电子产品热控制的重要性

关于温度对电子产品寿命的影响，参考比较准确的阿伦尼乌斯公式（Arrhenius equation）：芯片每升高10℃，运行寿命减半，这里的温度上升10℃是在芯片的正常工作温度范围内。

美国空军航空电子完整性计划曾对电子产品失效原因做过统计，发现由于温度过高而导致的失效占所有故障原因的55%。这个数据是1990年左右得出的结论，随着晶体管密度与工作频率的上升，温度对芯片的影响会更大。

当半导体处于反向偏置状态并进入雪崩，通常会出现两种击穿状态：

1. 雪崩击穿（＞6V）：通常发生在粒子掺杂浓度低时。PN结变身粒子加速器，载流子在加速器作用下撞击共价键，形成雪崩击穿，通常需要PN结宽度足够；

2. 齐纳击穿（＜6V）：粒子掺杂浓度高，PN结窄，场强大，导致共价键粒子直接脱出，造成齐纳击穿；

但无论雪崩击穿还是齐纳击穿都不是PN结反偏时损坏的主要原因，关键点是，当发生击穿时，半导体器件电流较大，温度不断升高，过热后形成了不可逆的二次击穿。

温度控制的意义不只是防止芯片失效。对如对半导体激光器而言，温度的变化会引起激光器发光波长的变化，俗称温漂。如对于激光雷达产品常用的半导体激光器，EEL半导体激光器温漂高达0.25nm/k（补充，欧司朗EEL激光器温漂可低至0.07nm/k，但由于欧司朗对专利的限制，其他家同类半导体激光器温漂较高。），而目前正在发展中（光功率相对于EEL激光器较低）的VCSEL半导体激光器温漂会有所降低，也在0.07nm/k。温漂的变化限制了接收器前端窄带滤光片的带宽选择，而带宽越大，可进入接收器件的由于太阳光造成的杂散光也就越多，这限制了激光雷达产品的最远探测距离。

电子产品温度的控制对产品性能与寿命均至关重要。

芯片功耗

目前常用的数字电路芯片，在正常输出1或0时，芯片内部通常几乎没有电流流过。但当输出发生变化即芯片状态发生翻转（如从1到0或从0到1）时，如下图反相器，T1与T2同时发生翻转，电路中会形成由于器件翻转造成两个MOS管同时导通而形成的尖峰电流，带来功率消耗。

当芯片处于静止状态时，也容易存在暗电流造成芯片的静态功耗。

1. 静态功耗：Pstatic=Vdd×Ileakage（即工作电压×漏电流）

2. 动态功耗：与集成电路工作频率与工作电压有关，芯片状态翻转时会在电路中产生尖峰电流，翻转频率越高，工作电压越大，所形成的动态功耗越大；但随着技术进步，集成电路翻转频率只会越来越大。为降低芯片功耗，现在很多常用芯片工作电压也越来越低，如3.3V、2.5V、1.8V。

以上内容参考：

• 《从零开始学散热》 陈继良

• 《模拟电子技术基础》

• 《数字电子技术基础》

• 半导体激光器相关资料。