本文探讨了温度对半导体击穿电压的影响，解释了为何温度越高，雪崩击穿的击穿电压会增加。内容提到，高温下电子热运动增强，但少子加速过程中不易达到本征激发的能量，导致击穿电压提高。同时，解释了齐纳击穿和雪崩击穿的差异，主要在于掺杂杂质浓度的不同，以及它们在稳压管中的应用界限。齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结，而雪崩击穿则在低掺杂浓度下发生。
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我是从这学来的，嫌麻烦可以看视频
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雪崩击穿为什么温度越高，击穿电压越高？
温度高时，晶格内的电子热运动加大，占据空间变大，（这里看起来更容易撞到了）；少子在加速过程中，变得容易与电子相撞，但这时没有足够的能量使电子本征激发；
于是温度高，击穿电压反而高了
齐纳击穿雪崩击穿两种击穿形式，在稳压管中大概以6V为界限，
6V一下的稳压管用齐纳击穿
6V以上用雪崩击穿
两种击穿的区别是掺杂的杂质浓度不通；
用齐纳击穿的PN结，掺杂浓度高
雪崩击穿的掺杂浓度低
齐纳击穿：之间因为电场够大，让稳定的电子有足够的能量本征激发，产生大的电流
雪崩击穿：通过少子对晶格内电子碰撞，让电子本征激发，，产生少子，一个少子撞出两个，两个撞出四个，形成大的电流（需要少子有足够长的加速时间，产生足够撞出本征激发的速度）
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