电工电子技术知识点总结（半导体器件）

1.半导体的导电特性：

• 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强；
• 光敏性：当收到光照时，导电能力明显变化；
• 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变；

2.本征半导体：完全纯净的、具有晶体结构的半导体；

3.本征半导体的导电机理：价电子在获得一定能量（温度身高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，称为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电），这一现象称为本征激发。温度越高，晶体中产生的自由电子便越多。在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。

4.本征半导体中载流子数目级少，其导电性能很差；

5.温度越高，载流子的数目越多，半导体的导电性能越好。

6.杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，形成杂质半导体；

7.N型半导体（电子半导体）：掺入五价元素（磷原子），掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电称为这种半导体的主要导电方式。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子；

8.P型半导体：掺入三价元素（硼原子），空穴数目大量增加，空穴导电。在P型半导体中空穴是多数载流子；

9.无论是N型还是P型半导体都是中性的，对外不显电性；

10.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡。

11.PN结的单向导电性：

• PN结加正向电压（正向偏置）P接正、N接负——PN结变窄

 内电场被削弱，多姿的扩散加强，形成较大的扩散电流；

PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN 结处于导通状态； 

• PN结加方向电压（反向偏置）——PN结变宽

 内电场被加强，少子的漂移加强，由于勺子数量少，形成很小的反向电流；

温度越高勺子越多，反向电流将随温度增加；

12.二极管伏安特性：非线性

13.二极管的单向导电性

• 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负），二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大；
• 二极管加反向电压，二极管处于反向截至状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小；
• 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导性；
• 二极管的反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大；

14.二极管检波电路：建波就是i见低频信号从已调制信号（高频信号）中取出； 

15.二极管限幅电路：限幅是指限制电路的输出幅值；

16.正向导通二极管相当于短路，反向截止二极管相当于断开；

17.稳压二极管：稳压管正常工作时加反向电压；稳压管反向击穿后，电流变化很大，但两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路总可起稳压作用；

 18.稳压管应用：实现简单稳压；削波电路；等效电路；

19.晶体管（半导体三极管）：晶体管有三个电机和两个PN结，分别是发射级（E）、基级（B）、集电极（C）和发射结（Je）、集电结（Jc）；

20.晶体管结构特点：发射区掺杂浓度高，基区薄，几点去掺杂浓度低；集电结面积比发射结大；

 21.基本放大电路：实现电流放大作用；

22.三极管放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏

 23.三极管内部载流子的运动规律：

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 24.三极管的特性曲线：