【模拟集成电路设计】学习笔记(一)

文章介绍了模拟集成电路设计的基础知识,包括放大器的工作原理、设置静态工作点的原因、MOS管作为放大元件的条件、集成电路中的电阻类型、Miller电容的影响、Bandgap原理以及运放的开环与闭环概念。此外,还讨论了差分放大器的优点,如噪声抑制和线性度提升。
摘要由CSDN通过智能技术生成

前言:

  持续更新,若有后续更新,更新链接将附于文末,后续有时间会对内容更新。

课堂tips

1、放大器

  放大器放大的是小信号,只有在特定的静态工作点下,小信号放大才有意义,因此一些小信号指标常与某个DC点相关联,若小信号幅度超过系统输入范围要求,则将会发生线性失真,合适的静态工作偏置点是实现信号放大的前提条件。

2、有源器件

  有源器件除了PN结,其他至少有三个或以上的端口,是信号可以放大的物理结构前提条件,

3、设置静态工作点Q的原因

  有源器件正常工作的条件是需要设置合适的静态工作点,在此前提下,线性近似条件才能成立

4、小信号近似的意义:

  ①在某个静态工作点Q下,跨导参数gm和gd具有近似常数的性质
  ②对于输入小信号vgs的放大条件是线性的

5、为什么MOS可以作为放大元件

  ①从结构上看,MOS管是一个三端口器件,可以视为VCCS/CCCS,栅源极为控制端,DS为受控端,通过调整控制端可对输出进行调整电流大小
  ②从物理结构上看,作为放大作用,一般工作在饱和区,一般gm>>gd,MOS本征增益Av=gm/gd >>所以MOS有放大功能。
  ③MOS放大的条件:有固定的静态工作点,且放大的是小信号(线性放大)

6、集成电路中三种电阻(按照实现方式分类)

  ①线性电阻:电路简单,交直流阻抗未分离,增益与静态工作点存在矛盾(以经典CS放大器为例,若R过大,MOS进入线性区)。
  ②恒流源:放大倍数高,交直流分离,交流阻抗高,Av大,直流阻抗下降,静态工作点Q难以确定。
  ③MOS Diode电阻:静态工作点稳定,输出摆幅受限,交流阻抗低,增益小,直流阻抗大,交直流分离。

7、Miller电容:

  ①定义:跨接在放大器输入和输出端口的电容,常用作频率补偿;
  ②问题:Miller电容可能会因前馈而引入RHP零点,该零点若靠近低频,则会减缓幅值下降,使得增益交点外推,相位裕度PM下降,大大减小环路稳定性。
  ③改进:增加电阻RM与CM串联,将RHP零点外推,甚至变为LHP零点;也可串联一个MOS,切断前馈通路。
  ④Miller电容有效的前提(以二级运放为例):输出负载电容CL不宜过大,否则放大器电压增益下降,有效增益下降,不能采用低频增益计算Miller效应;Miller效应的目的是将级间极点补偿为主极点,若 C L C_{L} CL太大,输出极点会成为主极点,此时Miller补偿失效;同时第一级输出应为高阻,确保级间极点为主机极点。

8、Bandgap原理

  原理:通过将两个具有相反温度系数的电流或电压通过加权叠加,结果得到零温度系数,双极型晶体管 V B E V_{BE} VBE,PN结二极管的正向电压具有负温度系数, ∆ V B E ∆V_{BE} VBE具有正的温度系数,将 V B E V_{BE} VBE ∆ V B E ∆V_{BE} VBE适当增加,可以得到令人满意的零温度系数。

9、MOS管的直流阻抗和交流阻抗

  条件:MOS的直流打信号条件下用作直流阻抗,在交流小信号条件下用作交流阻抗
  特点:MOS工作在线性区时,直流与交流阻抗近似相等,在饱和区时,交流阻抗远大于直流阻抗,直流阻抗与交流阻抗由MOS静态Q点决定:
  交流阻抗 r d = d V D S / d I D S r_{d}=dV _{DS}/dI_{DS} rd=dVDS/dIDS,主要应用在小信号模型中;直流阻抗 R d = V D S / I D S R_{d}=V_{DS}/I_{DS} Rd=VDS/IDS主要应用在大信号模型中。

10、运放的开环与闭环

  ①开环运放:静态点不宜稳定;放大倍数Av不稳定,易受工艺或环境影响;Av不宜灵活改变。
  ②闭环运放:若 A v Av Av足够大, A V = A / ( 1 + A F ) ≈ 1 / F A_{V}=A/(1+AF) \approx 1/F AV=A/(1+AF)1/F。Av近似与开环无关,由反馈系数 F F F决定;可以通过F来方便的改变 A v Av Av

11、零极点的物理意义与形成机制

(1)物理意义:自动控制理论中,极点对应系统瞬态,反映系统响应快慢,与输入无关,是系统本身特性。
(2)形成机制:待我再研究一下

12、MOS和BJT的区别

(1)BJT
  ①由两种载流子导电,且载流子在半导体内迁移,迁移率大,跨导 g m g_{m} gm大。
  ②跨导gm大,寄生电容C小,高频性能更好。
  ③输入有限阻抗,功耗大。
  ④参数调节与面积S有关,因此器件尺寸较大,不宜集成。
(2)MOS
  ①由一种载流子导电,且载流子在半导体表面迁移,迁移率小,跨导 g m g_{m} gm小。
  ②跨导 g m g_{m} gm小,寄生电容C大,高频性能差。
  ③输入阻抗大,功耗小。
  ④参数调节与 W / L W/L W/L有关,因此器件尺寸较小,宜集成。

