DRAM刷新的理解

最新推荐文章于 2025-03-19 22:28:31 发布

Darril.

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文章标签：集成测试

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_53535498/article/details/126455229

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本文详细探讨了DRAM刷新的必要性，包括突发刷新与分布式刷新的区别，tRET、tREFI和tRFC的基本概念，以及CASbeforeRAS、RASonlyrefresh和自动刷新的控制方式。重点讲解了如何通过观察和智能刷新来优化刷新操作，以及暂停刷新带来的影响。涵盖了从技术原理到实践应用的全面内容。

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DRAM Refresh

DRAM为什么需要刷新？
DRAM存储数据的单元是电容，随着时间的流逝，DRAM cell会丢失数据，为避免数据丢失，需要定期进行刷新操作。

DRAM cell有以下2种主要刷新方式：
1.突发刷新:每次刷新所有单元格（简单的控制机制(eg:LPDDRx)）；
2.分布式刷新:刷新一组cell(避免长时间阻塞内存)；
突发刷新&分布式刷新

刷新基础知识：
tRET: DRAM cell数据保持时间(64ms)，所有cell必须在tRET内刷新，以免数据丢失；
tREFI:刷新间隔，即内存控制器两次刷新命令之间的间隔，内存控制器发送8192个auto-refresh命令，每次刷新一个bin（row）；
tREFI = tRET/8192 = 7.8us
tRFC:完成一个bin刷新的时间(刷新完成)，tRFC随着芯片容量的增加而增加；
不同chip容量的tRFC
控制刷新操作
1.CAS before RAS (CBR)
DRAM内存使用内部计数器跟踪地址
2.RAS only refresh (ROR)
行地址由控制器指定;类似于一对激活和预充
3.Auto-refresh vs. self refresh
每间隔7.8us一个REF命令被发送给DRAM (tRAS+tRP)，LPDDR多行刷新时关闭IO以减少电消耗