入电网电压由额定值变化±10%时，稳压电源输出电压的相对变化量，有时也以表示。

3. 电压稳定度    负载电流保持为额定范围内的任何值，输入电压在规定的范围内变化所引起的输出电压相对变化△Uo/Uo百分值），称为稳压器的电压稳定度。

<2>． 负载对输出电压影响的几种指标形式

1． 负载调整率（也称电流调整率）

    在额定电网电压下，负载电流从零变化到时，输出电压的相对变化量，常用百分数表示，有时也用变化量表示。

2． 输出电阻（也称等效内阻或内阻）
    在额定电网电压下，由于负载电流变化△IL引起输出电压变化△Uo，则输出电阻为Ro=|△Uo/△IL| 欧。

<3>． 纹波电压的几个指标形式

1． 纹波电压
    在额定输出电压和负载电流下，输出电压的纹波（包括噪声）的的大小，通常以峰峰值或有效值表示。

2． 纹波系数 Y（%）
    在额定负载电流下，输出纹波电压的有效值Urms与输出直流电压 Uo 之比，即y=Umrs/Uo x100%

3． 纹波电压抑制比
    在规定的纹波频率（例如 50Hz）下，输出电压中的纹波电压 Ui~与输出电压中的纹波电压 Uo~之比，即：纹波电压抑制比=Ui~/Uo~ 。

    这里声明一下：噪声不同于​​纹波​​。纹波是出现在输出端子间的一种与输入频率和开关频率同步的成分，用峰-峰（peak to peak）值表示，一般在输出电压的 0.5%以下；噪声是出现在输出端子间的纹波以外的一种高频成分，也用峰-峰（peak to peak）值表示，一般在输出电压的 1%左右。纹波噪声是二者的合成，用峰-峰（peak to peak）值表示，一般在输出电压的 2%以下。

<4>． 冲击电流

    冲击电流是指输入电压按规定时间间隔接通或断开时，输入电流达到稳定状态前所通过的瞬间电流。

    一般是 20A——30A。

<5>． 过流保护

    过流保护是一种电源负载保护功能，以避免发生包括输出端子上的短路在内的过负载输出电流对电源和负载的损坏。

    过流的给定值一般是额定电流的 110%——130%。

<6>． 过压保护

    过压保护是一种对端子间过大电压进行负载保护的功能。

    一般规定为输出电压的 130%——150%。

<7>． 输出欠压保护

    当输出电压在标准值以下时，检测输出电压下降或为保护负载及防止误操作而停止电源并发出报警信号，

    多为输出电压的 80%——30%左右。

<8>． 过热保护

    在电源内部发生异常或因使用不当而使电源温升超标时停止电源的工作并发出报警信号。

<9>． 温度漂移和温度系数

    温度漂移：环境温度的变化影响元器件的参数的变化，从而引起稳压器输出电压变化。常用温度系数表示温度漂移的大小。

    温度系数：温度变化1摄氏度引起输出电压值的变化△UoT，单位是 V/℃或毫伏每摄氏度。

    相对温度系数：温度变化 1 摄氏度引起输出电压相对变化△UoT/Uo，单位是 V/℃。

<10>． 漂移

    稳压器在输入电压、负载电流和环境温度保持一定的情况下，元件参数的稳定性也会造成输出电压的变化，慢变化叫漂移，快变化叫噪声，介于两者之间叫起伏。

    表示漂移的方法有两种：

• 在指定的时间内输出电压值的变化△Uot。
• 在指定时间内输出电压的相对变化△Uot/Uo。

    考察漂移的时间可以定为 1 分钟、10 分钟、1 小时、8 小时或更长。只在精度较高的稳压器中，才有温度系数和温漂两项指标。

<11>． 响应时间

    响应时间是指负载电流突然变化时，稳压器的输出电压从开始变化到达新的稳定值的一段调整时间。

    在直流稳压器中，则是用在矩形波负载电流时的输出电压波形来表示这个特性，称为过度特。

<12>． 失真

    失真这是交流稳压器特有的。是指输出波形不是正 波形，产生波形畸变，称为畸变。

<13>． 噪声

    按30Hz——18kHZ 的可听频率规定，这对开关电源的转换频率不成问题，但对带风扇的电源要根据需要加以规定。

<14>． 输入噪声

    为使开关电源工作保持正常状态，要根据额定输入条件，按由允许输入外并叠加于工业用频率的脉冲状电压（0——peak）制定输入噪声指标。

    一般外加脉冲宽度为 100——800us，外加电压 1000V。

<15>． 浪涌

    这是在输入电压，以 1 分钟以上的间隔按规定次数加一种浪涌电压，以避免发生绝缘破坏、闪络、电弧等异常现象。

    通信设备等规定的数值为数千伏，一般为 1200V。

<16>． 静电噪声

    指在额定输入条件下，外加到电源框体的任意部分时，全输出电路能保持正常工作状态的一种重复脉冲状的静电。

    一般保证 5——10KV 以内。

<17>． 稳定度

      允许使用条件下，输出电压相对变化△Uo/Uo。

<18>． 电气安全要求（GB 4943-90）

1． 电源结构的安全要求

1） 空间要求
    UL、CSA、VDE 安全规范强调了在带电部分之间和带电部分与非带电金属部分之间的表面、空间的距离要求。

    UL、CSA要求：极间电压大于等于 250VAC 的高压导体之间，以及高压导体与非带电金属部分之间（这里不包括导线间），无论在表面间还是在空间，均应有 0.1 英寸的距离；VDE 要求交流线之间有 3mm 的徐变或 2mm 的净空隙；IEC 要求：交流线间有 3mm 的净空间隙及在交流线与接地导体间的 4mm 的净空间隙。

    另外，VDE、IEC要求在电源的输出和输入之间，至少有 8mm 的空间间距。

2） 电介质实验测试方法（打高压：输入与输出、输入和地、输入 AC 两级之间）

3） 漏电流测量
    漏电流是流经输入侧地线的电流，在开关电源中主要是通过静噪滤波器的旁路电容器泄露电流。UL、CSA 均要求暴露的不带电的金属部分均应与大地相接，漏电流测量是通过将这些部分与大地之间接一个 1.5K 欧的电阻，其漏电流应该不大于 5 毫安。

    VDE 允许：用 1.5K 欧的电阻与 150nP 电容并接。并施加 1.06倍额定使用电压，对数据处理设备，漏电流应不大于 3.5 毫安。一般是 1 毫安左右。

4） 绝缘电阻测试
    VDE 要求：输入和低电压输出电路之间应有 7M 欧的电阻，在可接触到的金属部分和输入之间，应有 2M 欧的电阻或加 500V 直流电压持续 1 分钟。

5） 印制电路板要求
    要求是 UL 的 94V-2 材料或比此更好的材料。

2． 对电源变压器结构的安全要求

1） 变压器的绝缘
    变压器的绕组使用的铜线应为漆包线，其他金属部分应涂有瓷、漆等绝缘物质。

2） 变压器的介电强度
    在实验中不应出现绝缘层破裂和飞弧现象。

3） 变压器的绝缘电阻
    变压器绕组间的绝缘电阻至少为 10M 欧，在绕组与磁心、骨架、屏蔽层间施加 500 伏直流电压，持续 1 分钟，不应出现击穿、飞弧现象。

4） 变压器湿度电阻
    变压器必须在放置于潮湿的环境之后，立即进行绝缘电阻和介电强度实验，并满足要求。潮湿环境一般是：相对湿度为 92%（公差为 2%），温度稳定在 20 到 30 摄氏度之间，误差允许 1%，需在内放置至少 48 小时之后，立即进行上述实验。此时变压器的本身温度不应该较进入潮湿环境之前测试高出 4 摄氏度。

5） VDE 关于变压器温度特性的要求

6） UL、CSA 关于变压器温度特性的要求。
    注：

IEC——International ElectrotechnICal Commission
VDE——Verbandes Deutcher ElectrotechnICer
UL——Underwriters’ Laboratories
CSA——CANadian Standards Association
FCC—— Federal CommunICations Commission

<19>． 无线电骚扰（按照 GB 9254-1998 测试）

1． 电源端子骚扰电压限值

2． 辐射骚扰限值

<20>．电磁兼容性试验

    电磁兼容性试验（electromagnetIC compatiblity EMC）。

    电磁兼容性是指设备或系统在共同的电磁环境中能正常工作且不对该环境中 任何事物构成不能承受的电磁干扰的能力。

    电磁干扰波一般有两种传播途径，要按各个途径进行评价。一种是以波长长的频带向电源线传播，给发射区以干扰的途径，一般在 30MHz 以下。这种波长长的频率在附属于电子设备的电源线的长度范围内还不满 1 个波长，其辐射到空间的量也很少，由此可掌握发生于电源线上的电压，进而可充分评估干扰的大小，这种噪声叫做传导噪声。

    当频率达到 30MHz 以上，波长也会随之变短。这时如果只对发生于电源线的噪声源电压进行评价，就与实际干扰不符。因此，采用了通过直接测定传播到空间的干扰波评价噪声大小的 方法，该噪声就叫做辐射噪声。测定辐射噪声的方法有上述按电场强度对传播空间的干扰波进行直接测定的方法和测定泄露到电源线上的功率的方法。

