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本节内容:三极管
1:相关理论
1:定义
根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,即构成BJT晶体管也叫三极管。
2:晶体管类型
1:NPN三极管
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如下图,NPN型三极管,由三块半导体构成,其中两块N型和一块P型半 导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧。
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三个区的特点
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基区:P型半导体,很薄且杂质浓度很低,引出基极b。
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发射区:N型半导体,杂质浓度很高,自由电子很多,引出发射极e。
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集电区:N型半导体,杂质浓度很低,但面积很大,引出集电极c。
2:PNP三极管
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如下图,PNP型三极管,由三块半导体构成,其中两块P型和一块N型半导体组成,,N型半导体在中间,两块P型半导体在两侧。
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三个区的特点
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基区:N型半导体,很薄且杂质浓度很低,引出基极b。
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发射区:P型半导体,杂质浓度很高,空穴很多,引出发射极e。
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集电:区P型半导体,杂质浓度很低,但面积很大,引出集电极c。
2:工作原理
1:NPN三极管原理
1:工作原理图
- ①:发射结加正向电压,扩散运动形成发射极电流:I_E。
- ②:扩散到基础的自由电子与空穴复合形成基极电流:I_B。
- ③:集电结加反向电压,飘移运动形成集电极电流:I_C。
2:电流放大倍数
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分析可知,发射极扩散出的自由电子,一部分与基极的空穴复合,,一部分漂移至集电区,
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因此:I_E = I_B + I_C 。
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此外,对于掺杂浓度确定的晶体管,发射极扩散出的自由电子与基极的空穴数量都是固定的,而且有一定的比例关系,我们可以定义为晶体管的放大倍数,
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则 I_E = β * I_B 。
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如此,得出下面的公式:
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β * I_B = I_B + I_C 。
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β = 1 + I_C / I_B 。
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由于 I_C / I_B >> 1
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得出 β = I_C / I_B。
3:输入特性曲线
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晶体管的输入输出特性曲线描述各电极之间电压、电流的关系,便于对晶体管的性能、参数、电路的分析计算。
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输入特性曲线描述管压降Uce一定的情况下,基极电路 I_B 与发射结压降 Ube 之间的函数关系,即:
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I_B = f(Ube),Uce = 常数
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Uce = 0V,曲线类似于PN结的伏安特性曲线
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Uce增大时,曲线将右移,因为发射结扩散至基区的自由电子部分漂移至集电极,使得 I_B 减小,获得同样的I_B ,需要增大Ube。
4:输出特性曲线
- 输入特性曲线描述基极电流 I_B 定的情况下,集电极电流 I_C 与管压降Uce之间的函数关系,即:
- I_C = f(Uce),I_B =常数
从输出特性曲线看,晶体管有三个工作区间:
- ①:截止区。
发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置,即Ube <Uon且Uce> Ube。此时Ib≈0, Ic≈0。 - ②:放大区。
发射结电压大于开启电压且集电结反向偏置,即Ube>Uon且Uce>Ube。此
时Ic仅仅取决于Ib,Ic= β* Ib 。 - ③:饱和区。
发射结电压大于开启电压且集电结正向偏置,即Ube> Uon且Uce <Ube。此时Ic不仅仅与Ib有关,而且随Uce的增大而增大,Ic < β * lb。
1:PNP三极管原理
- PNP晶体管与NPN晶体管的工作原理基本类似,区别是PNP晶体管靠空穴导电,电流方向不同,应用电路也不同。
1:注意点
- NPN三极管放大电路简要了解即可,项目中几乎不采用,因为晶体管的放大系数不稳定,受温度影响较大。
- 应用电路通常需要确定的放大倍数且不受环境影响, 需要引入反馈环路,输入部分的抗干扰能力要求也高,集成运放满足这个要求。
3:集体管用作信号开关
- 实际应用时,晶体管常作开关使用,放大电路使用集成运放。
- 此时,晶体管工作在截止区与饱和区。
- 截止区,Ic≈0,此时,功率P= Ic*Uce很小
- 饱和区,Uce深度饱和电压很小,功率P =Ic*Uce相对也很小。
1:NPN三极管用与信号开关
2:PNP三极管用与信号开关
3:通俗单片机上面的例子
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NPN型三极管的导通:
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记住:NPN三极管的基极为高电平时三极管导通。
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以驱动蜂鸣器为例,NPN驱动蜂鸣器的电路如下图所示:
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单片机的输出口通过一个电阻接到基极。
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当单片机的管脚输出为高电平时,PN结发生正向偏置,三极管处于导通状态,蜂鸣器两个管脚得电,发声。
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PNP型三极管的导通:
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记住:PNP三极管的基极为低电平时三极管导通。
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单片机的输出口通过一个电阻接到基极。当单片机的管脚输出为低电平时,PN结发生正向偏置,三极管处于导通状态,蜂鸣器两个管脚得电,发声。
4:光电三极管
1:定义
- 光电三极管依据光照的强度来控制集电极电流的大小,其功能等效为一只光电二极管与一只晶体管的相连。并引出集电极与发射极,如下图:
2:光耦运用