NSG2113是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道NSG2113的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2113内部集成高低侧shutdown逻辑,可用于故障条件下的通断关断。NSG2113采用宽体SOIC16(W)封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
NSG2113 可替代IRS2113
主要特征
● 悬浮绝对电压 700V
● 兼容3.3V、5V和15V 输入逻辑
● 欠压(UV)保护
● dV/dt误动作防止功能
● VS负偏压能力达-9V
● NSG2113周期性边缘触发关断逻辑
● 带SD关断功能
● NSG2113逻辑和电源地±5V 偏移
● NSG2113双通道正逻辑独立输入输出
NSG2113是一款适用于各种功率转换、电机控制、开关电源等领域的高性能驱动器。它可以提高电路的效率、可靠性和安全性,降低系统的成本和体积。