    电磁兼容性试验包括以下试验：

• 磁场敏感度：（抗扰性）设备、分系统或系统暴露在电磁辐射下的不希望有的响应程度。敏感度电平越小，敏感性越高，抗扰性越差。固定频率、峰峰值的磁场。
• 静电放电敏感度：具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移。300PF 电容充电到-15000V，通过 500 欧电阻放电。可超差，但放完后要正常。数据传递、储存，不能丢。
• 电源瞬态敏感度：包括尖峰信号敏感度（0.5us 10us 2 倍）、电压瞬态敏感度（10%-30%，30S 恢复）、频率瞬态敏感度（5%-10%，30S 恢复）。
• 辐射敏感度：对造成设备降级的辐射干扰场的度量。（14K-1GHz，电场强度为 1V/M）。
• 传导敏感度：当引起设备不希望有的响应或造成其性能降级时，对在电源、控制或信号线上的干扰信号或电压的度量。（30Hz-50KHZ 3V ，50K-400M 1V）。
• 非工作状态磁场干扰：包装箱 4.6m 磁通密度小于 0.525uT，0.9m 0.525Ut。
• 工作状态磁场干扰：上、下、左、右交流磁通密度小于 0.5mT。
• 传导干扰：沿着导体传播的干扰。10KHz-30MHz 60（48）dBuV。
• 辐射干扰：通过空间以电磁波形式传播的电磁干扰。10KHz-1000MHz 30 屏蔽室60（54）uV/m。

<21>．环境实验

    环境试验是将产品或材料暴露到自然或人工环境中，从而对它们在实际上可能遇到的贮存、运输和使用条件下的性能作出评价。

    包括低温、 高温、恒定湿热、交变湿热、 冲撞（冲击和碰撞）、振动、恒加速、贮存、长霉、腐蚀大气（例如盐雾）、砂尘、空气压力（高压或低压）、温度变化、可燃性、密封、水、辐射（太阳或核）、 锡焊、接端强度、噪声（微打65DB）等。

二、电容在电路中的27种应用场景

1. 滤波电容:它接在直流电压的正负极之间,以滤除直流电源中不需要的交流成分,使直流电平滑,通常采用大容量的电解电容,也可以在电路中同时并接其它类型的小容量电容以滤除高频交流电。

2. 退耦电容:并接于放大电路的电源正负极之间,防止由电源内阻形成的正反馈而引起的寄生振荡。

3. 旁路电容:在交直流信号的电路中,将电容并接在电阻两端或由电路的某点跨接到公共电位上,为交流信号或脉冲信号设置一条通路,避免交流信号成分因通过电阻产生压降衰减。

4. 耦合电容:在交流信号处理电路中,用于连接信号源和信号处理电路或者作为两放大器的级间连接,用于隔断直流,让交流信号或脉冲信号通过,使前后级放大电路的直流工作点互不影响。

5. 调谐电容:连接在谐振电路的振荡线圈两端,起到选择振荡频率的作用。

6. 衬垫电容:与谐振电路主电容串联的辅助性电容,调整它可使振荡信号频率范围变小,并能显著地提高低频端的振荡频率。

7. 补偿电容:与谐振电路主电容并联的辅助性电容,调整该电容能使振荡信号频率范围扩大。

8. 中和电容:并接在三极管放大器的基极与发射极之间,构成负反馈网络,以抑制三极管极间电容造成的自激振荡。

9. 稳频电容:在振荡电路中,起稳定振荡频率的作用。

10. 定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联,共同决定充放电时间长短的电容。

11. 加速电容:接在振荡器反馈电路中,使正反馈过程加速,提高振荡信号的幅度。

12. 缩短电容:在UHF高频头电路中,为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。

13. 克拉波电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈串联的电容,起到消除晶体管结电容对频率稳定性影响的作用。

14. 锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管结电容的影响,使振荡器在高频端容易起振。

15.稳幅电容:在鉴频器中,用于稳定输出信号的幅度。

16. 预加重电容:为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失,而设置的RC高频分量提升网络电容。

17. 去加重电容:为了恢复原伴音信号,要求对音频信号中经预加重所提升的高频分量和噪声一起衰减掉,设置RC在网络中的电容。

18. 移相电容:用于改变交流信号相位的电容。

19. 反馈电容:跨接于放大器的输入与输出端之间,使输出信号回输到输入端的电容。

20. 降压限流电容:串联在交流回路中,利用电容对交流电的容抗特性,对交流电进行限流,从而构成分压电路。

21. 逆程电容:用于行扫描输出电路,并接在行输出管的集电极与发射极之间,以产生高压行扫描锯齿波逆程脉冲,其耐压一般在1500伏以上。

22. S校正电容:串接在偏转线圈回路中,用于校正显象管边缘的延伸线性失真。

23. 自举升压电容:利用电容器的充、放电储能特性提升电路某点的电位,使该点电位达到供电端电压值的2倍。

24. 消亮点电容:设置在视放电路中,用于关机时消除显象管上残余亮点的电容。

25. 软启动电容:一般接在开关电源的开关管基极上,防止在开启电源时,过大的浪涌电流或过高的峰值电压加到开关管基极上,导致开关管损坏。

26. 启动电容:串接在单相电动机的副绕组上,为电动机提供启动移相交流电压,在电动机正常运转后与副绕组断开。洗衣机电机部分电路如下图。

27. 运转电容:与单相电动机的副绕组串联,为电动机副绕组提供移相交流电流。在电动机正常运行时,与副绕组保持串接。单相电机大电容起动、小电容运行，如下图所示。

三、上次电源入口加磁珠出事了！这次换个共模电感看看会发生什么？

1、 摘要

磁珠用于直流输入端口的弊端上一篇文章已经讲述，（还没看过的朋友，可以点击👉​​电源入口加磁珠，出事了~​​），能够替代磁珠再数十M频率下提供良好的阻抗，莫过于共模电感（扼流圈），本文就针对扼流圈用于DC24V做一个探讨。

2、 问题描述

问题来源于错误将磁珠应用于电源端口，磁珠作为串联再电路中应用，流过较大电流的时候，其可靠性太差了，读者可以尝试用下图1的电路，保险F1使用1A 的PTC，磁珠也使用1A额定电流的磁珠，拿导线直接将C3短路，不出意外，电路上最先烧毁的器件将会是磁珠。由于磁珠比较优越的频率特效，以及较简单的等效电路（见图2），在一般信号断上使用还是磁珠为主，但是电源上使用，就要更换可靠性更高的扼流圈。

图1 ：磁珠用于端口输入损坏实物图

3、 适合直流端口的扼流圈

我们先总结一下适合替代磁珠的扼流圈需要具备的几个条件：

1）、必须使用分组绕法的扼流圈；

扼流圈的绕法有双线并绕和分组绕线两种，采用分组绕法的主要原因是扼流圈用于电源端口，必须要通过EMC的浪涌、EFT、ESD等高压测试，双线并绕的模式由于间距小，必然会产生打火甚至短路的情形。

图3 ：扼流圈的两种绕法

2）、额定电流

扼流圈的额定电流主要是考虑电感的发热，一般应用降额60%绰绰有余。并且成本的上升也不会很多。

差模电流流过共模电感是互相抵消的，也就是说磁路里面没有刺痛产生，差模电流流过时候没有阻力，么有损耗，因此扼流圈是很难饱和的。举例子，一个额定电流5A的共模电感流过100A的差模电流也不会饱和，当然前提是这个导线要足够大。

3）、截止频率

截止频率的从定义上描述：截止频率定义在输出信号能量大幅上升（或大幅下降）、失去“阻止”（或失去“通过”）信号效果。在DC输入的共模电感设计中，截止频率表示共模电感无法阻止更高（3dB）的频率通过的频率点。

4）、共模电感的阻抗

电感越大，频率越高，共模电感阻抗就越大，其计算公式如下：

6）、电感降额

电感的降额等级一般有三种，如下图所示，I级为最高等级，II级为中等等级，III级为最低等级。

图6：电感的降额等级

四、 设计举例

根据上述的简单的科普，我们举一个扼流圈的选型例子。

假设有一个产品，输入为24V/2A，在100Mhz的干扰频率时，希望获得1000Ω的等效阻抗，计算的步骤如下：

（1）、选择额定电流，3/60%=3.3A；

（2）、用于电源端口，因此需要分组绕法；

经过简单的计算，我们可以选择TDK的ACM90V-152-2PL-TL00共模电感，该电感在100Mhz大约可以获得1500Ω的阻抗，电感采用分组绕法。

五、 总结

铁氧体磁珠由于良好的密封性，几乎不会有辐射泄漏，其干扰主要通过转化为热能消耗，在应用在信号的端口处有十分明显的效果，但是由于铁氧体占据大部分的体积，其内部线圈的面积被压缩得很小，其电流很难做大，即使做大电流的磁珠，其价格也是非常昂贵，因此，在电源端口处，使用共模电感的扼流圈替代磁珠，是最好的解决措施，读者如果有兴趣，可以尝试拿一个1.5A的自恢复保险和一个2A的磁珠串联，然后短路，结果肯定是磁珠先烧毁，但是保险还没动作。

四、单片机ADC转换精度的误差来源

本篇文章列出了影响模数转换精度的主要误差。这些类型的误差存在于所有模数转换器中，转换质量将取决于它们的消除情况。

STM32微控制器数据手册的ADC特性部分规定了这些误差值。规定了STM32 ADC的不同精度误差类型。为便于参考，将精度误差表达为1 LSB的倍数。就电压而言，分辨率取决于参考电压。通过将LSB数乘以1 LSB对应的电压来计算电压误差。

1 偏移误差

偏移误差是第一次实际转换和第一次理想转换之间的偏离。第一次转换发生在数字ADC输出 从0变为1时。理想情况下，当模拟输入介于0.5 LSB和1.5 LSB之间时，数字输出应为1。仍然是理想情况下，第一次转换发生在0.5 LSB处。用EO表示偏移误差。可通过应用固件轻松校准偏移误差。

