1.模拟电子技术学习笔记

写在前面

由于最近还有半个多月就开学了，我开始做一些模电方面的精简版的笔记，可以作为各位大二学生的预习或者是说有一些想要复习的同学们的一份参考

前面的历史的部分就不再细说了，我们直接从pn节开始讲

1.半导体与pn节

1.本征半导体

本征半导体的概念我们带一下就可以，简单来说就是比较纯的，Si，Ge之类的，详细的如果想要了解的话可以看看博伊尔斯塔德老爷子那本书

我们都知道，这种半导体材料，比如说Si，在分子热运动的情况下自由电子会“乱动”，那么这也就意味着负电荷的移动，负电荷的移动，则会导致一个本来最外层有四个电子的Si会少一个电子，也就会在原来这个电子所在的位置出现一个“空缺”，我们叫它“空穴”，由于原子核的正电荷不变，所以这个空缺打破了原有的静电平衡，带正电

那么我们这里就有了两种载流子：一种是正电的，是空穴，另一种是自由电子，带负电

这种热运动所引起的这种变化，我们管它叫做“本征激发”

指的是在纯净半导体中，由于热能的作用，价带中的电子获得足够的能量，跃迁到导带中，从而在价带留下一个空穴的过程。这个过程是半导体材料固有的特性，不依赖于外部掺杂或其他外部因素。

                        ——网上随便查的，不用记

这种仅由于外部原因引起的材料中的自由电子和空穴我们称之为“本征载流子”

这一块，就是说带“本征”两个字的就简单理解为热运动导致的就可以了，带“本征”俩字的一切变化大都是少量的（因为这种变化要是多的话Si就成导体了）

有些书还提到了这个半导体变化受温度的影响，带“本征”二字的变化大多都是对温度敏感的

2.pn节

pn节的故事还要从参杂半导体说起

参杂半导体，顾名思义，就是“纯的”，就是本征半导体里面掺入一些别的元素，成为一个性能更加好的半导体。我们将这种半导体分成两类：n型和p型

n型半导体，通常我们会在里面加一些P，由于P的最外层由是5个电子，比Si多一个，于是我们在掺入后就会得到这样一个效果（只要最外层比Si多一个就可以，博伊尔斯塔德这本书里掺的是Sb）：

（这种参杂半导体，我们一定要记住，是少量掺入，不是大量掺入，如果掺入太多了，这个材料本来是啥就不知道了）

我们可以发现，每掺入一个这个杂质原子，我们就会多一个自由电子，这个自由电子就会成为载流子起主导作用，产生这个自由电子的原子我们叫他施主原子

p型半导体，我们同样可以掺入B：

掺入B，由于B最外层有三个电子，这时候如图，我们会多出一个空穴，这个空穴就是一个正电荷，和n型半导体中的自由电子一样，每掺入一个B就会多出一个空穴，这个空穴作为载流子起主导作用，B是施主原子。

在n型半导体中，由于自由电子作为载流子占多数，我们把它叫做多子，空穴虽然在一定程度上起载流作用，但是由于作用不太强，是本征激发产生的，所以我们把他叫做少子，并且少子由于是本征激发，它的数量对温度变化比较敏感

有些书中有电子流和空穴流的概念，我在这里简单说明一下。                                                          一个价电子如果获得足够的动能，可以突破它自身的共价键并且移动到空穴中，这时候空穴也会相对移动，如图：

这个知道一下就行。

如果说就这两种半导体的话，还是有些“鸡肋”，那么我们把他们放在一起会形成什么呢？

由于扩散运动，我们知道，在n型半导体里，空穴是少子，但是p型半导体里空穴是多子，这时p型半导体与n型半导体形成了一个浓度差，这时会自发的形成扩散运动，对于自由电子也是类似。那么这种扩散能够一直持续下去吗，显然是不能的。以自由电子为例，自由电子到了p型半导体中与作为p型半导体多子的空穴结合，结合的多了慢慢就形成了一个“停战区”，就好比两个打仗的国家，打得久了就会形成一个“停战区”

这个所谓的“停战区”我们也叫做耗尽层，还叫pn节。

Checklist

这块涉及的名词比较多，我们在这里汇总一下，供大家查缺补漏：

本征半导体,本征激发，参杂半导体，p型半导体，n型半导体，多子，少子，施主原子，pn节，