BPI FLASH 读写时序分析（二）——读ID

目录

一、数据手册下载

二、bpi flash时序分析

1、命令码介绍

2、写入时序分析

2、读取时序分析

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一、数据手册下载

已经下载了数据手册的同学可以直接看第二节，读写时序都应按照芯片数据手册执行，数据手册免费下载方法：

1、电脑端

①推荐立创商城，可以免费下载数据手册，且芯片型号众多。

S29GL01GS11DHIV10_S29GL01GS11DHIV10采购信息-立创电子元器件商城 (szlcsc.com)

②半导小芯-芯片查询工具_芯片替代查询_数据手册查询_规格书查询_datasheet查询_IC查询 (semiee.com)

 

 

2、手机端

推荐APP半导小芯，可以直接在手机上查看数据手册，芯片型号众多。

二、bpi flash时序分析

数据手册我使用的是cypress的S29GL01GP，也是英飞凌-Infineon的S29GL01G，下载Infineon的S29GL01G也是一样的，为啥一样，感兴趣的同学可以百度一下。国产的bpi flash也大多是按照S29GL01来设计的。

1、命令码介绍

现在的芯片功能都非常的多，也很复杂，都需要先发送正确的命令码，芯片才会执行相应操作，今天先讲解一下最简单的操作：读芯片ID号。

先找到数据手册中的这个命令表x16模式（x8模式的不一样，具体选择哪一个根据硬件连接来看，上一章有讲过），这上面说明了你想执行操作时需要发送的命令码。

先看看读ID需要发送那些指令。

第一个制造商ID :

步骤为：①往地址0x555中，写入数据0xAA;

                ②往地址0x2AA中，写入数据0x55;

                ③往地址0x555中，写入数据0x90;

                ④从地址0x00中，读数据，读出正确数据应该为0x01;

具体的读和写时序我们也需要按照数据手册执行。

2、写入时序分析

 写入时序需要看数据手册的这些部分：

 百度翻译一下：

        这些器件能够进行多种编程和/或擦除操作模式，这些模式将在以下部分中详细描述。
在写入操作期间，当提供地址、命令和数据时，系统必须将CE#和WE#驱动到V IL，将OE#驱动到VIH。
地址被锁存在WE#或CE#的最后一个下降沿，而数据被锁存到WE#或CE的第一个上升沿。
解锁旁路功能允许主机系统向闪存设备发送程序命令，而无需在命令序列中首次写入解锁周期。有关解锁旁路功能的详细信息，请参见第7.7.8节

最重要的信息是：

地址被锁存在WE#或CE#的最后一个下降沿，而数据被锁存到WE#或CE的第一个上升沿。

地址在WE#或CE#的最后一个下降沿锁存，数据在WE#或CE的第一个上升沿锁存。

AC（交流）特性：

 往后面滑，找到关于数据写入的时序，写入数据在flash中称为编程（program）

这一页为时序图中个参数的要求：

这一页为写时序波形图，图中参数应按照上图参数要求来进行设定：

 

 写时序的时候不会用到OE#信号，这个信号让它一直为高电平（1）；

上面写数据看似很复杂，但我们把它拆开一个一个数据对的来看就不复杂了。

主要关注下面4个信号，写时序OE#让它一直为高。

 这里需要关注的参数:Twc,Twp,tDS,Twph;使用FPGA设定这几个时序还是挺简单的，无硬件开发板时，可以仿真抓波形，有硬件开发板时，可以在线调试抓波形，再和数据手册中的时序波形进行对比，很容易看出是哪里出错了。

Tcs,Tch,Tdh在上面数据手册中写道min（最小）可以是0，我们就不用特别在意这几个参数，如果你的数据手册中这几个参数的最小值不是0，那就需要注意一下时序的设定了。

我们继续分析Twc,Twp,tDS,Twph：

Twc这个是写周期时间，和器件速度相关，我们选个中间值110吧，我们在设定时序Twc时应该大于等于110NS,意思就是这个芯片的写时序最快也要110ns才能发起一次，如果不按照数据手册的时序执行，那么很可能芯片就不会响应你的指令。

我们可以就把数据DATA的保持时间设定为大于等于110ns。就是在110ns内保证数据稳定，不能变化。

Twp就是WE#低电平脉冲的宽度，也是WE#低电平应该保持的时间，数据手册中写的是min最小35NS，我们设置的时候WE#低电平脉冲的宽度大于等于35NS就好了。

Twph：这个是WE#信号变为低电平后，重新返回高电平时的最低保持时间，最低是30ns.