示例：

对于STM32 ADC，电压的最小可检测增量变化用LSB表示为：

 1 LSB = VREF+/4096（在某些封装上，VREF+ = VDDA） 

如果 VREF+=3.3 V，则在理想情况下， 402.8 µV（0.5 LSB = 0.5 × 805.6 µV）的输入应导致生成数字输出 1。但实际上，ADC可能仍然提供读数 0。如果从550 µV的模拟输入获得 数字输出 1，则：

 偏移误差 = 实际转换 – 理想转换 

EO = 550 µV – 402.8 µV = 141.2 µV 

EO = 141.2 µV / 805.6 µV = 0.17 LSB

当大于0.5 LSB的模拟输入电压生成第一次转换时，偏移误差为正。如下图：

当小于0.5 LSB的模拟输入电压生成第一次转换时，偏移误差为负。如下图：

2 增益误差

增益误差是最后一次实际转换和最后一次理想转换之间的偏离。增益误差用EG表示。最后一次实际转换是从0xFFE到0xFFF的转换。

理想情况下，当模拟输入等于VREF+ – 0.5  LSB时，应存在从0xFFE到0xFFF的转换。因此对于VREF+= 3.3 V，最后一次理想转换应发生 在3.299597 V处。如果ADC提供VAIN < VREF+ – 0.5 LSB的0xFFF读数，将获得负增益误差。

示例:

按以下公式计算增益误差： 

EG = 最后一次实际转换 – 理想转换 

如果VREF+ = 3.3 V且VAIN = 3.298435 V时生成从0xFFE到0xFFF的转换，则：

 EG = 3.298435 V – 3.299597 V 

EG = –1162 µV 

EG = （–1162 µV / 805.6 V） LSB = –1.44 LSB 

如果VAIN等于VREF+时没有得到满量程读数（0xFFF），则增益误差为正。

正增益误差的表示方法：

负增益误差的表示方法：

3 微分线性误差

微分线性误差（DLE）为实际步进和理想步进之间的最大偏离。这里的“理想情况”不是指理想传输曲线，而是指ADC分辨率。在下图中，用ED表示DLE。 

ED = 实际步宽 – 1 LSB

理想情况下，1 LSB的模拟输入电压变化量应导致数字代码变化。如果需要大于1 LSB的模拟输入电压才能导致数字代码变化，将观察到微分线性误差。因此，DLE对应于从一个数字代 码变为下一个数字代码所需的最大额外电压。DLE也称为微分非线性（DLE）误差。

示例:

给定数字输出应对应于模拟输入范围。理想情况下，步宽应为1 LSB。我们假设1.9998 V至 2.0014 V模拟输入电压范围内的数字输出相同，则步宽为：2.0014 V – 1.9998 V = 1.6 mV。因此，ED等于较高（2.0014 V）和较低（1.9998 V）模拟电压之间的电压差减去1 LSB所对应的电压。

如果VREF+ = 3.3 V，则1.9998 V（0x9B1）的模拟输入可提供介于0x9B0和0x9B2之间的结 果。同样地，2.0014 V（0x9B3）的输入可提供介于0x9B2和0x9B4之间的结果。因此，0x9B2步进所对应的总电压变化量为： 

0x9B3 – 0x9B1

即 2.0014 V – 1.9998 V = 1.6 mV （1660 µV） 

ED = 1660 µV – 805.6 µV 

ED = 854.4 µV 

ED = （854.4 µV/805.6 µV） LSB 

ED = 1.06 LSB 

假设当步宽小于1 LSB时，电压高于2.0014 V不会导致0x9B2数字代码，则ED为负。

4 积分线性误差

积分线性误差为任何实际转换和端点相关线间的最大偏离。在下图中，用EL表示ILE。端点相关线可以定义为A/D传输曲线上连接第一次实际转换与最后一次实际转换的线。EL是指与每一次转换的这条线的偏离。因此，端点相关线对应于实际传输曲线并且与理想传输曲线不相关。ILE也称为积分非线性（INL）误差。ILE是整个范围内DLE的积分。

示例: 

如果从 0 到 1 的第一次转换发生在 550 µV 处并且最后一次转换（0xFFE 到 0xFFF）发生在 3.298435 V（增益误差）处，则传输曲线上连接实际数字代码 0x1 和 0xFFF 的线为端点相关线。

5 总未调整的误差

总未调整误差（TUE）为实际和理想传输曲线间的最大偏离。此参数指定可能发生的会导致理想数字输出与实际数字输出之间最大偏离的总误差。TUE是记录到的任何输入电压的理想预期值与从ADC获得的实际值之间的最大偏离。在下图中，用ET表示TUE。TUE不是EO、EG、EL与ED之和。偏移误差影响较低电压的数字结果，而增益误差影响较高电压的数字输出。 

示例:

如果VREF+ = 3.3 V且VAIN = 2 V，则理想结果为0x9B2。但是，如果得到的转换结果为0x9B4， 由于DLE和ILE同时发生，因此偏离可能源于偏移。 

TUE = 绝对（实际值 – 理想情况值） 

       = 0x9B4 – 0x9B2 = 0x2 = 2 LSB

how-to-get-the-best-adc-accuracy-in-stm32-microcontrollers-stmicroelectronics.pdf

五、搞定这个电路，模电又上升一个台阶

据说下文这个电路刷掉一大部分面试者，一起来分析一下吧。

电路图

    有两个晶体管(transistor)，一个NPN和一个PNP，连接方式下图所示。假设此晶体管是硅(Si)，并显示0.6伏特(V)基极至发射极电压，且两个晶体管的ß值非常高，使得基极电流几乎为零。求电压V？？

分析

第一步

    对于NPN基本上为零的基极电流，R1和R2的电压在NPV的基础上将+12V导通电压分压为+4V。当Vbe为0.6V时，NPN发射极为+3.4V，在R3中流过的电流为3.4mA。

第二步

    接下来的问题是，NPN发射器和R5如何共享3.4mA电流？

    PNP的Vbe为0.6V，如此使得R4中的电流为0.06mA或60μA。在PNP基极电流几乎为零的情况下，由于NPN的ß值非常高，60μA成为NPN的集电极(collector)电流，也变成NPN的发射极电流。　　

    流过R5的电流必须是R3的3.4mA电流和NPN发射极的0.06 mA电流之间的差值。该值为3.4-0.06=3.34mA。

第三步

    R5上的电压降为3.34V，当加到R3顶端的3.4V时，将R5和PNP集电极的顶端放在+ 6.74V。

六、常见滤波电路分析技巧

   在整流电路输出的电压是单向脉动性电压，不能直接给电子电路使用。所以要对输出的电压进行滤波， 消除电压中的交流成分，成为直流电后给电子电路使用。在滤波电路中，主要使用对交流电有特殊阻抗特性的器件，如：电容器、电感器。本文对其各种形式的滤波电路进行分析。

滤波电路种类

    滤波电路主要有下列几种：

• 电容滤波电路，这是最基本的滤波电路；
• π 型 RC 滤波电路；
• π 型 LC 滤波电路；
• 电子滤波器电路。

滤波原理

单向脉动性直流电压的特点

    如下图所示。是单向脉动性直流电压波形，从图中可以看出，电压的方向性无论在何时都是一致的， 但在电压幅度上是波动的，就是在时间轴上，电压呈现出周期性的变化，所以是脉动性的。

    但根据波形分解原理可知，这一电压可以分解一个直流电压和一组频率不同的交流电压，如下图所示。在图中，虚线部分是单向脉动性直流电压 U。中的直流成分，实线部分是 UO 中的交流成分。

电容滤波原理

    根据以上的分析，由于单向脉动性直流电压可分解成交流和直流两部分。在电源电路的滤波电路中，利用电容器的“隔直通交”的特性和储能特性，或者利用电感“隔交通直”的特性可以滤除电压中的交流成分。讲解电容的视频：​​看老外怎么讲解电容工作原理​​。下图所示是电容滤波原理图。相关推荐：看老外怎么讲解电容工作原理。

    下图 (a)为整流电路的输出电路。交流电压经整流电路之后输出的是单向脉动性直流电，即电路中的 UO。

    下图 (b)为电容滤波电路。由于电容 C1 对直流电相当于开路，这样整流电路输出的直流电压不能通过C1 到地，只有加到负载 RL 图为 RL 上。对于整流电路输出的交流成分， 因 C1 容量较大， 容抗较小，交流成分通过 C1 流到地端，而不能加到负载 RL。这样，通过电容 C1 的滤波， 从单向脉动性直流电中取出了所需要的直流电压 +U。

    滤波电容 C1 的容量越大，对交流成分的容抗越小，使残留在负载 RL 上的交流成分越小，滤波效果就越好。

电感滤波原理

    下图所示是电感滤波原理图。由于电感 L1 对直流电相当于通路，这样整流电路输出的直流电压直接加到负载 RL 上。

    对于整流电路输出的交流成分，因 L1 电感量较大，感抗较大，对交流成分产生很大的阻碍作用，阻止了交流电通过 C1 流到加到负载 RL。这样，通过电感 L1 的滤波，从单向脉动性直流电中取出了所需要的直流电压 +U。

