1、1 本征半导体
定义:纯净的,不含杂质的半导体
载流子:带负电的自由电子和带正电的空穴
空穴与自由电子成对出现,成为电子-空穴对,因此,两种载流子的逆浓度是一致的。浓度不仅与本身特性有关,还与温度有关,温度越高,载流子浓度呈指数形式增长。
1、2 杂质半导体
定义:掺杂某些特定的杂质
掺杂浓度决定多数载流子(多子),温度决定少数载流子(少子)
分类:N型半导体:掺杂5价的杂质元素,如磷
多子为自由电子,少子为空穴。
P型半导体:掺杂3价的杂质元素,如硼
多子为空穴,少子为自由电子。
2、1 半导体二极管
2、1、1 PN结
1、定义:将一块半导体的一侧掺杂为P型半导体,另一侧掺杂为N型半导体,在二者的交接之处,将形成一个PN结
2、PN结中,载流子的运动
N区多子(电子)向P区扩散;{P去区多子(空穴)向N区扩散,当电子和空穴相遇对的时候,发生复合而消失,从而形成空间电荷区,也就是PN结。从而导致P区带负电,N区带正电,形成内电场,方向由N----->P。内电场的作用:阻挡多数载流子的的继续扩散,有利于少数载流子的漂移运动,P区的电子向N区运动,N区的空穴向P区运动,当达到动态平衡的时候,扩散电流与漂移电流达到相等,则PN结中的电流为0。
2、1、2 PN结的单向导电性
1、假设在PN结上外加一个电压V,正极接P区,负极接N区,这中接法称为正向接法或者正向偏置。
外电场的作用是:将P区的空穴向右移动,与空间电荷区的电子中和,N区的电子向左移动,与空间电荷区的空穴进行中和,从而使空间电荷区逐渐变窄,内电场电压逐渐降低,,从而有利于多子的扩散运动,而不利于少子的漂移运动,从而形成一个正向的电流,在PN结中的方向是从P---->N。正偏时,只需要加一个小的电流就可以得到一个较大的正向电流。
2、假设在PN结上外加一个电压V,正极接N区,负极接P区,这中接法称为反向接法或者反向偏置。
外电场的作用是:将P区的空穴,N区的电子向左向右移动,从而使空间电荷区逐渐变宽,内电场电压逐渐升高,,从而有利于少子的漂移运动,而不利于多子的扩散运动,从而形成一个由少数载流子运动产生的反向电流,在一定的温度下,反向电压超过一定值,反向电流不在随反向电压而增大,又称为反向饱和电流。对温度十分敏感。