13、闭环应用

  ①Av稳定可靠,且通过控制反馈系数F,可编程性提高,应用更灵活。
  ②-3dB带宽提升,频率特性相应提升,高频性能提升。
  ③线性范围拓展,线性度提升。
  ④通过闭环反馈,更易实现阻抗匹配,信号传输损耗小。

14、差分放大器的优点

  ①扩大共模输入范围
  ②有效抑制共模噪声,提高CMRR
  ③增大输出摆幅(单端输出的两倍)
  ④偏置电路更简单,差分对通过电流镜直接耦合,输出线性度更高。

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### 回答1: CMOS模拟集成电路设计学习笔记 CMOS模拟集成电路设计学习是电子工程领域中的重要一环。CMOS(互补金属氧化物半导体)技术在现代集成电路设计中起着至关重要的作用。在学习CMOS模拟集成电路设计过程中,我对以下几个方面有所收获。 首先,电路的基本理论知识是学习CMOS模拟集成电路设计的基础。了解电路设计中的电压、电流、电阻、电容等基本概念,掌握基本的电路分析方法和技巧,对于有效地进行CMOS模拟集成电路设计非常重要。 其次,掌握CMOS技术的原理和特点。CMOS技术是使用N型和P型MOS管并排组成的电路结构,相比于其他技术,CMOS技术具有功耗低、抗干扰能力强等优势。了解CMOS技术的工作原理和特点,能够更好地应用于模拟集成电路的设计和优化过程中。 再次,学习射极耦合放大器(CAS)的设计和优化方法。CAS是模拟电路设计中常用的基本模块,具有放大增益高、抗干扰能力强等特点。通过学习CAS的设计和优化方法,能够更好地理解和应用于CMOS模拟集成电路设计中。 此外,了解电流镜、共源共排模式放大器、差分放大器、反馈电路等常见的CMOS模拟集成电路结构和设计技巧,对于深入理解CMOS模拟集成电路设计原理和方法非常有帮助。 最后,实践是学习CMOS模拟集成电路设计的重要环节。通过自己动手设计具体的电路实例,理解并解决实际问题,能够增加对理论知识的应用和理解。 总之,学习CMOS模拟集成电路设计需要掌握电路基本知识、了解CMOS技术原理和特点、学习常见的电路结构和设计技巧,并进行实践应用。通过不断学习和实践,我相信在CMOS模拟集成电路设计领域中会有更大的进步。 ### 回答2: cmos模拟集成电路设计是现代电子领域的重要研究方向之一。在学习过程中,我了解到cmos模拟集成电路设计的基本原理和方法,以及在实际应用中的一些注意事项。 首先,cmos模拟集成电路是一种使用cmos(互补金属氧化物半导体)技术制造的集成电路,其中的晶体管由n型和p型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS和PMOS)组成。cmos模拟集成电路设计主要涉及到电流源、放大器、运算放大器、滤波器等模块的设计。 在设计过程中,要考虑电路的性能指标,如增益、带宽、噪声等。同时,为了提高电路的稳定性和可靠性,需要注意电路中的电源抑制、温度补偿、布线规划等方面的问题。 另外,cmos模拟集成电路设计还需要掌握一些基本的设计工具和方法。如Spice仿真工具的使用,可以通过仿真验证设计的正确性和性能指标。还有一些常用的设计技巧,如工作在互补模式、差分放大器、共模反馈电路等,可以有效提高电路的性能。 在实际应用中,cmos模拟集成电路设计广泛应用于各个领域。例如,用于通信系统中的放大器、滤波器等电路设计,用于传感器中的信号处理电路设计等。因此,掌握cmos模拟集成电路设计的知识和技能对于从事电子工程的相关人员来说是非常重要的。 总之,cmos模拟集成电路设计学习笔记包括了基本原理和方法,设计工具和技巧,以及实际应用等方面的内容。通过学习和掌握这些知识和技能,可以提高我们在cmos模拟集成电路设计方面的能力和水平。 ### 回答3: CMOS模拟集成电路设计学习笔记是我在学习过程中记录的一本笔记,总结了我对CMOS模拟集成电路设计的理解和经验。 首先,CMOS模拟集成电路是一种重要的集成电路设计技术,它利用CMOS工艺制造出的器件来实现各种模拟电路功能。学习CMOS模拟集成电路设计,首先需要了解CMOS工艺的基本原理和特点。CMOS工艺是一种使用N型细长沟道和P型细长沟道场效应管组成的半导体工艺,它具有电压驱动强、功耗低、噪声小等优点。此外,还需要学习CMOS工艺的制造工艺流程和工艺参数的选择。 在设计CMOS模拟集成电路时,首先需要进行电路的建模与分析。我学习了基本的电路理论与分析方法,如放大电路、逻辑电路、反馈电路等,并学会了使用理想运放进行电路近似分析。此外,还学习CMOS器件的模型和特性,如MOSFET的输出特性曲线、小信号模型等。通过电路建模与分析,可以更好地理解电路的工作原理和设计要素。 然后,学习CMOS模拟电路的常见设计技术和方法。其中,包括源随器的设计与优化、偏置电路设计、放大电路设计、运算放大器设计等。在设计过程中,我学会了使用EDA工具进行电路仿真和验证,以及对电路进行性能指标的评估。通过反复实践和调试,我逐渐掌握了设计方法和技巧。 最后,我还学习了一些高级的CMOS模拟集成电路设计技术,如电压参考电路设计、数据转换电路设计、低功耗设计等。这些技术使得我能够设计更加复杂和高性能的CMOS模拟集成电路,提高了我的设计能力和水平。 通过CMOS模拟集成电路设计学习笔记的记录和总结,我不仅巩固了自己的知识和理解,还积累了更多的设计经验。这本笔记对于我今后的工作和学习都具有重要的参考价值。
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