    滤波电感 L1 的电感量越大，对交流成分的感抗越大，使残留在负载 RL 上的交流成分越小，滤波效果就越好，但直流电阻也会增大。

π 型 RC滤波电路识图方法

    下图所示是 π 型 RC 滤波电路。电路中的 C1、C2 和 C3 是 3 只滤波电容，R1 和 R2 是滤波电阻，C1、R1 和C2 构成第一节 π 型的 RC 滤波电路， C2、R2 和 C3 构成 第二节 π 型 RC 滤波电路。由于这种滤波电路的形式如同希腊字母 π 和采用了电阻器、电容器，所以称为 π 型 RC 滤波电路。

    π 型 RC 滤波电路原理如下：

    （1）这一电路的滤波原理是：从整流电路输出的电压首先经过 C1 的滤波，将大部分的交流成分滤除，然后再加到由 R1 和 C2 构成的滤波电路中。C2 的容抗与 R1 构成一个分压电路，因 C2 的容抗很小，所以对交流成分的分压衰减量很大，达到滤波目的。对于直流电而言，由于 C2 具有隔直作用，所以 R1 和 C2 分压电路对直流不存在分压衰减的作用，这样直流电压通过 R1 输出。

    （2）在 R1 大小不变时，加大 C2 的容量可以提高滤波效果，在 C2 容量大小不变时，加大 R1 的阻值可以提高滤波效果。但是，滤波电阻 R1 的阻值不能太大，因为流过负载的直流电流要流过 R1，在 R1 上会产生直流压降，使直流输出电压 Uo2 减小。R1 的阻值越大，或流过负载的电流越大时，在 R1 上的压降越大，使直流输出电压越低。

    （3）C1 是第一节滤波电容，加大容量可以提高滤波效果。但是 C1 太大后，在开机时对 C1 的充电时间很长，这一充电电流是流过整流二极管的，当充电电流太大、时间太长时，会损坏整流二极管。所以采用这种 π 型 RC 滤波电路可以使 C1 容量较小，通过合理设计 R1 和 C2 的值来进一步提高滤波效果。

    （4）这一滤波电路中共有 3 个直流电压输出端，分别输出 Uo1、 Uo2 和 Uo3 三组直流电压。其中， Uo1 只经过电容 C1 滤波；Uo2 则经过了 C1、 R1 和 C2 电路的滤波，所以滤波效果更好， Uo2 中的交流成分更小；Uo3 则经过了 2 节滤波电路的滤波，滤波效果最好，所以 Uo3 中的交流成分最少。

     （5）3 个直流输出电压的大小是不同的。Uo1 电压最高，一般这一电压直接加到功率放大器电路，或加到需要直流工作电压最高、工作电流最大的电路中；Uo2 电压稍低，这是因为电阻 R1 对直流电压存在电压降；Uo3 电压最低，这一电压一般供给前级电路作为直流工作电压，因为前级电路的直流工作电压比较低，且要求直流工作电压中的交流成分少。

π型 LC滤波电路识图方法

    下图所示是 π 型 LC 滤波电路。π 型 LC 滤波电路与 π 型 RC 滤波电路基本相同。这一电路只是将滤波电阻换成滤波电感，因为滤波电阻对直流电和交流电存在相同的电阻，而滤波电感对交流电感抗大，对直流电的电阻小，这样既能提高滤波效果，又不会降低直流输出电压。

    在下图的电路中，整流电路输出的单向脉动性直流电压先经电容 C1 滤波，去掉大部分交流成分，然后再加到 L1 和 C2 滤波电路中。 

    对于交流成分而言， L1 对它的感抗很大，这样在 L1 上的交流电压降大，加到负载上的交流成分小。

    对直流电而言， 由于 L1 不呈现感抗， 相当于通路，同时滤波电感采用的线径较粗，直流电阻很小，这样对直流电压基本上没有电压降，所以直流输出电压比较高，这是采用电感滤波器的主要优点。

电子滤波器识图方法

电子滤波器

    下图所示是电子滤波器。电路中的 VT1 是三极管，起到滤波管作用， C1 是 VT1 的基极滤波电容，R1 是 VT1 的基极偏置电阻，RL 是这一滤波电路的负载，C2 是输出电压的滤波电容。

    电子滤波电路工作原理如下：

    ① 电路中的 VT1、 R1、 C1 组成电子滤波器电路，这一电路相当于一 只容量为 C1×β1 大小电容器，β1 为 VT1 的电流放大倍数，而晶体管的电流放大倍数比较大，所以等效电容量很大，可见电子滤波器的滤波性能是很好的。等效电路如上图（b）所示。图中 C 为等效电容。

     ② 电路中的 R1 和 C1 构成一节 RC 滤波电路， R1 一方面为 VT1 提供基极偏置电流，同时也是滤波电阻。由于流过 R1 的电流是 VT1 的基极偏置电流，这一电流很小， R1 的阻值可以取得比较大，这样 R1 和 C1 的滤 波效果就很好，使 VT1 基极上直流电压中的交流成分很少。由于发射极电压具有跟随基极电压的特性，这样 VT1 发射极输出电压中交流成分也很少，达到滤波的目的。

    ③ 在电子滤波器中，滤波主要是靠 R1 和 C1 实现的，这也是 RC 滤波电路，但与前面介绍的 RC 滤波电路是不同的。在这一电路中流过负载的直流电流是 VT1 的发射极电流，流过滤波电阻 R1 的电流是 VT1 基极电流，基极电流很小，所以可以使滤波电阻 R1 的阻值设得很大（滤波效果好），但不会使直流输出电压下降很多。

    ④ 电路中的 R1 的阻值大小决定了 VT1 的基极电流大小，从而决定了 VT1 集电极与发射极之间的管压降，也就决定了 VT1 发射极输出直流电压大小，所以改变 R1 的大小，可以调整直流输出电压 +V 的大小。

电子稳压滤波器

    上图所示是另一种电子稳压滤波器，与前一种电路相比，在 VT1 基极与地端之间接入了稳压二极管 VD1。电子稳压原理如下：

    在 VT1 基极与地端之间接入了稳压二极管 VD1 后，输入电压经 R1 使稳压二极管 VD1 处于反向偏置状态，此时 VD1 的稳压特性使 VT1 管的基极电压稳定，这样 VT1 发射极输出的直流电压也比较稳定。注意：这一电压的稳定特性是由于 VD1 的稳压特性决定的，与电子滤波器电路本身没有关系。

    R1 同时还是 VD1 的限流保护电阻。在加入稳压二极管 VD1 后，改变 R1 的大小不能改变 VT1 发射极输出电压大小，由于 VT1 的发射结存在 PN 结电压降，所以发射极输出电压比 VD1 的稳压值略小。

    C1、 R1 与 VT1 同样组成电子滤波器电路，起到滤波作用。

    在有些场合下，为了进一步提高滤波效果，可采用双管电子滤波器电路，2 只电子滤波管构成了复合管电路。这样总的电流放大倍数为各管电流放大倍数之积，显然可以提高滤波效果。

电源滤波电路识图小结

    关于电源滤波电路分析主要注意以下几点：

    （1）分析滤波电容工作原理时，主要利用电容器的“隔直通交”特性，或是充电与放电特性，即整流电路输出单向脉动性直流电压时对滤波电容充电，当没有单向脉动性直流电压输出时，滤波电容对负载放电。

    （2）分析滤波电感工作原理时，主要是认识电感器对直流电的电阻很小、无感抗作用，而对交流电存在感抗。

    （3）进行电子滤波器电路分析时，要知道电子滤波管基极上的电容是滤波的关键元件。另外，要进行直流电路的分析，电子滤波管有基极电流和集电极、发射极电流，流过负载的电流是电子滤波管的发射极电流，改变基极电流大小可以调节电子滤波管集电极与发射极之间的管压降，从而改变电子滤波器输出的直流电压大小。

    （4）电子滤波器本身没有稳压功能，但加入稳压二极管之后可以使输出的直流电压比较稳定。

七、PCB上常出故障的元器件

电容故障

    电容损坏引发的故障在电子设备中是最高的，其中尤其以电解电容的损坏最为常见。电容损坏表现为：容量变小、完全失去容量、漏电、短路。

    电容在电路中所起的作用不同，引起的故障也各有特点：在工控电路板中，数字电路占绝大多数，电容多用做电源滤波，用做信号耦合和振荡电路的电容较少。用在开关电源中的电解电容如果损坏，则开关电源可能不起振，没有电压输出；

    或者输出电压滤波不好，电路因电压不稳而发生逻辑混乱，表现为机器工作时好时坏或开不了机，如果电容并在数字电路的电源正负极之间，故障表现同上。

    这在电脑主板上表现尤其明显，很多电脑用了几年就出现有时开不了机，有时又可以开机的现象，打开机箱，往往可以看见有电解电容鼓包的现象，如果将电容拆下来量一下容量，发现比实际值要低很多。

    电容的寿命与环境温度直接有关，环境温度越高，电容寿命越短。这个规律不但适用电解电容，也适用其它电容。所以在寻找故障电容时应重点检查和热源靠得比较近的电容，如散热片旁及大功率元器件旁的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。所以在检修查找时应有所侧重。

    有些电容漏电比较严重，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换。在检修时好时坏的故障时，排除了接触不良的可能性以外，一般大部分就是电容损坏引起的故障了。所以在碰到此类故障时，可以将电容重点检查一下，换掉电容后往往令人惊喜。 

电阻故障

    常看见许多初学者在检修电路时在电阻上折腾，又是拆又是焊的，其实修得多了，你只要了解了电阻的损坏特点，就不必大费周章。

    电阻是电器设备中数量最多的元件，但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。

    前两种电阻应用最广，其损坏的特点一是低阻值 (100Ω以下) 和高阻值 (100kΩ以上) 的损坏率较高，中间阻值 (如几百欧到几十千欧) 的极少损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。

