DRAM刷新过程和为什么要刷新

最新推荐文章于 2025-05-06 16:47:06 发布
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本文探讨了DRAM和SRAM两种随机存储器的工作原理。DRAM需要定期刷新以保持数据，因为其电容会自然漏电，而SRAM则依靠稳定的电源维持信息。介绍了DRAM的刷新过程，包括分散刷新、集中刷新和异步刷新三种方式，并分析了各自的优缺点。

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DRAM为什么要刷新：

DRAM（dynamic Random Memory）称静态随机存储器，是由栅极电路组成的。电容内的电荷只能维持2ms即便不断电，2ms后信息也会消失。这就会导致本是1的数据变成0。
为什么SRAM不用刷新：
SRAM采用双稳态触发器，有稳定电压一直供电，所以只要不断电，信息就不会流失。

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

如何刷新

有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读写周期。一个读写周期0.5us。
假设采取行列地址（为了减少引脚数量）。
假设DRAM内部结构排列成128*128的形式，读写周期0.5us。
在这里插入图片描述
分析：有128行，需要刷新，2ms的时间狗刷新4000次（2ms/0.5us）
1.分散刷新：

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DRAM的刷新操作及突发传输模式
m0_73566739的博客
10-23 2049
ⅰ.DRAM的刷新操作 ⅱ.突发传输模式 ⅰ.DRAM的刷新操作 ⑴.刷新操作： 按行来执行内部的读操作。 由刷新计数器产生行地址，选择当前要刷新的行，读出方式刷新，刷新一行所需时间就是一个存储周期。 ⑵.刷新周期： 从对整个存储器刷新结束时起，到对整个DRAM全部刷新一遍为止时间间隔。 ⑶.刷新信号周期： 相邻两行位元之间刷新的时间间隔单元。 ⑷.刷新间隔时间： DRAM允许的最大信息保持时间一般为64ms 。 ⑸.刷新行数：单个芯片的单个矩阵的行数。 对于内部包含多个存储矩阵的芯
DRAM的刷新
01-26
DRAM的刷新。集中式刷新、分散式刷新和异步式刷新。
动态读写存储器 DRAM 在使用时需要定时刷新，其主要原因是
weixin_52088967的博客
11-26 1377
动态读写存储器（Dynamic Random-Access Memory，DRAM）需要定时刷新的主要原因是电容器的漏电。DRAM中存储数据的基本单元是电容器和晶体管，其中电容器用于存储信息，晶体管用于读写数据。为了避免存储的数据在漏电的情况下丢失，DRAM需要定时刷新电容器中存储的数据。刷新操作是由内部计时器触发的，定期地读取并重新写入DRAM中存储的所有数据。在现代的DRAM中，刷新操作通常使用“自刷新”技术实现，即DRAM芯片内部包含一个刷新控制电路，它可以自动执行刷新操作，而不需要外部的控制信号。
深入理解DRAM刷新机制：异步刷新为何无需扣除刷新时间？
星途码客的博客
04-02 1212
DRAM刷新机制是计算机体系结构中的重要话题，理解不同刷新方式的区别有助于优化内存性能。在计算机组成原理和存储器系统的学习中，DRAM（动态随机存取存储器）的刷新机制是一个关键问题。，解释为什么异步刷新可以“直接除”，而其他方式不行，并探讨现代DRAM控制器如何优化刷新调度。，刷新请求以固定间隔（如62.5μs）发出，但实际刷新操作可以“排队”执行。，但电荷会随时间泄漏，因此必须定期刷新（重新写入）以保持数据。：像“期末考试周”，所有复习（刷新）集中在几天，期间不干别的。
DRAM刷新的理解
qq_53535498的博客
08-21 5662
本文主要介绍了DRAM刷新机制
DRAM的自刷新
11-14
当RAS（行地址选通）和CAS（列地址选通）信号在一定时间内（通常是100微秒）保持有效状态，DRAM内部的自刷新电路启动，开始执行自动刷新循环。这个周期内，DRAM会逐行地刷新其存储单元，确保数据不会因电荷泄漏而...
DRAM的惟RAS有效刷新
11-14
DRAM的惟RAS有效刷新是一种创新的刷新机制，它通过优化刷新过程中的资源使用，提高了DRAM的效率。 在DRAM的基本读写操作中，涉及两个信号：行地址选择信号（RAS）和列地址选择信号（CAS）。这两者配合起来可以激活...
DRAM的隐藏刷新
11-14
总结来说，DRAM的隐藏刷新是一种高级内存管理策略，它通过巧妙地安排刷新操作，使之在不中断正常数据访问的情况下进行，从而避免了刷新和数据存取之间的冲突，提升了系统的整体性能和效率。这一技术在现代高性能计算...
DRAM的刷新操作
m0_73482710的博客
10-30 1959
等所有的行刷新结束后，又开始正常的读/写周期，由于在刷新的过程当中不允许读/写操作，集中式刷新策略存在“死时间”。DRAM存储位元是基于电容量上的电荷量存储信息的，DRAM的读操作是破坏性的，读操作会使电容器上的电荷流失，因而读出后必须刷新。而未读写的存储元也需要定期刷新，因为电荷量会逐步泄露而减少，从外部看，刷新操作与读操作类似，只是刷新时无法送出数据，并且可以将一行的所有存储元同时刷新。周期性的刷新操作是与读/写操作交替进行的，通过二选一多路开关选择刷新行地址或正常读/写的行地址。
DRAM刷新方式
03-03
英文资料，介绍了DRAM的一些常见的刷新方式。
【计算机组成原理】动态RAM（DRAM）的三种刷新方式
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qq_43610614的博客
