esp32 内存泄露如何解决


首先我们看下esp32 的内存结构
在这里插入图片描述

上图显示了 ESP32 内部存储器(SRAM)的布局。SRAM 分为 3 个存储块 SRAM0、SRAM1 和SRAM2(以及 RTC 快速和慢速存储器 2 个小块,我们将在后面分别讨论)。

SRAM 以两种方式使用:一种用于指令存储,称为 IRAM(用于执行代码,text 段),另一种用于数据存储,称为 DRAM(用作 BSS 段,Data 段和堆)。SRAM0 和 SRAM1 可以用作连续的 IRAM,而 SRAM1 和 SRAM2 可以用作连续的 DRAM 地址空间。

所以我们重点在于IRAM区域。

使用 IRAM 保存数据
从 ESP-IDF 4.2 版本开始,我们增加了使用 IRAM 进行数据存储的功能。如上所述,IRAM 具有地址和大小对齐的访问限制。如果进行未对齐访问,则会导致异常。在 4.2 版之后,ESP-IDF 透明地处理这些异常,以提供调用者所需的 load/store 功能。由于这些未对齐的访问会导致异常,因此访问速度将比 DRAM 慢。通常,每个异常处理大约需要 167 个 CPU 周期(即 240 MHz 时每次访问 0.7 usc 或 160 MHz 时每次访问 1 usec)。应用程序或 SDK 组件可以在链接时将 IRAM 用于 BSS 数据,或者在运行时通过堆分配器使用 IRAM 。使用 IRAM 进行数据有两个限制:

IRAM 访问不是多核安全的。因此,需

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