模拟版图学习1

Pmos-空穴/速度较慢；

Nmos-电子/速度较快；

（Un≈（2～3）Up）

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Id＝½UnW/L（Vgs-Vth）²

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Ncell→Pmos：

⒈poly⒉AA(有源区)⒊P＋⒋Nwell⒌cont孔⒍M1

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Mask掩膜版:

Mask→由版图tapeout产生gdS数据，由复杂层次关系产生JDV数据→光刻→刻蚀→光刻胶→显影→扩散→掺杂→离子注入→场氧→栅氧

以Nwell制程的cmos反相器为例:

1. 氧化:在p型硅衬底芯片上生长一层sio2
2. 涂上光刻胶→放上Mask，曝光→显影，去除曝光的光刻胶
3. 氧化层刻蚀:刻蚀掉氧化层，不伤及硅，漏出衬底si表面
4. Nwell，离子注入(p元素)→N阱掺杂，光刻胶有效阻止离子注入
5. 还原成干净si表面，去除光刻胶

生长场氧:

1. 淀积氧化层:N阱生后，应先去除硅表面氧化层，重新生长，并淀积一层薄氮化硅
2. 光刻:按版图进行有源区光刻，并将有源区和氮化硅层保留(生长氧化层→生长氮化硅→铺满光刻胶→有源区Mask，曝光→去除光刻胶→刻蚀氮化硅)
3. 氧化层生长:在无氧化层，氮化硅层保护的区域，进行长时间氧，此氧化层为场氧
4. 还原成干净si表面状态(去除光刻胶→去除氮化硅→去除氧化层)

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Si02只与HF反应

Nmos，pmos靠si02隔离，cmos工艺易发生酸锁反应

场氧越厚越耐高压