晶振的典型外接电容值一般是多少？

这要根据晶振的规格和电路中的因素来确定,同是16MHZ的晶体谐振器,其负载电容值有可能不一样,如10PF,20PF.....负载电容值是在其生产加工过程中确定的,无法进行改变.购买晶振时应该能得到准确的规格书.

• 对于32.768kHz的晶振，其典型外接电容值一般为12.5pF。

• 对于16MHz和20MHz的晶振，其典型外接电容值一般为20pF。

• 对于25MHz的晶振，其典型外接电容值一般为27pF。

• 对于50MHz的晶振，其典型外接电容值一般为33pF。

晶振外接电容值的计算涉及到负载电容的计算公式。负载电容的公式为：CL = CS + (CD*CG)/(CD+CG)，其中，CL(load capacitance)为负载电容，CS(shunt capacitance)为晶体两个管脚间的寄生电容，CD为晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，CG为晶体振荡电路输入管脚到地的总电容。

CD和CG的计算公式分别为：CD = CPCB + CO + CL2，CG = CPCB + CI + CL1，其中，CPCB为PCB走线电容，CI和CO为芯片管脚寄生电容，CL1和CL2为需外加的匹配电容。

一般来说，CS的值为1pF左右，CI和CO的值为几个皮法，具体值可以参考芯片或晶振的数据手册。CPCB的值通常在0.2pF到5pF之间。

举个例子，如果规格书上的负载电容值为18pF，CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF，那么可以计算出CD=CG=34.4pF，然后进一步计算出匹配电容值CL1=CL2=25pF。

需要注意的是，CD和CG两个电容的取值应该相同或者相差不大，如果相差太大，可能会造成谐振的不平衡，导致停振或者不起振。另外，在许可范围内，C1和C2的值越低越好，因为C值偏大虽然有利于振荡器的稳定，但会增加起振时间。