    线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大；圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹；水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂，否则也没有可见痕迹；保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所侧重，快速找出损坏的电阻。

    根据以上列出的特点，我们先可以观察一下电路板上低阻值电阻有没有烧黑的痕迹，再根据电阻损坏时绝大多数开路或阻值变大以及高阻值电阻容易损坏的特点，我们就可以用万用表在电路板上先直接量高阻值的电阻两端的阻值。

    如果量得阻值比标称阻值大，则这个电阻肯定损坏 (要注意等阻值显示稳定后才下结论，因为电路中有可能并联电容元件，有一个充放电过程) ，如果量得阻值比标称阻值小，则一般不用理会它。这样在电路板上每一个电阻都量一遍，即使“错杀”一千，也不会放过一个了。

运算放大器故障

    运算放大器好坏的判别对相当多的电子维修者有一定的难度，不只文化程度的关系，在此与大家共同探讨一下，希望对大家有所帮助。

    理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈)下工作。如果没有负反馈，开环放大下的运放成为一个比较器。如果要判断器件的好坏，先应分清楚器件在电路中是做放大器用还是做比较器用。

    根据放大器虚短的原理，就是说如果这个运算放大器工作正常的话，其同向输入端和反向输入端电压必然相等，即使有差别也是mv级的，当然在某些高输入阻抗电路中，万用表的内阻会对电压测试有点影响，但一般也不会超过0.2V，如果有0.5V以上的差别，则放大器必坏无疑。

    如果器件是做比较器用，则允许同向输入端和反向输入端不等。同向电压>反向电压，则输出电压接近正的最大值；同向电压<反向电压，则输出电压接近0V或负的最大值(视乎双电源或单电源)。如果检测到电压不符合这个规则，则器件必坏无疑！这样你不必使用代换法，不必拆下电路板上的芯片就可以判断运算放大器的好坏了。

SMT元件故障

    有些贴片元件非常细小，用普通万用表表笔测试检修时很不方便，一是容易造成短路，二是对涂有绝缘涂层的电路板不便接触到元件管脚的金属部分。这里告诉大家一个简便方法，会给检测带来不少方便。

    取两枚最小号的缝衣针，将之与万用表笔靠紧，然后取一根多股电缆里的细铜线，用细铜线将表笔和缝衣针绑在一起，再用焊锡焊牢。这样用带有细小针尖的表笔去测那些SMT元件的时候就再无短路之虞，而且针尖可以刺破绝缘涂层，直捣关键部位，再也不必费神去刮那些膜膜了。

公共电源短路故障

    电路板维修中，如果碰到公共电源短路的故障往往头大，因为很多器件都共用同一电源，每一个用此电源的器件都有短路的嫌疑。

    如果板上元件不多，采用“锄大地”的方式终归可以找到短路点；如果元件太多，“锄大地”能不能锄到状况就要靠运气了。在此推荐一比较管用的方法，采用此法，事半功倍，往往能很快找到故障点。

    要有一个电压电流皆可调的电源，电压0-30V，电流0-3A，这种电源不贵，大概300元左右。将开路电压调到器件电源电压水平，先将电流调至最小，将此电压加在电路的电源电压点如74系列芯片的5V和0V端，视乎短路程度，慢慢将电流增大。

    用手摸器件，当摸到某个器件发热明显，这个往往就是损坏的元件，可将之取下进一步测量确认。当然操作时电压一定不能超过器件的工作电压，并且不能接反，否则会烧坏其它好的器件。

板卡故障

    工业控制用到的板卡越来越多，很多板卡采用金手指插入插槽的方式。由于工业现场环境恶劣，多尘、潮湿、多腐蚀气体的环境易使板卡产生接触不良故障，很多朋友可能通过更换板卡的方式解决了问题，但购买板卡的费用非常可观，尤其某些进口设备的板卡。

    其实大家不妨使用橡皮擦在金手指上反复擦几下，将金手指上的污物清理干净后，再试机，没准就解决了问题，方法简单又实用。

电气故障

    各种时好时坏电气故障从概率大小来讲大概包括以下几种情况：

• 接触不良：板卡与插槽接触不良、缆线内部折断时通时不通、线插头及接线端子接触不好、元器件虚焊等皆属此类；
• 信号受干扰：对数字电路而言，在特定的情况条件下故障才会呈现，有可能确实是干扰太大影响了控制系统使其出错，也有电路板个别元件参数或整体表现参数出现了变化，使抗干扰能力趋向临界点从而出现故障；
• 元器件热稳定性不好：从大量的维修实践来看，其中首推电解电容的热稳定性不好，其次是其它电容、三极管、二极管、IC、电阻等；
• 电路板上有湿气、尘土等：湿气和积尘会导电具有电阻效应，而且在热胀冷缩的过程中阻值还会变化，这个电阻值会同其它元件有并联效果，这个效果比较强时就会改变电路参数使故障发生；
• 软件也是考虑因素之一：电路中许多参数使用软件来调整，某些参数的裕量调得太低处于临界范围，当机器运行工况符合软件判定故障的理由时，那么报警就会出现。

八、自举电路的电容大小该怎么选？

硬件工程师应该都用过buck，一些buck芯片会有类似下面的自举电容，有时还会串联一个电阻。

那么你是否对这个自举电路有深入的了解呢？比如，这个电容的容值大小该怎么选？大了或者小了会影响什么？耐压要求是怎么样的？

在ON Semiconductor的一个文档里，对于自举电路进行了详细讲解，下面就让我们一起跟着学习下吧。

1. 介绍

本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中，开关功耗主要取决于开关速度。因此，对于绝大部分本文阐述的大功率开关应用，开关特性是非常重要的。自举式电源是一种使用最为广泛的，给高压栅极驱动集成电路 (IC) 的高端栅极驱动电路供电的方法。这种自举式电源技术具有简单，且低成本的优点。

但是，它也有缺点，一是占空比受到自举电容刷新电荷所需时间的限制，二是当开关器件的源极接负电压时，会发生严重的问题。本文分析了最流行的自举电路解决方案；包括寄生参数，自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。

2. 高速栅极驱动电路

2.1 自举栅极驱动技术

本节重点讲在不同开关模式的功率转换应用中，功率型MOSFET 和 IGBT 对自举式栅极驱动电路的要求。当输入电平不允许高端 N 沟道功率型 MOSFET 或 IGBT 使用直接式栅极驱动电路时，我们就可以考虑自举式栅极驱动技术。这种方法被用作栅极驱动和伴发偏置电路，两者都以主开关器件的源极作为基准。驱动电路和以两个输入电压作为摆幅的偏置电路，都与器件的源极轨连。但是，驱动电路和它的浮动偏置可以通过低压电路实现，因为输入电压不会作用到这些电路上。驱动电路和接地控制信号通过一个电平转换电路相连。该电平转换电路必须允许浮动高端和接地低端电路之间存在高电压差和一定的电容性开关电流。高电压栅极驱动 IC 通过独特的电平转换设计差分开。为了保持高效率和可管理的功耗，电平转换电路在主开关导通期间，不能吸收任何电流。对于这种情况，我们经常使用脉冲式锁存电平转换器，如图 1所示。

2.2 自举式驱动电路工作原理

自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的，其工作原理如下。

当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地时 （低端开关导通，高端开关关断），电源 VDD 通过自举电阻， RBOOT，和自举二极管， DBOOT，对自举电容CBOOT，进行充电，如图 2 所示。

当 VS 被高端开关上拉到一个较高电压时，由 VBS 对该自举电容放电，此时，VBS 电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压 （低端开关关断，高端开关导通）和 IC 电源电压 VDD，被隔离开。

2.3 自举式电路的缺点

自举式电路具有简单和低成本的优点，但是，它也有一些局限。

占空比和导通时间受限于自举电容 CBOOT，刷新电荷所需时间的限制。

这个电路最大的难点在于：当开关器件关断时，其源极的负电压会使负载电流突然流过续流二极管，如图 3 所示。

该负电压会给栅极驱动电路的输出端造成麻烦，因为它直接影响驱动电路或 PWM 控制集成电路的源极 VS 引脚，可能会明显地将某些内部电路下拉到地以下，如图4 所示。另外一个问题是，该负电压的转换可能会使自举电容处于过压状态。

自举电容 CBOOT，通过自举二极管 DBOOT，被电源 VDD瞬间充电。

由于 VDD 电源以地作为基准，自举电容产生的最大电压等于 VDD 加上源极上的负电压振幅。

2.4 VS 引脚产生负电压的原因

如图 5 所示，低端续流二极管的前向偏置是已知的将 VS下低到 COM( 地 ) 以下的原因之一。

主要问题出现在整流器换向期间，仅仅在续流二极管开始箝压之前。

在这种情况下，电感 LS1 和 LS2 会将 VS 压低到 COM 以下，甚至如上所述的位置或正常稳态。

该负电压的放大倍数正比于寄生电感和开关器件的关断速度，di/dt ；它由栅极驱动电阻，RGATE 和开关器件的输入电容， Ciss 决定。

Cgs 与 Cgd 的和，称为密勒电容。

2.5 VS 引脚电压下冲的影响

如果欠冲超过数据手册中规定的绝对最大额定值，则栅极驱动 IC 将损坏，或者高端输出暂时无法对输入转换做出响应，如图7和图8所示。

图7显示闭锁情况，即高端输出无法通过输入信号改变。这种情况下，半桥拓扑的外部、主电源、高端和低端开关中发生短路。

图 8 显示遗漏情况，即高端输出无法对输入转换做出响应。这种情况下，高端栅极驱动器的电平转换器将缺少工作电压余量。需要注意的是，大多数事实证明高端通常不需要在一个开关动作之后立即改变状态。

