NSG21814 700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片
NSG21814 替代 IR21814
NSG21814 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片,具有两个独立传输通道,逻辑地与功率 地分离,可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干 扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电 路等保护电路,具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入 电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平, 输出电流能力最大可达 4A,其浮地通道最高工作电压 可 达 700V 。 可 用 于 驱 动 N 沟 道 高 压 功 率 MOSFET/IGBT 等器件。
自举工作的浮动通道
最高工作电压为 700V
兼容 3.3 V, 5V 和 15V 输入逻辑
dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec
Vs 负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压:10 V 到 20V
高、低侧欠压锁定电路
– 欠压锁定正向阈值 8.9V
– 欠压锁定负向阈值 8.2V
芯片开通/关断传输延时
– Ton/Toff =130ns/130ns)
高低侧延时匹配
驱动电流能力:
–拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
符合 RoSH 标准
SOIC8 (S)
2 应用范围
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动程序
3 产品概述
NSG21814 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱
动系列芯片,具有两个独立传输通道,逻辑地与功率
地分离,可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干
扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电
路等保护电路,具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入
电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平,
输出电流能力最大可达 4A,其浮地通道最高工作电压
可 达 700V 。 可 用 于 驱 动 N 沟 道 高 压 功 率
MOSFET/IGBT 等器件。
器件信息
零件号
封装
封装尺寸(标称值)
NSG21814
SOIC14
8.6mm x 3.9mm
简化示意图