NSG2128/IR2128 SOP-8 300V 带过流检测的单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2128可替代IR2128
NSG2128 是一组带过流检测的高电压、高速单通道高 侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。NSG2128 采用高低压兼 容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电 平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。 内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断 芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT —————— 端口输出错 误信号。NSG2128 其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟 道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 300V。 NSG2128 采用 SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温 度范围内工作。

自举工作的浮地通道  最高工作电压为+300V  兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑  dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns  Vs 负偏压能力达-5V  输入输出同相位  栅极驱动电压 --从 12 V 到 20V  集成欠压锁定电路 – 欠压阈值 9V/10.3V  芯片传输延时特性 – 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/150ns  宽温度范围-40°C ~125°C  Fault 引脚故障输出  符合 RoSH 标准 SOIC8 (S)

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