[STM32_HAL库]Flash、ESP8266（MQTT固件）调试记录

矛矛矛矛

已于 2023-11-08 15:26:54 修改

阅读量213

点赞数

文章标签： stm32 嵌入式硬件单片机 json

于 2023-11-08 15:25:07 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_50574678/article/details/134286644

版权

一、Flash

1. flash部分代码

2.主要函数解释与调用

1. 函数原型 void changeaddress(uint32_t address)

2. 函数原型 void writeArrayToflash(uint32_t* data,uint8_t length)

3. 函数原型 void readArratFromFlash(uint8_t length,uint32_t *pbuff)

一、Flash

1. flash部分代码

#include "flash.h"
#include "stdio.h"
#include "rc522.h"
FLASH_ProcessTypeDef p_Flash; 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];    //缓存数组
 
 /**********************************************************************************
  * 函数功能: 读取指定地址的半字(16位数据) 
  * 输入参数: faddr：读地址
  * 返 回 值: 对应数据
  * 说    明： 
  */
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}
 
#if STM32_FLASH_WREN	//如果使能了写   
 /**********************************************************************************
  * 函数功能:不检查的写入
  * 输入参数: WriteAddr:起始地址、pBuffer:数据指针、NumToWrite:半字(16位)数 
  * 返 回 值: 无
  * 说    明： 
  */
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{ 			 		 
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToWrite;i++)
	{
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,WriteAddr,pBuffer[i]);
	    WriteAddr+=2;//地址增加2.
	}  
} 
 /**********************************************************************************
  * 函数功能:从指定地址开始写入指定长度的数据
  * 输入参数:WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)、pBuffer:数据指针、NumToWrite：半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
  * 返 回 值: 无
  * 说    明： 
  */
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)	
{
	u32 secpos;	   //扇区地址
	u16 secoff;	   //扇区内偏移地址(16位字计算)
	u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)	   
 	u16 i;    
	u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
	
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
	
	HAL_FLASH_Unlock();					    //解锁
	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;			//扇区地址  0~64 for STM32F103C8T6
	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		//扇区剩余空间大小   
	if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
	while(1) 
	{	
		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
		for(i=0;i<secremain;i++)	//校验数据
		{
			if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  	  
		}
		if(i<secremain)				//需要擦除
		{
			Flash_PageErase(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);	//擦除这个扇区
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            	//等待上次操作完成
			CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);							//清除CR寄存器的PER位，此操作应该在FLASH_PageErase()中完成！
																		//但是HAL库里面并没有做，应该是HAL库bug！
			for(i=0;i<secremain;i++)//复制
			{
				STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  
			}
			STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
		}else 
		{
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);       	//等待上次操作完成
			STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. 
		}
		if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
		else//写入未结束
		{
			secpos++;				//扇区地址增1
			secoff=0;				//偏移位置为0 	 
		   	pBuffer+=secremain;  	//指针偏移
			WriteAddr+=secremain*2;	//写地址偏移(16位数据地址,需要*2)	   
		   	NumToWrite-=secremain;	//字节(16位)数递减
			if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
			else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
		}	 
	};	
	HAL_FLASH_Lock();		//上锁
}
#endif
 /**********************************************************************************
  * 函数功能:从指定地址开始读出指定长度的数据
  * 输入参数:ReadAddr:起始地址、pBuffer:数据指针、NumToWrite:半字(16位)数
  * 返 回 值: 无
  * 说    明： 
  */
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)   	
{
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
		ReadAddr+=2;//偏移2个字节.	
	}
}
 
 /**********************************************************************************
  * 函数功能:擦除扇区
  * 输入参数:PageAddress:擦除扇区地址
  * 返 回 值: 无
  * 说    明： 
  */
void Flash_PageErase(uint32_t PageAddress)
{
  /* Clean the error context */
  p_Flash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
 
#if defined(FLASH_BANK2_END)
  if(PageAddress > FLASH_BANK1_END)
  { 
    /* Proceed to erase the page */
    SET_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR2_PER);
    WRITE_REG(FLASH->AR2, PageAddress);
    SET_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR2_STRT);
  }
  else
  {
#endif /* FLASH_BANK2_END */
    /* Proceed to erase the page */
    SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);
    WRITE_REG(FLASH->AR, PageAddress);
    SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_STRT);
#if defined(FLASH_BANK2_END)
 
  }
#endif /* FLASH_BANK2_END */
  }
 FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct={
       .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,
	     .PageAddress = FLASH_START_ADDRESS,
	     .NbPages = 1
};

void changeaddress(uint32_t address)
{
	 EraseInitStruct.PageAddress=address;
}

void writeArrayToflash(uint32_t* data,uint8_t length)
{
	HAL_FLASH_Unlock();
	uint32_t PageError = 0;
	if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError)==HAL_OK)
	{
		printf("擦除成功\r\n");
	}
	for(int i=0;i<length;i++)
	{
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,EraseInitStruct.PageAddress,data[i]);
		EraseInitStruct.PageAddress += 4;
	}
	printf("写入成功\r\n");
	HAL_FLASH_Lock();
	EraseInitStruct.PageAddress -= length*4;
}

void readArratFromFlash(uint8_t length,uint32_t *pbuff)
{
	for(int i = 0;i<length;i++)
	{
		pbuff[i]=*(__IO uint32_t*)EraseInitStruct.PageAddress;
		EraseInitStruct.PageAddress +=4 ;
	}
	EraseInitStruct.PageAddress -= length*4;
}

2.主要函数解释与调用

1. 函数原型 void changeaddress(uint32_t address)

address为所需要写入或者读取的地址空间的初始地址，函数作用是对所要执行的写入或者输出操作进行地址空间的更改。下面展示一个示例以0x8070000为基地址进行地址偏移，0x800为一页。

对STM32F103 所使用的Cortex-M3的4GB存储器划分进行展示。

2. 函数原型 void writeArrayToflash(uint32_t* data,uint8_t length)

data 写入的数据， length数据长度，这个函数是以某地址空间为基始，进行顺序写入。

先对该页进行擦除，HAL_FLASHEx_Erase（）返回HAL_OK表示擦除成功。

代码主要调用HAL库 HAL_FLASH_Program（）函数，FLASH_TYPEPROGRAM_WORD 为指定对地址空间进行一个字操作（32位），这里使用FLASH_TYPEPROGRAM_WORD，EraseInitStruct.PageAddress为所指定的地址空间，data[i]为存在数组中的数据。

3. 函数原型 void readArratFromFlash(uint8_t length,uint32_t *pbuff)

length为所需要读取的数据的长度， *pbuff对所选定地址空间的数据进行读取并存入这个指针，

上述操作进行了地址空间的选取与数据的读取，将数据存入了read_light_flash这个数组。

3.主要注意部分

1 .在所有的写入与读取前都要使用void changeaddress(uint32_t address) 进行地址空间的更改。

2.以上示例为将数组data_time中数据写入地址空间 0x8070000+(0x800*3)；和从该地址空间读取数据存入data_read_time的完整过程。注意，这里定义了两个数组一个为存入的data_time[]一个为读取的data_read_time[];同样的定义的这两个数组也需要相同的数据类型与大小，不然会导致读写失败与数据乱码。