Tds：这个是数据data的建立时间，意思就是在WE#的上升沿采样之前，数据应该保持稳定不变的时间，这个时间数据手册中最小为30NS，我们在设定时序时需要大于等于30ns。

建议：（这些参数都只给了最小值，建议在使用时没有对时间的要求，尽量将这些参数设置为2倍左右，因为器件在不同寿命，不同温度等条件下这些参数不是固定的，而且使用次数多了过后性能都会下降，这些参数就有可能会超出数据手册范围（几率很小），避免出现数据读取错误情况，若是对时间无特别高的要求，尽量将这些参数时间放宽一点。）

如果你看数据手册中的时序波形图不太明白，可以按照下面这个时序来进行设置，当然上面说的那些时间参数必须也要遵守。（这里没有OE#，按照上面说的，让它一直为高就好了）

上面是往555地址写入AA 的时序，记得之前读ID需要的命令码吗，这里相当于执行了第一步，第二、三步按照第一步的方法把地址数据换一下就可以了。

上面说的写时序就是整个FLASH的编程操作，只要数据手册中用到写操作的，都可以用上面这个时序。

读ID操作这样只剩下最后一步④了，下面简单说一下读时序吧。

2、读取时序分析

说一下数据手册中的描述吧，先使用单个地址读的方式，学会了单个读，页读也不难。

 还是百度翻译吧：

所有存储器都需要访问时间来输出阵列数据。在读取操作中，一次从一个存储位置读取数据。地址以随机顺序提供给设备，通过设备的传播延迟导致其输出端的数据与输入端的地址一起到达。
设备默认为在设备通电或硬件重置后读取阵列数据。要从存储器阵列读取数据，系统必须首先在Amax-A0上断言有效地址，同时将OE#和CE#驱动到V IL。WE#必须留在V IH。所有地址都锁存在CE#的下降沿。在地址访问时间（t ACC）之后，数据将出现在DQ15-DQ0上，该时间等于从稳定地址到有效输出数据的延迟。OE#信号必须驱动至V IL。假设已经满足t ACC访问时间，则在从OE#的下降沿经过访问时间（t OE）之后，在DQ15-DQ0引脚上输出数据。

个人理解的大概意思就是：

FALSH输出数据需要一定的时间，我们要按照数据手册中的要求，才能正确读出数据，具体的还是在后面时序分析上讲。

还是按照写入时序一样的讲吧，两张重要的图：

还是在交流特性这下面找：

 这个单个读时序需要特别关注的时间参数：Tacc,Trc,Toe,Tce；

其他参数按照上面说的设置便好，如Tceh,就是CE#高电平需要保持的最低时间，一般设置时CE#为高大于35NS后再拉低即可。

Trc:这个是读取周期，和写入周期差不多。就不多说了。

Tacc:这个是地址输出有效到输出数据有效的延时时间，简单来说就是地址保持时间，地址需要保持保持不变的最低时间，这个也是和器件相关，如果速度等级是110，大于等于110ns即可。

Tce：CE#使能（为低电平）时，数据输出有效的最低时间，就是ce#低电平保持时间。这个和Tacc一样，这两个参数我们就可以一起进行设置。

Toe:OE#使能（为低电平）时，数据输出有效的最低时间，就是oe#低电平保持时间。数据手册上这里最小是25NS，所有我们在设置OE时，低电平时间要打印等于25NS。

WE#信号在读取时，让它一直为高。

每次读写都必须满足上面的时间要求。

推荐刚开始使用者可以使用下面的时序：

同时将OE、CE拉低，地址进入保持状态，110NS过后数据就会输出到DATA上，数据采样可以在110ns之后，OE上升沿及之前，整个读取周期时间可以自己设置，下图只是举例。

这样就完成对flash ID的读取，能成功读取ID说明以及成功一半了，已经能和flash建立连接了。

总结：

主要需要学会看数据手册以及时序图，按照数据手册总的时序图建立时序，使用FPGA可以离线仿真以及在线仿真，对照着数据手册中的时序图进行分析，很容易看出自己写的代码哪里出问题了。

欢迎大家评论，以上若有错误之处，欢迎指正。

有人需要的话，后面再讲讲读、写、擦操作。