半导体器件

1、1        本征半导体

        定义：纯净的，不含杂质的半导体

        载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴

        空穴与自由电子成对出现，成为电子-空穴对，因此，两种载流子的逆浓度是一致的。浓度不仅与本身特性有关，还与温度有关，温度越高，载流子浓度呈指数形式增长。

1、2        杂质半导体

        定义：掺杂某些特定的杂质

        掺杂浓度决定多数载流子（多子），温度决定少数载流子（少子）

        分类：N型半导体：掺杂5价的杂质元素，如磷

                        多子为自由电子，少子为空穴。

                   P型半导体：掺杂3价的杂质元素，如硼

                        多子为空穴，少子为自由电子。

2、1        半导体二极管

2、1、1        PN结

        1、定义：将一块半导体的一侧掺杂为P型半导体，另一侧掺杂为N型半导体，在二者的交接之处，将形成一个PN结

        2、PN结中，载流子的运动

                N区多子（电子）向P区扩散；{P去区多子（空穴）向N区扩散，当电子和空穴相遇对的时候，发生复合而消失，从而形成空间电荷区，也就是PN结。从而导致P区带负电，N区带正电，形成内电场，方向由N----->P。内电场的作用：阻挡多数载流子的的继续扩散，有利于少数载流子的漂移运动，P区的电子向N区运动，N区的空穴向P区运动，当达到动态平衡的时候，扩散电流与漂移电流达到相等，则PN结中的电流为0。

 2、1、2        PN结的单向导电性

         1、假设在PN结上外加一个电压V，正极接P区，负极接N区，这中接法称为正向接法或者正向偏置。

        外电场的作用是：将P区的空穴向右移动，与空间电荷区的电子中和，N区的电子向左移动，与空间电荷区的空穴进行中和，从而使空间电荷区逐渐变窄，内电场电压逐渐降低，，从而有利于多子的扩散运动，而不利于少子的漂移运动，从而形成一个正向的电流，在PN结中的方向是从P---->N。正偏时，只需要加一个小的电流就可以得到一个较大的正向电流。

         2、假设在PN结上外加一个电压V，正极接N区，负极接P区，这中接法称为反向接法或者反向偏置。

        外电场的作用是：将P区的空穴，N区的电子向左向右移动，从而使空间电荷区逐渐变宽，内电场电压逐渐升高，，从而有利于少子的漂移运动，而不利于多子的扩散运动，从而形成一个由少数载流子运动产生的反向电流，在一定的温度下，反向电压超过一定值，反向电流不在随反向电压而增大，又称为反向饱和电流。对温度十分敏感。