G2025可替代BL8203 SOP-8
G2025 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯 片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2025 采 用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯 片集成,逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防 直通的死区逻辑。G2025 其浮动通道可用于驱动高压 侧 N 沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达 250V。G2025 采用 SOIC8 封装,可以在-40℃至 125℃ 温度范围内工作。
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250 V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs 负偏压能力达-10V
栅极驱动电压从 10.5 V 到 20V
防直通死区逻辑
– 死区时间设定 250ns
芯片传输延时特性
– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =380ns/140ns
– 延迟匹配时间 50ns
宽温度范围-40°C ~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 1.2A/1.5A
符合 RoSH 标准
SOIC8 (S)
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动