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动态RAM共有三种刷新方式：集中刷新，分散刷新，异步刷新 刷新的实质：先将原信息读出，再由刷新放大器形成原信息重新写入的再生成的过程 为什么要进行刷新：存储单元被访问是随机的，有些存储单元可能长时间的不被访问，不进行存储器的读写操作，其存储单元内的原信息就可能会丢失。 刷新是一行行进行的，必须在刷新周期内 刷新周期：对DRAM的所有存储单元恢复一次原状态的时间间隔 刷新间隔：两次刷新的起始时间差（...
计算机组成原理 超详细DRAM集中刷新、分散刷新，异步刷新
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2301_76795161的博客
05-06 402
这样对于同上条件的DRAM，我们刷新完128行的分散刷新的刷新间隔仅为128*0.5也就是64us，远远小于上面的集中刷新方式的2ms，而且也不存在死时间。异步刷新是前两种方式的集合，它既可以缩短死时间，又可以充分利用2ms的刷新间隔：条件同上，首先我们可以手动算出至少多少时间刷新完一行，也就是2ms/128=15.625us，我们把这部分时间的0.5us设为刷新时间，其余都进行读写操作。这样，我们把64us的死时间均匀的放到了2ms内，对于每行来说，刷新时间仍然为2ms，而死时间缩短为0.5us。
DRAM以及刷新机制
weixin_44000193的博客
04-10 1万+
DRAM DRAM，即我们平时所说的内存的物理组成器件，是一种易失性存储器（一断电信息就没了）。DRAM采用地址线分时复用技术，减少地址线的数量。与SRAM 不同，DRAM是用电容来存储，即使通着电，随着时间和温度的变化，信息也会丢失，因此，必须每隔一段时间刷新一次，这个时间称为刷新周期。一般为2ms，北邮教材写的是8ms。 刷新操作 1.按行来进行内部的读操作。 2.由刷新计数器产生行地址，选...
DRAM的三种刷新方式
Sensente的博客
08-17 2万+
DRAM由于在存储信息时采取了电容存储电荷，因此需要进行“刷新”操作 SC-用于存储 AT-开合决定是否对存储进行读取/更改 DRAM有三种刷新方式。 一、集中刷新 所谓集中刷新，即在整体RAM读取完毕之后进行集中的刷新操作。 其死区大小为0.5*32，刷新的时间间隔为2ms 二、分散刷新 分散刷新指的是在每次存取周期之后均进行一次刷新（以行为单位），存取和刷新交替进行。 不存在集中刷新中的长时间死区，这里所谓的不存在指的是将刷新的时间，加入到读写周期中。 即读写周期 ..
内存学习（3）：DRAM的基础存储结构（存储层级、读写过程，刷新与暂存）
呆呆象呆呆的博客
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DRAM，全称为 Dynamic Random Access Memory ，中文名是“动态随机存取存储器”。所谓“动态”是和“静态”相对应的，芯片世界里还有一种 SRAM 静态随机存取存储器的存在。笼统地说，DRAM 的结构比 SRAM 更简单，面积占用更小，适合制作大容量的存储芯片；而 SRAM 结构复杂一些，一般使用六个晶体管，面积消耗大，但是读写速度快，而且因为 SRAM 只用到晶体管，所以在工艺上和逻辑芯片相兼容，我们可以在逻辑芯片上直接集成 SRAM。
DRAM集中刷新,分散刷新,异步刷新的区别
Zhangsama1的博客
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文章目录为什么DRAM需要刷新集中刷新分散刷新异步刷新 为什么DRAM需要刷新 DRAM(Dynamic Random Access Memory)即动态RAM,是我们熟知的内存,用在手机,电脑等设备当中用于存储数据与指令.通常所讲的RAM即指DRAM.DRAM由晶体管和小容电容存储单元组成。每个存储单元都有一小的蚀刻晶体管，这个晶体管通过小电容的电荷保持存储状态，即开和关。电容类似于小型充电电池。它可以用电压充电以代表1，放电后代表0，但是被充电的电容会因放电而丢掉电荷，所以它们必须由一新电荷持续地"刷
DRAM芯片的刷新和再生有何区别？
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10-25 824
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DRAM中刷新和重写的区别
07-16
在DRAM（动态随机存取存储器）中，刷新和重写是两个不同的操作。 1. 刷新（Refresh）：DRAM是一种易失性存储器，它的存储单元是由电容构成的。由于电容的特性，它们会逐渐丧失电荷，导致存储的数据逐渐衰减。为了防止数据丢失，DRAM需要定期进行刷新操作。刷新操作是将存储单元中的数据读出并重新写入，以恢复电荷状态并保持数据的完整性。刷新操作通常由DRAM控制器自动执行，遵循内存芯片制造商指定的刷新频率。 2. 重写（Rewrite）：重写是指将新的数据写入DRAM的过程。当CPU或其他设备需要将新的数据存储到DRAM中时，它会发送写入指令，将数据写入到指定的DRAM存储单元中。重写操作会覆盖原有的数据，并更新存储单元中的内容。重写可以是随机的，根据需要进行读写操作。 总结来说，刷新是为了防止数据丢失而对DRAM中的数据进行定期读取和重新写入操作，而重写是将新的数据写入到DRAM中，覆盖原有的数据。刷新是为了保持数据的完整性，而重写是为了更新数据。
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