2.6 考虑闭锁效应

最完整的高电压栅极驱动集成电路都含有寄生二极管，它被前向或反向击穿，就可能导致寄生 SCR 闭锁。闭锁效应的最终结果往往是无法预测的，破坏范围从器件工作时常不稳定到完全失效。栅极驱动集成电路也可能被初次过压之后的一系列动作间接损坏。例如，闭锁导致输出驱动置于高态，造成交叉传导，从而导致开关故障，并最终使栅极驱动器集成电路遭受灾难性破坏。如果功率转换电路和/或栅极驱动集成电路受到破坏，这种失效模式应被考虑成一个可能的根本原因。下面的理论极限可用来帮助解释VS电压严重不足和由此产生闭锁效应之间的关系。

在第一种情况中，使用了一个理想自举电路，该电路的 VDD 由一个零欧姆电源驱动，通过一个理想二极管连接到 VB，如图 9 所示。当大电流流过续流二极管时，由于 di/dt 很大，VS 电压将低于地电压。这时，闭锁危险发生了，因为栅极驱动器内部的寄生二极管 DBS，最终沿VS 到 VB 方向导通，造成下冲电压与 VDD 叠加，使得自举电容被过度充电，如图 10 所示。

例如：如果 VDD=15 V， VS 下冲超过 10 V，迫使浮动电源电压在 25 V 以上，二极管 DBS 有被击穿的危险，进而产生闭锁。

假想自举电源被理想浮动电源替代，如图 11 所示，这时， VBS 在任何情况下都是恒定的。注意利用一个低电阻辅助电源替代自举电路，就能实现这种情况。这时，如果 VS 过冲超过数据表 (datasheet) 规定的最大 VBS 电压，闭锁危险就会发生，因为寄生二极管 DBCOM 最终沿COM 端到 VB 方向导通，如图 12 所示。

一种实用的电路可能处在以上两种极限之间，结果是VBS 电压稍微增大，和 VB 稍低于 VDD，如图 13 所示。

准确地说，任何一种极限情况都是流行的，检验如下。如果 VS 过冲持续时间超过 10 个纳秒，自举电容 CBOOT被过充电，那么高端栅极驱动器电路被过电压应力破坏，因为 VBS 电压超过了数据表指定的绝对最大电压(VBSMAX) 。设计一个自举电路时，其输出电压不能超过高端栅极驱动器的绝对最大额定电压。

2.7 寄生电感效应

负电压的振幅是：

为了减小流过寄生电感的电流随时间变化曲线的斜度，要使等式 1 中的导数项最小。

例如，如果带 100 nH 寄生电感的 10 A、25 V 栅极驱动器在 50 ns 内开关，则 VS 与接地之间的负电压尖峰是 20 V。

3. 自举部件的设计流程

3.1 选择自举电容

自举电容 (CBOOT) 每次都被充电，此时，低端驱动器导通，输出电压低于栅极驱动器的电源电压 (VDD)。自举电容仅当高端开关导通的时候放电。自举电容给高端电路提供电源 (VBS)。首先要考虑的参数是高端开关处于导通时，自举电容的最大电压降。允许的最大电压降 (VBOOT)取决于要保持的最小栅极驱动电压 ( 对于高端开关 )。如果VGSMIN是最小的栅-源极电压，电容的电压降必须是：

其中：

VDD= 栅极驱动器的电源电压；

VF= 自举二极管正向电压降 [V]

计算自举电容为：

其中 QTOTAL 是电容器的电荷总量。

自举电容的电荷总量通过等式 4 计算：

其中：

QGATE = 栅极电荷的总量

ILKGS = 开关栅 - 源级漏电流；

ILKCAP = 自举电容的漏电流；

IQBS = 自举电路的静态电流；

ILK = 自举电路的漏电流；

QLS= 内部电平转换器所需要的电荷，对于所有的高压栅极驱动电路，该值为 3 nC ；

tON = 高端导通时间；和

ILKDIODED = 自举二极管的漏电流；

电容器的漏电流，只有在使用电解电容器时，才需要考虑，否则，可以忽略不计。

例如：当使用外部自举二极管时，估算自举电容的大小。

栅极驱动 IC=FAN7382 （飞兆）

开关器件 =FCP20N60 （飞兆）

自举二极管 =UF4007

VDD = 15 V

QGATE = 98 nC （最大值）

ILKGS = 100 nA （最大值）

ILKCAP = 0 ( 陶瓷电容 )

IQBS = 120 µA （最大值）

ILK = 50 µA （最大值）

QLS = 3 nC

TON = 25 µs （在 fs=20 KHz 时占空比 =50%）

ILKDIODE = 10 nA

如果自举电容器在高端开关处于开启状态时，最大允许的电压降是 1.0 V，最小电容值通过等式 3 计算。

自举电容计算如下：

外部二极管导致的电压降大约为 0.7 V。假设电容充电时间等于高端导通时间 （占空比 50%）。根据不同的自举电容值，使用以下的等式：

推荐的电容值是 100 nF ~ 570 nF，但是实际的电容值必须根据使用的器件来选择。如果电容值过大，自举电容的充电时间减少，低端导通时间可能不足以使电容达到自举电压。

3.2 选择自举电阻

当使用外部自举电阻时，电阻 RBOOT 带来一个额外的电压降：

其中：

ICHARGE = 自举电容的充电电流；

RBOOT = 自举电阻；

tCHARGE = 自举电容的充电时间 ( 低端导通时间 )

不要超过欧姆值（典型值 5~10 Ω），将会增加 VBS 时间常数。当计算最大允许的电压降 (VBOOT) 时，必须考虑自举二极管的电压降。如果该电压降太大或电路不能提供足够的充电时间，我们可以使用一个快速恢复或超快恢复二极管。

4. 考虑自举应用电路

4.1 自举启动电路

如图 1 所示，自举电路对于高电压栅极驱动器是很有用的。但是，当主要 MOSFET(Q1) 的源极和自举电容(CBOOT) 的负偏置节点位于输出电压时，它有对自举电容进行初始化启动和充电受限的问题。启动时，自举二极管 (DBOOT) 可能处于反偏，主要 MOSFET(Q1) 的导通时间不足，自举电容不能保持所需要的电荷，如图 1 所示。

在某些应用中，如电池充电器，输出电压在输入电源加载到转换器之前可能已经存在了。给自举电容 (CBOOT)提供初始电荷也许是不可能的，这取决于电源电压(VDD) 和输出电压 (VOUT) 之间的电压差。假设输入电压（VDC）和输出电压 (VOUT) 之间有足够的电压差，由启动电阻 (RSTART)，启动二极管 (DSTART) 和齐纳二极管(DSTART) 组成的电路，可以解决这个问题，如图 14 所示。在此启动电路中，启动二极管 DSTART 充当次自举二极管，在上电时对自举电容 (CBOOT) 充电。自举电容(CBOOT) 充电后，连接到齐纳二极管DZ，在正常工作时，这个电压应该大于驱动器的电源电压 (VDD) 。启动电阻限制了自举电容的充电电流和齐纳电流。为了获得最大的效率，应该选择合适的启动电阻值使电流极低，因为电路中通过启动二极管的自举路径是不变的。

4.2 自举二极管串联电阻

在第一个选项中，自举电路包括一个小电阻，RBOOT，它串联了一个自举二极管，如图15所示。自举电阻RBOOT，仅在自举充电周期用来限流。自举充电周期表示 VS 降到集成电路电源电压 VDD 以下，或者 VS 被拉低到地 （低端开关导通，高端开关关闭）。电源 VCC，通过自举电阻RBOOT 和二极管 DBOOT，对自举电容 CBOOT 充电。自举二极管的击穿电压 (BV) 必须大于 VDC，且具有快速恢复时间，以便最小化从自举电容到VCC电源的电荷反馈量。

这是一种简单的，限制自举电容初次充电电流的方法，但是它也有一些缺点。占空比受限于自举电容 CBOOT 刷新电荷所需要的时间，还有启动问题。不要超过欧姆值（典型值 5~10 Ω），将会增加 VBS 时间常数。最低导通时间，即给自举电容充电或刷新电荷的时间，必须匹配这个时间常数。该时间常数取决于自举电阻，自举电容和开关器件的占空比，用下面的等式计算：

其中 RBOOT 是自举电阻；CBOOT 是自举电容；D 是占空比。

例如，如果 RBOOT=10， CBOOT=1 µF， D=10 % ；时间常数通过下式计算：

即使连接一个合理的大自举电容和电阻，该时间常数可能增大。这种方法能够缓解这个问题。不幸的是，该串联电阻不能解决过电压的问题，并且减缓了自举电容的重新充电过程。

4.3 VS 与 VOUT 之间的电阻

在第二个选项中，自举电路的 VS 和 VOUT 之间，添加上一个小电阻 RVS，如图 16 所示。RVS 的建议值在几个欧姆左右。

RVS 不仅用作自举电阻，还用作导通电阻和关断电阻，如图 17。自举电阻，导通电阻和关断电阻通过下面的等式计算：

4.4 VS 箝压二极管和重布置栅极电阻

在第三个选项中，自举电路把栅极电阻重新布置到 VS 和VOUT 之间，并且在 VS 和地之间增加一个低正向压降的肖特基二极管，如图 18 所示。VB 和 VS 之间的电压差，应保持在数据表规定的绝对最大额定值范围内，并且必须符合下列等式：

