BPI FLASH S29GL01GP、 S29GL512P、 S29GL256P、 S29GL128P NOR flash介绍，与FPGA代码编写（一）

1、内部结构介绍：S29系列nor flash 内部是由多个扇区构成的，每个扇区容量大小相同，不同容量的flash其实就只是扇区数量不同，其他命令和时序是一样的。如下图：

2、引脚介绍

；A[25:0]:这些就是地址引脚，容量不一样地址位数就不一样。1Gb：地址位26bit;512Mb：地址位25bit；256Mb：地址位24bit；128Mb：地址位23bit；怎么计算的呢？例如1Gb:A[25:0]就是2的26次方个地址，每个地址可以存16bit地址，也就是2的4次方，两个相乘，就是2的30次方=1kb的3次方=1Gb。

DQ[15:0]:表示flash的数据引脚，用于和flash传输数据，要存进flash的数据就是通过这些引脚传输的。DQ15/A-1：这是一个复用引脚，可以表示数据位D[15]，也可以表示地址A【-1】,也就是最低位，还要排在A0的右边（高位在左，低位在右），只有在数据模式选择为8bit时才会复用为地址。数据被减小了一倍，从一个地址存16bit变为存8bit。为了保持容量大小不变，地址就应扩大一倍，所以才会出现DQ15被复用的情况，因为在8bit数据模式下，传输数据用不着它。数据位只使用低8位。

CE#：flash芯片的片选信号，低有效，要控制它必须先选中，也就是将该位置0。（一般信号名后带#的都表示低电平有效）

OE#:flash的输出使能，也就是说想要flash输出数据必须要OE使能（OE#=0）；具体低电平保持时间多长后面讲时序的时候说。

WE#:flash的输入使能，也就是说想要往flash里面写入数据必须要WE使能（WE#=0）；

VCC、VIO、VSS、NC：这些引脚代码里面用不着，设计代码的不用管，排查问题的时候就需要看一下这些引脚有没有连对。

RY/BY#:这个就是flash的ready和busy信号，就是准备好、忙信号。高电平时就是ready有效，表示准备好了，可以去操作它。低电平就是busy有效，表示flash正在忙，这个时候就不能再去操作它了。

BYTE#:这个就是控制数据模式的引脚，低电平就是byte模式，也就是一次传输8bit。高电平就是字模式，一次传输16bit数据。

RESET#：引脚复位管脚，硬件电路控制，写代码时不用管。

WP#/ACC:写保护、写加速。上拉接vcc就可以了，如果出现flash写不进去数据，也可以看看是不是被写保护了。

NOR flash很重要的一个知识点：

“0” 无法编程回 “1”。后续读取显示数据仍为 “0”。只有擦除操作能使 “0” 恢复回 “1”。就是说默认擦除后里面存的数据全是FFFF，每次操作直接都要进行擦除操作，让它所有为返回1，编程也就是写入操作，只能让1变成0。如果里面存储的是0，就只有擦除操作才能让它变为1；和其他存储器件不同的地方就在这里，其他器件如eeprom sdram写入数据可以直接覆盖，但是 nor flash不行。

详细资料参考数据手册，数据手册下载推荐立创商城搜那个器件，里面就可以直接下载（不是打广告，分享给大家比较方便的办法）立创商城_一站式电子元器件采购自营商城_现货元器件交易网-嘉立创电子商城

如上图，框出来的两个地方，搜器件名字，下面点击数据手册就可以直接下载。

好了，这次就写到这里，有人看的话就继续更新。