第1章 常用半导体

1.1 半导体基础知识

    1.1.1 本征半导体

                         纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。

      一、半导体

                        低价元素，最外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。

      二、绝缘体

                        高价元素，最外层电子受原子核束缚能力很强，很难成为自由电子。

       三、本征半导体的晶体结构

                       单晶体：是指由一种物质组成的晶体结构，其中所有的原子都是按照一个统一的晶体结构排列而成的。这种排列方式具有高度的有序性和周期性，使得单晶体展现出一系列独特的物理和化学性质。

        四、本征半导体中的两种载流子

                        自由电子：因为热运动挣脱共价键的束缚变成为自由电子
                        空穴：自由电子挣脱束缚后在共价键中留下的空位置

                     

                        

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载流子：运载电荷的粒子
导体只有自由电子一种载流子。本征半导体有自由电子和空穴 

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        五、本征半导体载流子的浓度

                        动态平衡：热激发电子挣脱束缚，但是自由电子会在运动中与其他自由电子留下的空穴相结合，形成新的共价键。挣脱与复合会达到一个平衡。

                        导电性能增强：温度上升，加快了自由电子从价带向导带的跃迁以及空穴的产生，因此增加了自由电子和空穴的浓度，从而使得半导体的导电性能增强。

        1.1.2 杂质半导体

半导体类型	自由电子	空穴	掺入元素
N型半导体	多数载流子	少数载流子	五价元素
P型半导体	少数载流子	多数载流子	三价元素

N型半导体：自由电子导电
P型半导体：空穴导电

        1.1.3 PN结 

           一、PN结的两种运动

运动类型	运动原理	运动对象
扩散运动	物质由于浓度差的存在而产生的运动	多子运动
漂移运动	在电场作用下而产生的运动	少子运动

两种运动图示

        二、PN结的单向导电性 

状态	P端	N端
导通	正	负
截止	负	正

导通状态

1. 外加正向偏置：当PN结两端加上正向电压（P端电压高于N端）时，外加电场的方向与内建电场相反，减弱了内建电场，从而降低了空间电荷区的宽度。
2. 扩散运动增强：正向偏置加强了扩散运动，使得更多的自由电子和空穴可以跨越PN结，从而形成较大的正向电流。
3. 漂移运动减弱：由于内建电场减弱，漂移运动也相应减弱。

截止状态

1. 外加反向偏置：当PN结两端加上反向电压（P端电压低于N端）时，外加电场的方向与内建电场相同，加强了内建电场，从而扩大了空间电荷区的宽度。
2. 扩散运动减弱：反向偏置削弱了扩散运动，因为自由电子和空穴难以跨越扩大的空间电荷区。
3. 漂移运动增强：由于内建电场增强，漂移运动也相应增强，但总体上形成的电流很小，通常被称为反向饱和电流。

前面为导通状态/后面为截止状态

 1.2 二极管

1.2.1 半导体二极管的几种常见结构

1.2.2 二极管的伏安特性

        一、二极管和PN结在结构上的区别

	半导体体电阻	引线电阻
PN结	有	无
二极管	有	有

        

半导体导体电阻（Bulk Resistance）

半导体导体电阻指的是二极管内部半导体材料本身的电阻。这部分电阻主要取决于以下因素：

• 材料类型：不同类型的半导体材料有不同的电阻率。例如，硅的电阻率通常低于锗。
• 掺杂浓度：半导体材料中的掺杂剂（如磷或硼）浓度会影响电阻率。高掺杂浓度通常会降低电阻。
• 温度：半导体的电阻率随温度的变化而变化。通常情况下，温度升高会导致电阻率下降。

在正向偏置状态下，当二极管导通时，电流流经半导体材料，因此这部分电阻会对总的电压降产生影响。在某些情况下，特别是在大电流应用中，半导体导体电阻会成为总电阻的重要组成部分。

        

引线电阻（Lead Resistance）

引线电阻是指二极管引线（也称为引脚或终端）本身的电阻。这部分电阻主要由以下因素决定：

• 材料：引线通常由金属材料制成，如铜、铝或合金。
• 长度和横截面积：引线的长度和横截面积也会影响其电阻。较长或较细的引线会有较高的电阻。

在实际应用中，引线电阻通常相对较小，但在高频或大电流应用中也可能变得重要。特别是在需要精确测量或控制电流的情况下，引线电阻可能会对测量结果造成影响。

         二、二极管的伏安特性   

开启电压	正向电压足够大时（因为内部存在电阻），正向电流才从零端电压指数规律增大。
击穿电压	反向加电压时，某个电压值会导致电流激增
反向饱和电流	是在二极管反向偏置（即二极管的阴极接正电压，阳极接负电压）时流过二极管的微小电流。这个电流通常非常小，数量级可以从皮安（pA）到微安（μA）不等，取决于二极管的类型和温度。

三、温度对二极管伏安特性的影响

        温度升高，二极管正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移

1.2.3 二极管的等效电路

        一、作用

        二极管的伏安特性具有非线性，为了更加方便的进行电路分析。用线性元件所构成的电路近似模拟二极管的特性，并用之取代电路中的二极管。

1.2.4 稳压二极管

        一、功能

        稳压二极管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。

        二、稳压管的伏安特性

1.3 晶体三级管

        1.3.1 晶体的结构与类型 

                一、结构：

                不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，形成两个PN结，就构成晶体管。

                二、类型：

                NPN和PNP

        1.3.2 晶体管的放大作用

                一、效果 

                晶体管的放大作用表现在为小的基极电流可以控制打的集电极电流。

                二、外部条件

                发射结正向偏置且集电结反向偏置。

                三、内部运行原理图

                载流子的运动造成放大效果

               1.3.3 晶体管的输出特性组成

                一、工作状态

                截止区：特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置

                放大区：其特征是发射结正向偏置（Ube大于发射结开启电压Uon）且集电结反向偏置。

                饱和区：其特征是发射结与集电结均处于正向偏量。

                二、温度影响（P31）

                和二极管伏安特性相类似，当温度升高时，正向特性将左移，反之则右移

1.4.场效应管（PPT） 

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未完待续...... 

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