4.5 重布置栅极电阻；双重目的

栅极电阻设置了 MOSFET 的导通速度和关断速度，限制了在主开关源极的电压负向瞬态时，肖特基二极管的电流。另外，连接到 CBOOT 两端的双二极管，确保自举电容不会出现过电压。该电路唯一的潜在危险是，自举电容的充电电流必须流过栅极电阻。CBOOT 和 RGATE 的时间常数减缓再充电过程，可能成为 PWM 占空比的限制因数。

第四个选择，包括在 VS 和 VOUT 之间，重新布置一个栅极电阻，以及在 VS 和地之间放置一个箝压器件，如图 19所示，布置了一个齐纳二极管和 600V 二极管。根据下列规则，量化齐纳电压：

5. 选择 HVIC 电流能力

对于每一种额定驱动电流，计算指定时间内所能切换的最大栅极电荷 QG，如表 1 所示。

注：

1.对于单 4 A，并联双 2 A 的两个通道！

例如， 100 ns 的开关时间是：

100 KHz 时转换器开关周期的 1 % ；

300 KHz 时转换器开关周期的 3 % ；以此类推。

1. 所需的额定栅极驱动电流取决于在开关时间 tSW-ON/OFF 内，必须移动的栅极电荷数 QG （因为开关期间的平均栅极电流是 IG） :

2. 最大栅极电荷 QG，从 MOSFET 数据表得到。

如果实际栅极驱动电压 VGS 与规格表上的测试条件不同，使用 VGS 与 QG 曲线。数据表中的值乘上并联的MOSFET 数量就是所需的值。

3. tSW_ON/OFF 表示所需的 MOSFET 开关速度。如果该值未知，取开关周期 tSW 的 2%：

如果通道 (V-I) 开关损耗主要受开关转换（导通或关断）支配，需要根据转换调整驱动器。对于受箝制的电感性开关（通常情况），每次转换的通道开关损耗估算如下：

其中 VDS 和 ID 是每个开关间期的最大值。

4. 栅极驱动器的近似电流驱动能力计算如下

(1) 拉电流能力 （导通）

(2) 灌电流能力 （关断）

其中：

QG = VGS = VDD 时， MOSFET 的栅极电荷；

tSW_ON/OFF = MOSFET 开关导通 / 关断时间；和1.5 = 经验因子 （受通过驱动器输入级的延迟和寄生效应的影响）

6. 栅极电阻设计流程

输出晶体管的开关速度受导通和关断栅极电阻的控制，这些电阻控制了栅极驱动器的导通和关断电流。本节描述了有关栅极电阻的基本规则，通过引入栅极驱动器的等效输出电阻来获取所需的开关时间和速度。图 20 描述了栅极驱动器的等效电路和在导通和关断期间的电流流动路径，其中包括栅极驱动器和开关器件。

图 21 显示了开关器件在导通和关断期间的栅极 - 电荷传输特性。

6.1 量化导通栅极电阻

根据开关时间 tsw，选择导通闸极电阻 Rg(ON)，以获得所需的开关时间。根据开关时间确定电阻值时，我们需要知道电源电压 VDD ( 或 VBS)，栅极驱动器的等效导通电阻 (RDRV(ON))，和开关器件的参数 (Qgs, Qgd, 和 Vgs(th))。

开关时间定义为到达坪电压 （给 MOSFET 提供了总共Qgd + Qgd 的电荷）末端所花费的时间，如图 21 所示。导通栅极电阻计算如下：

其中 Rg(ON) 是栅极导通电阻， RDRV(ON) 是驱动器的等效导通电阻。

6.2 输出电压斜率

导通栅极电阻 Rg(ON) 通过控制输出电压斜率 （dVOUT/dt）来决定。当输出电压是非线性时，最大输出电压斜率

可以近似为：

插入变形表达式 Ig(avr)，并整理得到：

其中 Cgd(off) 是密勒效应电容，在数据表中定义为 Crss。

6.3 量化关断栅极电阻

在量化关断电阻时，最坏的情况是当 MOSFET 漏极处于关断时，外部动作迫使电阻整流器。

在这种情况下，输出节点的 dV/dt，诱导一股寄生电流穿过 Cgd，流向 RG(OFF) 和 RDRV(OFF)，如图 22 所示。

下面阐述了，当输出 dv/dt 是由伴随 MSOFET 的导通造成时，如何量化关断电阻，如图 22 示。

因为这个原因，关断阻抗必须根据最坏的应用情况来量化。下面的等式将 MOSFET 栅极阈值电压和漏极 dv/dt

关联起来：

重新整理表达式得到：

6.4 设计实例

使用飞兆 MOSFET FCP20N60 和栅极驱动器 FAN7382，确定导通和关断栅极电阻。FCP20N60 功率 MOSFET 的

参数如下：

Qgs=13.5 nC， Qgd=36 nC， Cgd=95 pF， VGS(th) =5 V，VGS(th)MIN =3 V

6.4.1 导通栅极电阻

1)如果 VDD=15 V 时，所需的开关时间是 500 ns，计算平均栅极充电电流：

导通电阻值约为 58 Ω。

2)如果 dVout/dt=1 V/ns （VDD=15 V 时），总栅极电阻如下计算：

导通电阻值约为 62 W。

6.4.2 关断栅极电阻

如果 dVout/dt=1 V/ns，关断栅极电阻可计算为：

7. 考虑功耗

7.1 栅极驱动器的功耗

总的功耗包括栅极驱动器功耗和自举二极管功耗。栅极驱动器功耗由静态功耗和动态功耗两部分组成。它与开关频率，高端和低端驱动器的输出负载电容，以及电源VDD 有关。

静态功耗是因为低端驱动器的电源 VDD 到地的静态电流，以及高端驱动器的电平转换阶段的漏电流造成的。前者取决于 VS 端的电压，后者仅在高端功率器件导通时与占空比成正比。

动态功耗定义如下：对于低端驱动器，动态功耗有两个不同的来源。一是当负载电容通过栅极电阻充电或放电时，进入电容的电能有一半耗散在电阻上。栅极驱动电阻的功耗，栅极驱动器内部的和外部的，以及内部CMOS 电路的开关功耗。同时，高端驱动器的动态功耗也包括两个不同的来源。一个是因为电平转换电路，一个是因为高端电容的充电和放电。这里，可以忽略静态功耗，因为集成电路的总功耗主要是栅极驱动 IC 的动态功耗，可估算为：

图 23 表示计算的栅极驱动器功耗与频率和负载电容的关系 (VDD=15 V)。 此曲线可用于计算栅极驱动器造成的功耗。

自举电路的功耗是自举二极管功耗和自举电阻功耗的总和，如果它们存在的话。自举二极管的功耗是对自举电容充电时产生的正向偏置功耗与二极管反向恢复时产生的反向偏置功耗的总和。因为每个事件每个周期发生一次，所以二极管的功耗与开关频率成正比。大电容负载需要更多的电流，对自举电容器重新充电，从而导致更多的功耗。

半桥输入电压 （VDC）越高，反向恢复功耗越大。集成电路的总功耗可以估算为：栅极驱动器的功耗与自举二极管的功耗的总和，减去自举电阻的功耗。

如果自举二极管在栅极驱动器内部的话，添加一个与内部自举二极管并联的外部二极管，因为二极管功耗很大。外部二极管必须放置在靠近栅极驱动器的地方，以减少串联寄生电感，并显著降低正向电压降。

7.2 封装热阻

电路设计者必须提供：

• 估算栅极驱动器封装后的功耗

• 最大工作结温 TJ, MAX,OPR，例如，如降额至 TJ,MAX=150 °C 的 80 %，对于这些驱动器为 120 °C。

• 最高工作引脚焊锡温度 TL,MAX,OPR ，大约等于驱动器下最大 PCB 温度，比如 100 °C。

• 最大允许结到引脚的热阻计算为：

8. 一般准则

8.1 印刷电路板版图

具有最小寄生电感的版图如下：

• 开关之间的走线没有回路或偏差。

• 避免互连链路。它会显著增加电感。

• 降低封装体距离 PCB 板的高度，以减少引脚电感效应。

• 考虑所有功率开关的配合放置，以减少走线长度。

• 去耦电容和栅极电阻的布局和布线，应尽可能靠近栅极驱动集成电路。

• 自举二极管应尽可能靠近自举电容。

8.2 自举部件

在量化自举阻抗和初次自举充电时的电流时，必须考虑自举电阻 (RBOOT)。如果需要电阻和自举二极管串联时，首先确认 VB 不会低于 COM （地），尤其是在启动期间和极限频率和占空比下。

自举电容(CBOOT)使用一个低ESR电容，比如陶瓷电容。VDD 和 COM 之间的电容，同时支持低端驱动器和自举电容的再充电。建议该电容值至少是自举电容的十倍以上。

自举二极管必须使用较低的正向压降，为了快速恢复，开关时间必须尽可能快，如超高速。

九、如何快速找到PCB中的GND？

在维修电路板时，有时候需要测量板子上某一点的电位，来判断到底是哪里出了问题，而参考点的选取一般都是选择电源的负极，也就是GND地线。相关文章推荐:电路中的GND，它的本质是什么？如下图是几种GND的符号。

