阻抗、感抗和容抗

1，阻抗

Z=R+jX
阻抗是电阻与电抗的和，实部R是电阻，虚部X是电抗

2，感抗和容抗

感抗：XL=wL=2πfL
电压超前电流时，呈现感性：线圈会阻止电流的变化，电压可以瞬时变化，这就是电压超前电流。
公式分析：电感通低频，阻高频；低频感抗比较小，高频感抗比较大，正比。

容抗：XC=1/wC=1/2πfC
电流超前电压时，呈现容性：当在电容两极加上电源时，先对电容充电，随后会产生电压，这就是电流超前电压。
公式分析：电容通高频，阻低频；高频容抗XC比较小，低频容抗比较大，反比。

注意：纯电阻负载上的电压和电流是同相位的，只有纯容性负载或纯感性负载，才会超前或滞后90度

3，方向分析

电抗：X=XL-XC    
阻抗：Z=R+jX=R+j(XL-XC ) 
符号“-”分析：
R为实数为0度，U=RI，U和I没有相位差是同向的，电感电压超前电流，电容电流超前电感，让电压和电流相位差为0，如下图所示：

注意：j是逆时针旋转90°

判断阻抗类型
当 X > 0 时，称为感性电抗
当 X = 0 时，阻抗为纯电阻
当 X < 0 时，称为容性电抗

4，电容器阻抗

在高频时，电容有损耗，即有传导电流存在。所以电容器的阻抗表示成电导Ge和电纳ωC 的并联组合：

直流电流起源于电导Ge=σA/d，其中σ是介质的电导率。

目前习惯引入损耗角正切tanΔ,其中tanΔ=σ/ωε，将其带入Ge的表达式中，得到：

Ge=σA/d=（ωεA/d）tanΔ=ωCtanΔ。

高频电容的等效模型

考虑到寄生引线电感L，引线欧姆损耗的串联电阻Rs ，以及介质损耗电阻Re。所以一个高频电容的等效电路如下图所示：

ESR：等效串联电阻

ESL：等效串联电感

R：绝缘电阻

在低频时，其电阻器的阻抗是线性下降，表现为容性特质，复阻抗与频率呈反比关系；

当f=1/[2π√(LC)]时，电容和ESL发生谐振，此时Z=ESR，阻抗达到最小，所以此时电容滤波效果最好；

当频率超过谐振点频率之后，电容接呈现感性，复阻抗与频率呈正比关系。

电容器的寄生电感

电容器的寄生电感在当今高速数字电路的去耦中起着越来越重要的作用，从简单的电感公式我们可以看出电感与直流线性电压上诱发的纹波电压之间的关系。

在目前的微处理器中的∆t/∆i可高达 0.3A/ns，最高可达 10A/ns。在 0.3 ns 时，寄生电感 100pH可引起 30mV 的电压峰值。虽然这看起来不是很剧烈，随着微处理器的Vcc以当前的速度减小，这可能占一个相当大的百分比。

寄生电感对于高频、旁路电容器很重要，因为在谐振点处会产生最大的信号衰减。谐振频率f0可以通过如下的简单公式计算

贴片陶瓷电容器在所有寄生电感共同作用下产生微小的总感值，这就是所谓的“等效串联电感ESL(equivalent series inductance )”。当电容器通交流电时 ESL 会产生感抗，用XL表示，单位为Ω此感抗会试图削弱容抗。其公式如下：

5，同轴电缆的阻抗

同轴电缆阻抗

一个同轴电缆的结构包括：最里面的中心导体（Cu）、绝缘层、网状的屏蔽层、最外面的绝缘层。同轴电缆可以等效为：电容和电感（电阻忽略），电缆单位长度电容为C[pf/m]，单位长度的电感为L[nH/m]，电缆的阻抗是通过LC回路对信号产生了延迟的作用
Z= 根号（L/C）

所以阻抗是电缆的特性，两根50欧姆的同轴线都是1m，理想连接到一起后的阻抗也是50欧姆。

入射信号u1，透射信号u2，反射信号u3；阻抗为z1,z2
1，当阻抗匹配时，z1=z2，u2=u1（示波器选择50 ohm，信号相等），u3=0
2，当z2>>z1，u2=2u1（示波器选择1M，信号变成两倍）；
u3=u1，如果信号源和线缆阻抗也不匹配，在示波器会看到“震荡”

注意：只有当信号的波长和线缆长度一样时，才考虑震荡的问题。
比如1K下信号波长为入=V/f=3*10(8)/10(3)=3*10(5)m远大于线缆长度25cm，不会看到折反射的问题；但方波的前沿的上升时间只有10ns，频率为100M，会发生震荡，改成50ohm不会出现震荡的情况。

示波器选择 50ohm？1M？

（1）无源电路用 1M
要考虑所接的负载会不会影响RC回路本身的特性。
比如RC电路，这时候示波器选择1MΩ（选择50，RC回路改变：1K和1nf，1nf串联50Ω，50相对1nf太小，1nf不起作用，变成了分压电路，输出信号特别小，造成很大的影响），观察节点的电压信号，示波器需要换成大阻抗。

（2）有源电路 小功率用1M
可以输出一定的电流或电压，能够输出功率。比如电流或电压放大器
一般输出小功率1mA,1V选择1M；
如果用50欧姆，电流=20mA，放大器驱动不够，出现平顶效应，显示电压=50mV

（3）高频1Ghz，用50ohm

高频信号选50，要求输出功率大于实际测量到的电流，不然会出现平顶。
低频信号1M和50欧都可以，注意1M时候电压一样，50欧姆时电压为0.5V

（4）直接接探测器，一般用50ohm
PMT SiPM
50欧：测到的电流是原始光线管的电流大小，适合测时间，定时。
1M：波形升高再慢慢衰减，对面积积分可以测量能量。示波器1M并联一个等效电容16pf，电流会在电容上积累，并通过1M电阻进行泄放，泄放的时间常数τ=RC=16us，