    如何快速寻找出板子中的地线，就成了必须要掌握的知识了。下面我总结了几种方法供大家参考一下。

1 通过电解电容来查找GND

    上图中是一个电磁炉主板，我们要找地线，首先要找到板子最大的那个电解电容。

    一般情况下比较大的电解电容都是作为电源滤波的一种元件，它的负极就是GND了。

上图中你看到的最大的电解电容就是一个电源滤波电容，它是从整流桥整流输出约300伏的脉动直流电，再经过此电容滤波才能输出比较平滑的直流电。它的负极就是直流电源的负极，也就是我们要找的GND地线。

2 通过查看大片铜箔来确认GND

    上图中是一个两层板，图中标有红圈的那几个点就是地线，可以看出它和大片的铜箔相连。这是由于地线有屏蔽作用，可以有效减小地线环路带来的干扰，所以线路板中的地线铜箔一般都是成片出现的。

3 通过查看连接插件上的标识来确认GND

    如上图，一般在板子的接插件处都有各种信号的标识，我们可以通过查看这个标识来确认地线，比如上图红线圈内的GND就是地线了。

4 通过集成芯片来查找

    在线路板中通常有着各种各样的集成电路，这些集成电路如果要正常工作都需要有供电电源，可以通过查看芯片的引脚来确认GND。

    如上图，这是一个8脚的LM358比较器，通过查找它的资料可以看出它每个脚的功能 ，只要知道第四脚为GND就可以在板子上找到地线了。

十、电路中的GND，的本质

  问一个简单而又很难回答的电路问题：电路中的地线GND，它的本质是什么？

在PCB Layout布线过程中，工程师都会面临不同的GND处理。

    这是为什么呢？在电路原理设计阶段，为了降低电路之间的互相干扰，工程师一般会引入不同的GND地线，作为不同功能电路的0V参考点，形成不同的电流回路。

GND地线的分类

1 模拟地线AGND

    模拟地线AGND，主要是用在模拟电路部分，如模拟传感器的ADC采集电路，运算放大比例电路等等。

    在这些模拟电路中，由于信号是模拟信号，是微弱信号，很容易受到其他电路的大电流影响。如果不加以区分，大电流会在模拟电路中产生大的压降，会使得模拟信号失真，严重可能会造成模拟电路功能失效。

2 数字地线DGND

    数字地线DGND，显然是相对模拟地线AGND而言，主要是用于数字电路部分，比如按键检测电路，USB通信电路，单片机电路等等。

    之所以设立数字地线DGND，是因为数字电路具有一个共同的特点，都属于离散型的开光量信号，只有数字“0”和数字“1”区分，如下图所示。

    在由数字“0”电压跳变成数字“1”电压的过程中，或者由数字“1”电压跳变成数字“0”电压的过程中，电压产生了一个变化，根据麦克斯韦电磁理论，变化的电流周围会产生磁场，也就形成了对其他电路的EMC辐射。

    没办法，为了降低电路的EMC辐射影响，必须使用一个单独的数字地线DGND，让其他电路得到有效的隔离。

3 功率地线PGND

    模拟地线AGND也好，数字地线DGND也罢，它们都是小功率电路。在大功率电路中，如电机驱动电路，电磁阀驱动电路等等，也是存在一个单独的参考地线，这个参考地线叫做功率地线PGND。

    大功率电路，顾名思义，是电流比较大的电路。很显然大的电流，容易造成不同功能电路之间的地偏移现象，如下图所示。

    一旦电路中存在地偏移，那么原来的5V电压就可能不是5V了，而是变成了4V。因为5V电压是参考GND地线0V而言，如果地偏移使得GND地线由0V抬升到了1V，那么之前的5V（5V-0V=5V）电压就变成了现在的4V（5V-1V=4V）了。

4 电源地线GND

    模拟地线AGND，和数字地线DGND以及功率地线PGND，都被归类为直流地线GND。这些不同种类的地线，最后都要汇集在一起，作为整个电路的0V参考地线，这个地线叫做电源地线GND。

    电源，是所有电路的能量来源。所有电路工作需要的电压电流，均是来自电源。因此电源的地线GND，是所有电路的0V电压参考点。

    这就是为什么其他类型的地线，无论是模拟地线AGND，数字地线DGND还是功率地线PGND，最后都需要与电源地线GND汇集在一起。

5 交流地线CGND

    交流地线CGND，一般是存在于含有交流电源的电路项目中，如AC-DC交流转直流电源电路。

    AC-DC电源电路，分为两个部分。电路中的前级是AC交流部分，电路中的后级是DC直流部分，这就被迫形成了两个地线，一个是交流地线，另一个是直流地线。

    交流地线作为交流电路部分的0V参考点，直流地线作为直流电路部分的0V参考点。通常为了在电路中统一一个地线GND，工程师会将交流地线通过一个耦合电容或者电感与直流地线连接在一起。

6 大地地线EGND

    人体的安全电压是在36V以下，超过36V的电压如果施加在人体身上，会导致人体受到损伤，这是工程师在开发设计电路项目方案的一个安全常识。

    为了增强电路的安全系数，工程师一般在高压大电流的项目中使用大地的地线EGND，例如在家用电器电风扇、电冰箱、电视机等电路中。具有大地地线EGND保护功能的插座，如下图所示。

    家用电器的插座，为什么是3个接线端子？220V交流电只需要火线和零线，两根就可以，那为什么插座是3个接线端子呢？

    插座的3个接线端子，其中的两个端子是用于220V的火线和零线，另外一个端子就是起保护作用的大地地线EGND。

    芯片哥需要重点指出的是大地地线EGND，它仅仅是连接到我们的地球，起到高压保护作用，没有参与项目电路功能，与电路功能无关。

    所以大地地线EGND，与其他类型的地线GND是存在明显电路含义区别的。

细究GND的原理

    工程师可能会问，一个地线GND怎么会有这么多区分，简单的电路问题怎么弄得这么复杂？

    为什么需要引入这么多细分的GND地线功能呢？

    工程师一般针对这类GND地线设计问题，都简单的统一命名为GND，在原理图设计过程中没有加以区分，导致在PCB布线的时候很难有效识别不同电路功能的GND地线，直接简单地将所有GND地线连接在一起。

    虽然这样操作简便，但这将导致一系列问题：

1 信号串扰

    假如将不同功能的地线GND直接连接在一起，大功率电路通过地线GND，会影响小功率电路的0V参考点GND，这样就产生了不同电路信号之间的串扰。相关推荐:认识地弹（地噪声）。

2 信号精度

    模拟电路，它的考核核心指标就是信号的精度。失去精度，模拟电路也就失去了原本的功能意义。

    交流电源的地线CGND由于是正弦波，是周期性的上下波动变化，它的电压也是上下波动，不是像直流地线GND一样始终维持在一个0V上不变。

    将不同电路的地线GND连接在一起，周期性变化的交流地线CGND会带动模拟电路的地线AGND变化，这样就影响了模拟信号的电压精度值了。

3 EMC实验

    信号越弱，对外的电磁辐射EMC也就越弱；信号越强，对外的电磁辐射EMC也就越强。

    假如将不同电路的地线GND连接在一起，信号强电路的地线GND，直接干扰了信号弱电路的地线GND。其后果是原本信号弱的电磁辐射EMC，也成为了对外电磁辐射强的信号源，增加了电路处理EMC实验的难度。

4 电路可靠性

    电路系统之间，信号连接的部分越少，电路独立运行的能力越强；信号连接的部分越多，电路独立运行的能力就越弱。

    试想，如果两个电路系统A和电路系统B，没有任何的交集，电路系统A的功能好坏显然是不能影响电路系统B的正常工作，同样电路系统B的功能好坏也是不能影响电路系统A的正常工作。

    这就好比一对陌生男女，在没有成为恋人之前，女生的情绪变化是不会影响这个男生的心情的，因为他们没有任何交集。

    假如在电路系统中，将不同功能的电路地线连接在一起，就相当于增加了电路之间干扰的一个联系纽带，也即降低了电路运行的可靠性。

十一、单片机中用二极管实现不同电压的输出

利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。

    分享本文，分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的。

限幅电路

    如下图所示，当在正半周期，并且VIN大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，VOUT会被钳位在0.7V上。

    而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态，在负半周期时相当于电流反向，二极管也是截至状态，此时VOUT=VIN，VOUT波形跟随VIN变化。

限辐电路示意图

    根据上面限辐电路的原理，可以设计如下双向限辐电路。

双向限辐电路示意图

    然而有时候0.7V电压不能满足要求，那么，怎么产生不同大小的限幅电压？

    在电路中加入偏置电压VBIAS，只有当VIN大于等于VBIAS时二极管才能导通。此时VOUT被钳位，其值是0.7V+VBIAS，如下图所示。

偏压限幅电路示意图

钳位电路

    下面是二极管结合电容实现的钳位电路。分析中不考虑二极管的导通压降，假设RC时间常数足够大，从而使输出波形不会失真。

钳位电路原理

    当输入Vin在负半周期为负时，电流如下图中红色箭头所示。二极管导通，电容逐渐充电至V，在此过程中Vout=0。

    当输入Vin在正半周为正时，电流如蓝色箭头所示。二极管截止，Vout等于电容上电压加上正半周电压V，此时Vout=2V。

钳位电路原理

偏压钳位电路

    跟限幅电路类似的，为了获得所需要的钳位值，要在电路中加入偏置电压，如下图所示。

偏压钳位电路

    当所加的偏压与二极管导通方向一致，钳位值会提高V1，Vout=2V+V1。

双向二极管钳位电路应用举例

    在某些电路中会利用两个二极管的钳位作用进行保护，如下图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。

• Vin大于等于Vmax，D1导通，Vout会被钳位在Vmax
• Vin小于等于Vmin时，Vout被钳位在Vmin

二极管钳位保护电路